24 mai 2012 partea i-atsocm.pub.ro/bursepostdoctoraleid54785/suportcurs... · artefact, artifact...
Post on 29-Oct-2020
0 Views
Preview:
TRANSCRIPT
Prof.dr.fiz. D. Bojin 24 mai 2012
Partea I-a
artefact, artifact [ˈɑːtɪˌfækt]
1. something made or given shape by man, such as a tool or a work of art, esp an object of archaeological interest
2. anything man-made, such as a spurious experimental result 3. (Life Sciences & Allied Applications / Biology) Cytology a
structure seen in tissue after death, fixation, staining, etc., that is not normally present in the living tissue [from Latin phrase arte factum, from ars skill + facere to make
1. artefact, artefacte: ceva făcut sau i s-a dat o forma de catre om, cum ar fi un instrument sau o operă de artă, ESP un obiect de interes arheologic
2. orice facut de catre om, cum ar fi un rezultat experimental fals
3. (Life Sciences & Allied Applications / Biology) Citologie o structură observata in tesut, după ce tesutul nu mai este viu si a fost fixat, colorat, etc. si care nu este prezent, în mod normal, in tesutul viu; [frază din latină: Arte factum, de la Ars abilitate - de a face, facere].
ARTEFÁCT s. n. (Anat.) Falsă imagine care apare în preparatele histologice din cauza unor procedee
greșite de fixare sau de colorare (pe lama microscopului). – Din fr. artefact.
Sursa: DEX '98 (1998) | Adăugată de romac |
artefáct1 sn Atestare: DEX (ediția a II-a) Plural: artefacte Etimologie: (din
franceză) artefact 1 Structură de origine artificială sau accidentală apărută în timpul observării sau
experimentării asupra unui fenomen natural. 2 (His.) Modificare produsă în structura naturală a celulelor
și țesuturilor de reactivi și procedeele folosite.
Sursa: MDA (2002) | Adăugată de raduborza |
artefáct2 sn Atestare: MDA Plural: artefacte Etimologie: (din engleză) artifact Obiect produs de
activitatea umană.
Sursa: MDA (2002) | Adăugată de raduborza |
ARTEFÁCT s.n. 1. Imagine falsă apărută în preparatele histologice produsă artificial sau datorită unor
defecte de fixare ori de colorare. 2. (Cib.) Semnal parazit supus unei informații, în semnificația căreia
joacă un rol nul sau negativ. [< fr. artéfact].
Sursa: DN (1986) | Adăugată de LauraGellner
ARTEFÁCT s. n. 1. structură, fenomen artificial în cursul unei investigații sau exploatări. 2. (med.)
modificare în preparatele histologice produsă artificial sau datorită unor defecte de fixare ori de colorare.
3. (cib.) semnal parazit supus unei informații, în în semnificația căreia joacă un rol nul sau negativ. (< fr.
artefact)
DEX online
Radiatii X de Franare
40
0.0
0
Electroni Auger
Electroni retroimprastiati
Electroni secundari emisi
Radiatii X de franare
Radiatii X de
fluorescenta
Rezolutie radiatii X
Electroni
transmisi
Rezolutie
spatiala
Radiatii X reflectate,
difractie Kossel
Adancime
efectiva
Radiatii X
primare
L
Radiatii X
energetice
X=Lcosecθ
Fascicul incident
Suprafata probei
Fascicul electronic
incidentElectroni retroimparstiati
(reflectati elastic)
Electroni secundari
(emisi)
Radiatii X
Radiatii infrarosiiRadiatii luminoase
(fotoni optici)
Microscopie
electronica cu
baleiaj sau de
tip analitic
Microscopie
electronica prin
transmisie,
microsopie
electronica cu
baleiaj prin
transmisie,
analiza
dispersiva in
energie
Electroni
absorbitiCurent indus
Imprastiere elastica
necoerenta
Imprastiere neelasticaFascicul nedeviat
de electroni transmisi
Imprastiere elastica
coerenta
PROBA
http://www.hitachi-hta.com/sites/default/files/product_files/HTD-E193-HitachiSU9000-FESEM-
brochure.pdf
http://www.hitachi-hta.com/sites/default/files/product_files/HTD-E193-HitachiSU9000-FESEM-
brochure.pdf
http://www.hitachi-hta.com/sites/default/files/product_files/HTD-E193-HitachiSU9000-FESEM-
brochure.pdf
SE image
resolution
0.4nm (30kV, Sample Height=1.0mm, 800kx)
1.2nm (1kV, Sample Height=2.0mm, 250kx)
STEM image
resolution 0.34nm (30kV, Sample Height=0.0mm, Lattice image)
Mag on Photo*1 Mag on Display*2
LM Mode 80 ~ 10,000x 220 〜 25,000x
HM Mode 800 ~ 3,000,000x 2,200 〜 8,000,000x
Electron gun Cold cathode field emission source
Accelerating
voltage 0.5 ~ 30kV (0.1kV step)
Lens system 3-stage electromagnetic lens reduction
http://www.hitachi-hta.com/sites/default/files/product_files/HTD-E193-HitachiSU9000-
FESEM-brochure.pdf
EM Course –Introduction to SEM, Professor Rodney Herring,
Canada Fundation for Inovation.
Un artefact care poate sa apara in rezultatele investigatiilor de ME consta in
distugerea cauzata prin diferite tehnici de preparare a probelor, distrugeri care pot fi
usor confundate cu microstructura probelor. Artefactele pot fi produse mecanic,
chimic, ionic, sau prin actiuni fizice. In timpul observatiilor prin ME, in special
TEM/STEM, pot fi produse alte artefacte prin iradiere sub fascicul de electroni.
Prin urmare, pot sa apara doua categorii de artefacte: unele care apar in timpul
etapelor preliminare de pregatire a probelor si cele formate sub efectul iradierii cu
fascicul de electroni in timpul observatiilor.
Materialele investigate pot fi mai sensibile sau mai putin sensibile la formarea de
artefacte, in functie de natura legaturilor chimice sau de proprietatile fizico- mecanice
si in functie de tehnicile de preparare.
J. Ayache at al., Sample Preparation Handbook for Transmission Electron Microscopy, Springer Business
Media, LLC 2010,
University of Zurich, Center for Microscopy and Image Analysis, Courtesy: Andres Kaechcroscopy
In microscopia electronica scanning probele conductoare sau semiconductoare nu pun probleme deosebite.
Probele neconductoare pot fi investigate cu un microscop de tip ESEM sau, cum se procedeaza de obicei,
aceste probe se acopera cu un strat conductor, dintr-un metal cu randament mare de emisie a electronilor
secundari (Au, Pd, sau C) de cateva sute de angstromi grosime. Stratul este, de cele mai multe ori, depus prin
pulverizare. Acest proces poate, uneori, perturba structura sau morfologia probei sau sa acopere anumite
detalii fine. In cazul fixarii chimice, deshidratarii, ca etape in pregatirea probelor, adesea se produc contratii
sau prabusirea unor structuri delicate. In aceste cazuri se foloseste tehnica crio-fixarii, care este mult mai
putin predispusa la artefacte. Si in acest caz pot sa apara artefacte atunci cand procesul de congelare nu are loc
suficient de rapid, in caz contrar pot sa apara cristale de gheata si structurile, mai ales cele biologice, sa fie
alterate.
O alta cale de a introduce artefacte in orice tip de probe este contaminarea in timpul manipularii si in timpul
investigarii.
H2O 273,16 K 0,610 kPa
CO2 216,55 K 517,2 kPa
Temperatura punctului triplu
al apei este 0,01°C.
Avantajele folosirii ESEM
1. Ionizarea gazelor în camera de probă elimină artefacte de încărcare, de obicei observate cu
probe neconductive. Astfel, probele nu trebuie să fie acoperite cu un strat conductiv. ESEM
inlatura procesul de pregătire.
2. Cu ESEM se pot investiga probe umede, murdare şi uleioase. Produsele de contaminare nu
pot deteriora sau degrada calitatea imaginii.
3. ESEM poate achiziţiona imagini de electroni de la probe la temperaturi ridicate , de exemplu
1500°C, deoarece Detectorul de electroni secundari in mediu controlat (ESD), este insensibil la
căldură.
4.Detectorul este, de asemenea, insensibil la lumină. Lumina emisa de proba, de exemplu de la
incandescenţă (probe incalzite), cathodoluminescenta sau fluorescenţă, nu produce zgomot in
imagine.
5. ESEM elimină necesitatea de acoperire conductoare, care poate, de multe ori, deteriora
structuri delicate, în timpul pregătirii probei.
6. In ESEM se pot efectua analize compozitionale prin spectroscopie de radiatii X chiar la
tensiuni de accelerarea foarte ridicate (30kV).
7. Eliminând necesitatea de pregatire a probelor, în special acoperirile conductive, se pot
investiga probe solicitate dinamic, cum ar fi tensiune de intindere, compresiune, urmarirea
propagarii fisurilor, teste de aderenţă, încălzire, răcire, congelare, topire, hidratare, deshidratare,
sublimare, etc. http://dmohankumar.wordpress.com
Uscat la punctul critic Uscat in aer
Petala de trandafir
Acarian
În microscopie electronica de transmisie (TEM), un fascicul de electroni de mare
de energie (40-300keV), interacţionează cu o proba (preparat) transparenta
(aprox. 100-150 nm grosime), cu scopul studierii microstructurii şi compoziţiei.
Pregătirea unei probe cu o astfel de grosimea este,deopotriva, artă şi ştiinţă.
Este nevoie de elaborarea de metode adecvate, precum şi realizarea /
demonstrarea ca procedura respectiva este reproductibilia. De asemenea,
trebuie acordata o mare atenţie pregătirii şi manipularii probelor avand in vedere
faptul ca probele sunt extrem de subţiri şi, prin urmare, predispuse la îndoire şi
rupere.
Tehnicile de pregătirea a probelor pentru TEM trebuie adaptate pentru fiecare
clasa de materiale, cum ar fi metale si aliaje, multistrat, semiconductoare;
acoperiri metalice, structuri si dispozitive, nanomateriale, nanotuburi / particule,
folii subtiri, pulberi obtinute prin macinare mecanica, compozite, materiale
casante. Pregătirea probelor pentru TEM implică subţierea acestora pana ajung
la grosimi care sa fie transparente pentru electroni. Aceste tehnici de pregatire
pot contribui la aparitia unor artefacte in imaginile sau analizele structurale si/sau
compozitionale. .
Prin urmare, pregatirea probelor trebuie sa fie efectuata cat mai repede posibil si este crucial pentru orice microscopist să cunoască în primul rând, proprietăţile
materialului care urmeaza sa fie analizate şi în al doilea rând tehnica de pregatire
corespunzătoare, astfel incat, sa fie capabil să recunoască aceste artefacte în timpul
observarii la TEM.
Diametrul probei trebuie sa fie de maxim 2,3 sau 3 mm iar grosime, in functie de material si de investigatiile ce urmeaza a fi efectuate, sa fie cuprinsa intre 0,5 si 200 nm.
Danièle Laub, OVERVIEW OF SAMPLE PREPARATION TECHNIQUES FOR
TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY IN MATERIALS SCIENCE , EPFL-CIME, École Polytechnique Fédérale de Lausanne.
2.4.1 Metode de preparare a probelor specifice stiintei materialelor Probele preparate pentru microscopia electronica prin transmisie trebuie sa tina seama, in privinta grosimii, de tensiunea acceleratoare, pentru ca transmisia electronilor sa se faca fara pierderi energetice excesive. In general, pentru tensiuni acceleratoare pana la 100 kV, grosimea probelor poate varia intre 100Å si 1000Å , in functie de natura materialului si caracterul studiului intreprins.
In principiu se disting doua tipuri diferite de metode de pregatire a probelor in functie de scopul urmarit in cadrul investigatiilor structurale: metode de studiu a topografiei si morfologiei suprafetei si metode in vederea examinarii structurii interne.
a) metode de preparare a probelor pentru studiul topografiei si morfologiei superficiale. Una dintre tehnicile cele mai utilizate pentru investigarea suprafetelor este o metoda indirecta sau metoda replicilor. Aceasta metoda consta in depunerea pe suprafata probei investigate a unui strat subtire de substanta, care apoi se separa de proba, constituind o replica care se studiaza in microdcopul electronic prin transmisie, tinand seama ca replica reprezinta o copie negativa a topografiei suprafetei. Principala cerinta a unor replici de calitate este preluarea exacta prin replicare a topografiei superficiale a probei. Se pot obtine replici de pe suprafete rugoase, de pe suprafete de rupere (fractura) sau de pe suprafete polizate si lustruite, atacate chimic, electrochimic sau prin bombardament ionic. In cazul suprafetelor atacate, morfologia unor constituent5i sau faze secundare poate fi usor relevata datorita ratei diferite de atac a acestora in rapot cu matricea.
In functie de natura si propietatile materialelor investigate exista mai multe tipuri de replica: 1) replici in plastic; 2) replici obtinute prin evaporare; 3) replici obtinute prin oxidare.
Replicile in plastic se obtin prin depunerea pe suprafata probei a unei solutii de material plastic intr-un solvent organic corespunzator. Dupa evaporarea solventului, pe suprafata probei ramane un strat de lac solid si subtire, care se poate desprinde de proba pe cale mecanica sau chimica (prin dizolvarea probei). In acest scop se utilizeaza curent solutii de 0,5 – 2% colodiu in acetat de amil sau 1-5% formvar in dioxin. Uneori aceste replici sunt insa putin transparente pentru fasciculul de electroni si contrastul in imagine este scazut.
Mult mai utilizate sunt replicile obtinute prin evaporare care confera in general rezolutii inalte si contrast ridicat. In mod obisnuit aceste replici se obtin prin evaporarea termica in vid a carbonului in instalatii speciale de evaporare.
Replicile oxidice pot fi obtinute numai in cazul unor metale si aliaje care se oxideaza usor ( de exemplu aluminiul si aliajele sale). Stratul de oxid se poate obtine de exemplu ca rezultat al unui proces de electroliza si se desprinde de proba intr-un solvent corespunzator, fiind apoi asezat pe un suport special pentru studiul direct in microscopul electronic.
Frecvent, in functie de numarul etapelor parcurse pentru obtinerea preparatului de studiat, metodele de pregatire a replicilor (replicare) se clasifica in :
- metode de replicare cu o singura treapta;
- metode de replicare cu doua trepte.
In prima metoda (fig. 11a) se obtine replica direct de pe suprafata investigate, asa cum s-a descries anterior, aceasta copie negativa fiind studiata ulterior in miocroscopul electronic prin transmisie.
In a doua metoda (fig. 11b), replica se obtine in doua etape: la inceput se obtine o replica intermediara groasa ( matrita) de pe suprafata probei, iar ulterior, dupa separarea mecanica a acesteia, se pregateste replica finala (prezentand acelasi microrelief ca si proba initiala) printr-un procedeu asemanator primei metode. In acest scop, se executa evaporarea de carbon in strat subtire pe suprafata matritei, urmand ca replica finala de carbon sa se separte de matrita de plastic prin dizolvarea acesteia intr-un solvent organic.Ca materiale plastice pentru matrite se pot utiliza: polistirol, formvar, colodiu sau celuloza, iar ca silventi tipici pentru acestea se folosesc: benzol, dioxin, acetat de amil si acetona.
Replica monotreapta Replica in doua trepte Replica de extractie
b) metode de preparere a probelor in vederea examinarii structurii interne (metoda directa). O mare varietate de metode a fost propusa pentru reducerea grosimii probelor pana la obtinerea unor folii subtiri, cu grosimi adecvate investigatiilor electrono-microscopice. Straturi subtiri au fost obtinute prin evaporare si depunere in vid, sau prin pulverizare cu fascicule ionice a materialului respective pe suporti convenabili. Unele cristale ( de exemplu mica) pot fi direct clivate la grosimi suficient de subtiri, pentru a permite examinarea in microscopul electronic prin transmisie.
Metodele curente de obtinere a unor probe cu grosimi sub 0,5mm constau in taierea mecanica, eroziunea chimica sau electrochimica. Materialele ceramice pot fi de asemenea subtiate prin utilizarea bombardamentului ionic.
In final, probele cu grosime redusa trebuie sa fie aduse la “transparenta electronica” printr-un proces controlat de polizare electrolitica. Electropolizarea se efectueaza prin doua tehnici standard: metoda ferestrei si metoda Bollmann.
In prima metoda, proba acoperita cu un lac protector in zona marginilor, pentru a preveni un atac chimic excesiv, este suspendata intr-un electrolit. In fata probei, care constituie anodul, se afla catodul confectionat din acelasi material. Aplicand o tensiune si o densitate de curent adecvate, in “fereastra” constituita de zona nelacuita a suprafetei probei se formeaza gauri, pe marginea carora sau intre care se afla portiuni transparente pentru fasciculul electronic, acestea din urma putand fi decupate si studiate in microscop.
In metoda Bollmann, proba de subtiat (anodul) se afla intre doi catozi de otel inoxidabil
ascutiti. Acesti doi electrozi sunt plasati la cca 0,5mm de centrul suprafeti probei. Dupa obtinerea unei perforatii, proba este deplasata astfel incat electrozii sa se afle intre perforatia anteriaoa si marginea cea mai apropiata a probei. Subtierea continua in acelasi regim, pana in momentul in care marginile perforatiei si probei aproape se unesc. Zona foliei cuprinsa intre cele doua margini poate fi taiata si examinata direct in microscop.
Solutiile de electroliti se aleg in functie de natura materialului iar regimul de subtiere electrolitica( tensiune, densitate de curent) este variabil si necesita uneori lucrul la temperature fie scazute, fie ridicate. Un exemplu tipic de electrolit, utilizat pentru subtierea otelurilor inoxidabile, este cel format din 42% H3PO4, 34% H2SO4 si 24% H2O, intr-un regim de polizare caracterizat prin U= 8-9 V, I=9-10A, t=30° -60° C .
Dupa cum s-a mentionat anterior, stratul subtiri metalice sau ceramice pot fi obtinute prin procedee de depunere prin evaporare in vid, prin pulverizare catodica sau cu fascicule ionice, prin depunere electrolitica, sau prin depunere chimica in faza de vapori (CVD). Straturile obtinute de grosimi variabile pot fi mono sau policristaline. Factorii esentiali pentru controlul dimensiunii grauntilor, orientarea cristalografica si compozia chimica a straturilor depuse sunt: viteza de depunere, temperature suportului, natura chimica a suportului si stratului. In calitate de suport se utilizeaza curent halogenuri alcaline, carburi, sticla, mase plastice, etc.
Analize: Structura, defecte structurale, cristalografie, compoziţia chimică,
legaturi chimice, proprietăţi.
Artefacte:
În cazurile în care electrolitul nu este adecvat sau în cazul în care
condiţiile de lustruire nu sunt îndeplinite pe suprafata probei pot sa apara
produsi rezultati in timpul dizolvarii (oxid, sulf, etc). În cazul în care acest
artefact afecteaza analiza sau observatiile, filmul subtire de pe suprafata
probei poate fi eliminat prin curăţare in plasma sau prin curatare chimica.
Subtiere prin polizare electro-chimica cu dublujet
Presupune taierea mecaniaca, din materialul de investigat, a unui disc cu diametrul de 3mm si subtierea lui prin polizare mecanica pana la o grosime de 0.5 mm.
Subtierea ionica Foloseste o descarcare electrica de cativa kV, care genereaza si focalizeaza ioni de Ar+ pe suprafata probei pentru a distruge reteaua cristalina si a expulza atomii de pe superficiali.
Artefacte:
- Se obtine o suprafata rugoasa;
- De poata crea un strat amorf pe ambele suprafete;
- Implantare ioni;
- Crearea de dislocatii;
- Modificarea stoechiometriei;
- Rate de subtiere diferite pe compuşi sau faze diferite;
- Încălzire.
Observaţii: - defecte cristaline
- defecte liniare (dislocatii...)
- defecte bidimensionale (macle...)
- Studiul structurii şi a interfeţelor intercristaline (interfazice)
- Particule de precipitate.etc
Pregatirea probelor prin tehnica FIB
http://www.youtube.com/watch?v=8cVz4Z1Op-w
Penru TEM exiata anumite cerinţe critice şi restricţii privind pregătirea
probelor: • Precizia de o obtine o folie dintr-o anumita zona
• grosimea folieie;
• viteză de pregătirea;
• cantitatea de material amorf aparut in procesul de FIB;
• Eliminarea procedurilor de montarea pe grila TEM;
• Instrumente pentru procesare.
Mayer et al. 2007. TEM Sample Preparation and FIB Induced Damage. MRS Bulletin 07 V32 .
Noile instrumente rezolva majoritatea restrictiilor si cerintelor privind pregatirea probelor pentru TEM si HRTEM (vezi http://wiki.fei.com).
Timpul de preparare, cu un instrument FIB complet automatizat poate fi redus pana la 4 lamele pe ora.
O serie de artefacte au fost observate în probele TEM pregătite de FIB. Acestea includ variaţii
locale în grosime a probei, paralel cu direcţia fasciculului de ioni ca rezultat al diferenţelor în ratele de
pulverizare între fazele din probele eterogene (Brown, 1986). In unele materiale fascicul de ioni creează pe
fiecare suprafaţă un strat amorf. Straturile amorfe au fost observate, în mai multe studii efectuate pe siliciu. Pentru o energie a fasciculului de 30 keV aceste straturi sunt, de obicei, de circa 20-30 nm
în grosimea. Reducerea energie fasciculului de ioni de la 30 keV la 6 sau 10 keV reduce grosimea straturilor amorfe de aproximativ de doua ori. (Walker & Broom, 1997;. Jamison et al, 2000).
De asemenea, ioni de galiu pot să rămână implantati în probă. Concentraţiile reziduale de galiu pot
afecta microanaliza chimica efectuata pe astfel de probe.
Un alt artefact important indus de FIB, în special în probele eterogene chimic, este redepunerea sau, mai grav, o combinatie intre amorfizare si depunere.
Artefacte/Probleme Consecinte
Grosimi variabile -suprafata variabila pentru mspping(EP, IT,C, CD)
-arie limitata pentru EELS, XSDS
-densitate de defecte distorsionata
Grosime uniforma -Iinfoi limitate pentru difractie(UM)
-info limitate asupra microstructurii
-dificultati la manevrare(UM)
Suprafete de filme -reziduuri din baie, disolutii si/sau redepuneri;(EP)
-aparitia oxizilor; ;(EP)
-topografie neregulata;
-acumularea de defecte de iradiere;
-retentie de particule din matrice;
-formsrea de Cu2O din grila
-amorfizare prin iradiere cu ioni; ulei din DP.
Subtiere diferentiala -faze diferite au rate de subtiere diferite;
-orientari diferite au rate de subtiere diferite;
-crestere diferita a grauntilor/fazelor diferita;
- atac anodic a particulelor/matricei
Selectivitate -perforatii influentate de defecte structurale locale(EP,IT);
-informatii structurale limitate;(C,R)
- regiunile slabe sa se desprinda.
Defecte “false” -microstroctura mascata de defecte cu mare densitate (Um,CD);
-defecte induse de deformatii;(EP,TP)
- defecte induse de catre ioni (micropori)(IT);
-defecte structurale induse termic(EP,IT).
35
Atomic resolution images of C-single wall nano-tubes with CuI filling @ 300kV shows beam
damage after ~1-2min in the e-beam
Fresh area same area after 1min in e-beam
5 n m5 n m
Images : B.Freitag, sample : Prof Kiselev, Moscow, Russia
5 n m
Damaged tubes
The Need for High Tension Flexibility for sensitive materials
Liniile din imsgine provin de la oprirea rotirii probei in timpul subtierii rotire cu fascicul de ioni
Aparitia unei structuri nanocristaline in GaAs in timpol iradierii cu fascicul de ioni
Redepuneri formate in timpul subtierii ionice la unghiuri mici.
Picaturi de fosfat de In formate in timpul subtierii ionice cu doua fascicule.
Artefacte sferice in aliaj Ni-Fe-Al formate in timpul polizarii electrolitice
Redepuneri de Cu provenite de la suportu de proba
TEHNICI DE MICROSCOPIE ELECTRONICA
Protocol pentru preparaea probelor
(fixare, spalare, deshidratare, includere)
TAMPON CACODILAT 0,2 M
10,7g cacodilat de Na
250 ml apa distilata
0,5g clorura de Ca
pH 7.2-7.4
TAMPON PENTRU PREFIXARE 0,1 M
12,5 ml tampon cacodilat 0,2 M
12,5 ml apa distilata
2 ml glutaraldehita
TAMPON PENTRU SPALARE 0,1 M
50 ml tampon cacodilat 0,2 M
50 ml apa distilata
1,8 g zaharoza
SOLUTIE DE OSMIU (OsO4)
4% osmiu in apa distilata
TAMPON PENTRU OSMIU
25 cacodilat o,2 M
2,13 zaharoza
SOLUTIE OSMIU PENTRU FIXARE
2 ml osmiu 4%
2 ml tampon 0,2 M pt osmiu,
SOLUTIA A:
EPON 812 62 ml
DOSA 100 ml
SOLUTIA B:
EPON 812 100 ml
MNA 89 ml.
1. Fragmente foarte mici de material biologic se pun intr-o solutie tampon
0,1 M cu glutaraldehida. Se tin 2 ore (sau peste noapte) la rece ( 4oC ).
2. Se spala cu solutie tampon 0,1 pentru spalare (cu zaharoza) in 3 bai:
prima baie ½ ora;
a doua baie peste noapte;
a treia baie ½ ora in a doua zi.
3. Probele se introduc in solutia de tatraoxid de osmiu pentru fixarea propiuzisa timp de 2 ore la rece.
4. Se spala in 3 bai timp de 10 minute in solutia tampon 0,1(cu zaharoza).
5. Dehidratarea se face in bai succesive astfel:
in alcool de 700 , 2 bai a 15 minute;
in alcool de 960 , 2 bai a cate 30 minute;
- in alcool de 1000, 3 bai a cate 20 minute.
6. Se introduc in: alcool si propilen oxid (1:1) 2 bai a cate 15 minute;
propilen oxid 2 bai a cate 15.
Intre timp se pregateste amestecul incluzionant ( C ) prin amestecere prelugita pana la disparitia bulelor:
Solutia C:
4 ml solutie A; 6 ml solutie A; 0,15 ml accelerator.
7. Piesele se introduc intr-o solutie de 1:1 de propilen oxid cu solutie C si se
tin in exicator pana a doua zi.
8. Se prepara un nou amestec incluzionant in care se vor intruduce peisele, in doua etape succesive de cate 1 ora.
9. Dupa aceste etape se va efectua includerea definitiva in capsule si se lasa la temperatura camerei pana a doua zi cand se vor plasa intr-un termostat, la temperatura de 600 C, timp de 3 zile.
Fixare
Dehidratare
Inglobare (incluzionare)
Taiere sectiunilor subtiri
Colorarea
TEM
Aldehide: Lentă (secunde, minute). Modificări conformaţionale de proteine
Modificarea a permeabilităţii membranei. Efectele osmotice duce la modificări
dimensionale. Pierderea prin difuzie de ioni si molecule mici. Mascare de antigeni.
OsO4: Depolimerizare de proteine.
Contractare
Modificări conformaţionale de proteine
Pierderea de lipide
Efecte mecanice
Pierderea de Lipidele
Contractie în timpul polimerizarii
Compresiuni,
Urme de la cutitul de taiere
top related