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Amplificadores Diferenciales
(2a parte)
Dr. José Ernesto Rayas Sánchez
Algunas de las figuras de esta presentación fueron tomadas de la página de internet de los autores del texto:
A.S. Sedra and K.C. Smith, Microelectronic Circuits. New York, NY: Oxford University Press, 1998.
2Dr. J.E. Rayas Sánchez
Amplificadores Diferenciales
! Introducción √! Par diferencial BJT √! Operación en señal pequeña del amplificador diferencial
BJT √! Polarización en C.I.! Amplificador diferencial con carga activa! Par diferencial JFET! Amplificadores diferenciales MOS
3Dr. J.E. Rayas Sánchez
Polarización en Circuitos Integrados (CIs)
! Los circuitos de polarización con muchas resistencias ycapacitores son inadecuados para CIs
! Es mucho más fácil fabricar transistores que resistencias ycapacitores en un CI
! Las características internas de los transistores en un CI pueden igualarse sin dificultad.
4Dr. J.E. Rayas Sánchez
Transistor Conectado como Diodo
i
v TVvS eIi /
α= v
i
5Dr. J.E. Rayas Sánchez
Espejo de Corriente con BJTs
Q1 Q2
IO
IR
VO
T
BEV
V
SR eII η= T
BEV
V
SO eII η=
RO II =
6Dr. J.E. Rayas Sánchez
Fuente de Corriente con BJTs
RO II =
Q1 Q2
IOIR
VO
RR
VR
R
BERR R
VVI −=
7Dr. J.E. Rayas Sánchez
Generadores de Fuentes de Corriente
RVVVVI BEEBEECC
REF21 −−+=
REFII ≈1
REFII ≈2
REFII 23 ≈
REFII 34 ≈
8Dr. J.E. Rayas Sánchez
Espejo de Corriente – Efecto de la β
TBE VvSE eII /
α=
12
1 ++
+=
βββ EE
REFIII
EREF II12
++=
ββ
βββ
/211
2 +=
+=
REF
O
II
9Dr. J.E. Rayas Sánchez
Espejo de Corriente con Amplificación de β
2)1(2
1 ++
+=
βββ EE
REFIII
22 /211
)/(211
βββ +≈
++=
REF
O
II
TBE VvSE eII /
α=
10Dr. J.E. Rayas Sánchez
Espejo de Corriente tipo Widlar
RE
Q1 Q2
IO
IR 021 =−− EOBEBE RIVV
0lnln =−− EOS
OT
S
RT RI
IIV
IIV
EOO
RT RI
IIV =ln
11Dr. J.E. Rayas Sánchez
Efecto Early (repaso)
12Dr. J.E. Rayas Sánchez
Efecto Early (cont.)
13Dr. J.E. Rayas Sánchez
Modelando el Efecto Early
NPN PNP
+=
A
ECVvSC V
VeIi TEB 1/
+=
A
CEVvSC V
VeIi TBE 1/
VA Voltaje Early
14Dr. J.E. Rayas Sánchez
Efectos del Voltaje Early en el Espejo
+=
A
OVV
SO VVeII T
BE
1η
+=
A
BEVV
SR VVeII T
BE
1η
Q1 Q2
IO
IR
VO
A
O
A
BE
A
O
R
O
VV
VVVV
II +≈
+
+= 1
1
1
15Dr. J.E. Rayas Sánchez
Problema
Q1 Q2
IO
IR
VO
Suponiendo β = 70, VA = 50 V,VO = 10 V, e IR = 100 µA, calcular IO
16Dr. J.E. Rayas Sánchez
Ejemplo (Prob. 6.45 del texto)
Suponiendo β = 100 y VA = 100 V, a) Demostrar que este circuito
modela la salida del espejo para VO≥ 0.7V (la región activa de Q2):
b) Encontrar IO para IR = 100µA y VO= i) 1V, ii) 5V, iii) 15V
1
Q1 Q2
IO
IR
VO
R
A
IV≈ro
o
R
rI 7.0
/2−
+ β
17Dr. J.E. Rayas Sánchez
Otra Solución al Prob. 6.45
Suponiendo β = 100 y VA = 100 V, a) Demostrar que este circuito
modela la salida del espejo para VO≥ 0.7V (la región activa de Q2):
b) Encontrar IO para IR = 100µA y VO= i) 1V, ii) 5V, iii) 15V
Q1 Q2
IO
IR
VO
R
A
IV≈roβ/21
)/7.0(+− oR rI
18Dr. J.E. Rayas Sánchez
Una Solución Más Exacta al Prob. 6.45
Suponiendo β = 100 y VA = 100 V, a) Demostrar que este circuito
modela la salida del espejo para VO≥ 0.7V (la región activa de Q2):
b) Encontrar IO para IR = 100µA y VO= i) 1V, ii) 5V, iii) 15V
Q1 Q2
IO
IR
VO
++
+
+
+
=
ββ11111
1
A
O
A
BE
A
OR
O
VV
VV
VVI
I
VO
IO
19Dr. J.E. Rayas Sánchez
Ejercicios de Tarea
! Estudiar ejemplo 6.3! Resolver problemas 6.39, 6.40, 6.42, 6.43, y 6.46 del
libro de texto
20Dr. J.E. Rayas Sánchez
Amp. Dif. BJT con Carga Resistiva
vC1 vC2
VCC
VEE
RCRC
iE2iE1vd
RE
Suponiendo una β grande para Q1y Q2, y si Vcc = 15V, Rc = 10KΩ, RE = 5KΩ, y VEE = -5.7V, calcular Ad
mA1K5
7.57.021 =+−==+ Iii EE
102.025mV
mA5.0 −Ω==mg
200)K10)(02.0( −=−=dA
21Dr. J.E. Rayas Sánchez
Modelo del BJT en Señal Pequeña (repaso)
rπgmvπ rοvπ
B C
E
T
Cm V
Ig =
mgr βπ =
C
Ao I
Vr =
VA: Voltaje Early
22Dr. J.E. Rayas Sánchez
Amp. Dif. BJT con Carga Activa
0=OI
dmo vgi =
odmo Rvgv =
2|| 42
oooo
rrrR ==
T
Aom
d
o
VVrg
vv
221 ==
23Dr. J.E. Rayas Sánchez
Problema
vo
VCC
VEE
vd
RE
Suponiendo β = 150 y VA = 100V para los transistores, y si Vcc = 15V, RE = 5KΩ, y VEE = -5.7V, calcular Ad
24Dr. J.E. Rayas Sánchez
Ejercicios de Tarea
! Resolver problemas 6.71, y 6.73 del libro de texto
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