el transistor de uniunión(ujt)

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electronica de potencia , precentacion en power point del El transistor de uniunión(UJT)

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El transistor de uniunin (UJT)

El transistor de uniunin(UJT)

es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN

Eltransistor uniunines un tipo detiristorque contiene doszonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1 Y B2, en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro, standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco.

Construccin

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican comoB1 Y B2 yrespectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est fuertemente contaminadoaplicaciones estas son unas cuantas de sus aplicaciones . como oscilador, en circuitos de disparo, generadores de diente de sierra , control de fase circuitos temporizadores, redes biestables, y alimentaciones regulas de voltaje o corrienteComo se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y elvoltajeal que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

Donde:- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)- VB2B1= Voltaje entre las dos basesLa frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Dos ejemplos sencillos con el transistor UJT

Ejemplo 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.Cul es el voltaje de disparo aproximado?Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 VoltiosEjemplo 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado?Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.Notas:formula Voltaje de disparo Vp = 0.7 + n x VB2B1- Un dato adicional que nos da el fabricante es lacorrientenecesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.- Es importante hacer notar que tambin se ha construido elUJTdonde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs