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LAB. ELECTRONICA INDUSTRIAL TECSUP

INDICE:

I. INTRODUCCIÓN:......................................................................................................................2

II. OBJETIVO GENERAL:..............................................................................................................3

III. OBJETIVOS ESPECIFICOS:..................................................................................................3

IV. MARCO TEORICO.................................................................................................................3

V. EQUIPOS Y MATERIALES:......................................................................................................4

VI. PROCEDIMIENTO:...............................................................................................................5

A. . RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO..................................................................5

B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR...........................................................................7

C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES:..........................................................................9

D. TIRISTOR N°2....................................................................................................................11

E. TIRISTOR N°3....................................................................................................................13

F. PRUEBA DE TRANSISTORES............................................................................................15

V. CONCLUSIONES......................................................................................................................17

VI. OBERVACIONES.................................................................................................................17

VII. ANEXOS:..............................................................................................................................18

MECÁNICA ELÉCTRICA V Página 1


I. INTRODUCCIÓN:

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.



II. OBJETIVO GENERAL: Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de semiconductores

de potencia, identificando sus características y limitaciones.III. OBJETIVOS ESPECIFICOS:

Identificar los tipos más usados de tiristores. Realizar pruebas de funcionamiento de cada uno de los tiristores a identificar. Probar su funcionamiento. Establecer diferencia de comportamiento uno del otro. Aplicar las normas de seguridad en el laboratorio.

IV. MARCO TEORICO.El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de los interruptores mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio básico puede observarse también en el diodo Shockley.

El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un pulso momentáneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en inglés, GATE) cuando hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es mayor que en el cátodo. Solo puede ser apagado con la interrupción de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima, provocándose la destrucción del elemento (por avalancha en la unión).

Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el ánodo, y además debe haber una pequeña corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el ánodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejaría de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar así la tensión necesaria entre ánodo y cátodo para la transición OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensión entre ánodo y cátodo dependen directamente de la tensión de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG



(Intensidad de puerta), tanto menor será la tensión ánodo-cátodo necesaria para que el tiristor conduzca.

También se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensión ánodo-cátodo es mayor que la tensión de bloqueo.

V. EQUIPOS Y MATERIALES:

Cantidad Descripción Observaciones01 Multímetro digital Fruke Verificar la carga de la batería02 Cables del multímetro Probar continuidad01 Protoboard01 Diodo A1A2201 Tiristor SKT 4001 Mosfet IRF320501 Transistor IRG4PSC71UD01 Transistor 2N3055

Tabla 1: Equipos y materiales


Ilustración 1: Mult. Fluke Ilustración 2: Protoboard Ilustración 3: Cables de Mult.

Ilustración 4: SKT 40

Ilustración 5: IRG4PSC71UD Ilustración 6: 2N3055 Ilustración 7: IRF3205 Ilustración 8: A1A22


VI. PROCEDIMIENTO:

A. . RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO

Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Código Eléctrico de identificación:

Símbolo:

Realice la búsqueda en la hoja de datos de la siguiente información (Use el manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor).

Parámetro Abreviación Valor

Voltaje Pico inverso repetitivo: VRSM 1000v

Voltaje pico inverso no repetitivo: VRRN 1000v

Corriente Directa Media: IFAV 22A

Corriente Directa Eficaz: IRMS 43A

Corriente Instantánea no Repetitiva: IFSM 0.35A

Tabla 2

De la información dada por el fabricante en la hoja de datos realice la diagramación de la forma física del dispositivo e identifique sus terminales.

OJO: ESTE APARTADO SE ENCUENTRA EN LA PARTE DE ANEXOS


A1A22

A K


Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multímetro.

Lectura del multímetro:


Ilustración 9

OL


Lectura del multímetro:

Marque el estado del dispositivo:

Operativo Inoperativo

Conclusiones y Observaciones: Conclusiones:

El dispositivo electrónico se encuentra en perfectas condiciones ya que sus resultados experimentales y teóricos tienen concordancia, existe una diferencia de milésimas pero eso es despreciable ya que en esa diferencia existen varios factores externos que pueden afectar al resultado, uno de esos factores puede ser el componente de medición (multímetro).

Observaciones: Asegurarse que el multímetro esté en perfectas

condiciones y que esté en la opción correcta para medir dispositivos electrónicos.

Utilizar el protoboard para que los resultados sean los correctos.

B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR

Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:



0.425 V dc

Ilustración 10

Ilustración 11


Símbolo:

Realice la búsqueda en la hoja de datos de la siguiente información (Use el manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):


Voltaje Pico inverso repetitivo: VRRM 500v

Voltaje pico inverso no repetitivo: VRSN 900v

Corriente Directa Media: ITAV 28A

Corriente Directa Eficaz: IRMS 38A

Corriente Instantánea no Repetitiva: ISM 700A



Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multímetro Digital.


SKT 40


Cable Rojo delMultímetro

Cable Negro delM

Valor Medido (V)

A K OL

K A OL

A G OL

G A OL

K G 0.041

G K 0.041

Tabla 3

Marque el estado del dispositivo:

Operativo: In operativo:


A partir de tabla 3, se llega a la conclusión que el dispositivo electrónico SKT 40 se encuentra en óptimas condiciones para ser utilizado ya que cuando tomamos la medida de Cátodo con el cable rojo del multímetro y el Gate con el cable negro, arroja un valor 0.039 y dicho valor es muy cercano al que el fabricante indica en la tabla.

Observaciones: Es preferible utilizar el protoboard para evitar que las

pinzas del milímetro nos jueguen una mala pasada. Tener en cuenta la secuencia de medida, para evitar medir

doble ves en un mismo lado del dispositivo electrónico. Asegurarnos que el multímetro tenga la batería lo

suficientemente cargada.

C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES:

Para el dispositivo usado anote los siguientes datos Tipo de Transistor:



Ilustración 12

NPN


Símbolo:



IRF3205

Tabla 4


Voltaje Máximo C-E: VCEO 60v

Voltaje Máximo C-B:VCBO 100v

Ic Máximo:IC 15 A

Potencia de Disipación:PTOT 115 w

Beta o hfe:HFE 70 A

Frecuencia de Operación:FT 3 Mhz



OJO: ESTE APARTADO SE ENCUENTRA EN LA PARTE DE ANEXOS Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multímetro Digital.

Marque el estado del

Operativo: Inoperativo:


El dispositivo está en perfectas condiciones, aunque los valores que nos dan como referencia no sean los mismos con los datos obtenidos, pero la diferencia son por milésimas

Observaciones: Con este dispositivo tuvimos un poco de dificultad al

reconocer sus partes.


Ilustración 13

Tabla 5


Cable Negro delM

Valor Medido (V)

C E OLE C OL

C B OL

E B OL

B E 0.59

B C 0.59


D. TIRISTOR N°2Para el dispositivo usado anote los siguientes datos Tipo de Transistor:


Símbolo:





IRG4PSC71UD

Tabla 6


Voltaje Máximo C-E: VCES 600v

Voltaje Máximo C-B: VGE6 v

Ic Máximo a 25ºC : IC85 A

Potencia de Disipación: PD350 w

Voltaje C-E ( On ) : RCS

0.24 c/w


Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multímetro.


Cable Negro delM

Valor Medido (V)

D S OL

S D 0.121

D G OL

G D 0.122

G S OL

S G OLTabla 7




Observaciones:


Ilustración 14


E. TIRISTOR N°3Para el dispositivo usado anote los siguientes datos Tipo de Transistor:


Símbolo:



OJO: ESTE APARTADO SE ENCUENTRA EN LA PARTE DE ANEXOS Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multímetro.


PNP

IRF3205

Tabla 8


Voltaje Máximo C-E: VCES 600v

Voltaje Máximo C-B: VGE6 v

Ic Máximo : IC85 A

Potencia de Disipación: PD350 w

Voltaje C-E ( On ) : RCS

0.24 c/w



Cable Negro delM

Valor Medido (V)

C E OLE C 0.35

C G OL

G C OL

G E OL

E G OLTabla 9




Observaciones:


Ilustración 15


F. PRUEBA DE TRANSISTORES.

PARA : IFR3205.a) Implementar el circuito usando el software de Multisim.

b) COMPLETAR LA TABLA - RESULTADOS OBTENIDOS DEL SOFTWARE.

VOLTAJE B VOLTAJE A15 V 1.168 V12 V 1.285 V10 V 1.387 V8 V 1.707 V6 V 6.46 V4 V 15 V2 V 15 V1 V 15 V

0.5 V 15 V0 V 15 V


A

B


PARA : IRG4PC30U.c) IMPLEMENTAR EL CIRCUITO.

d) COMPLETAR LA TABLA - RESULTADOS OBTENIDOS DEL SOFTWARE.

VOLTAJE B VOLTAJE A15 V 6.54 mV12 V 6.87 mV10 V 7.153 mV8 V 9.919 mv6 V 10.211 mv4 V 14.83 mV2 V 15 V1 V 15 V

0.5 V 15 V0 V 15 V


A

B


V. CONCLUSIONES.

Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su aspecto físico, su

estructura básica y las simbologías utilizadas, pudiendo concluir que todos son

distintos y que por necesidades del hombre, se fueron ideando nuevas formas

o nuevos tipos de transistores.

Se pudo concluir la teoría que fue dada en el salón de clase, sobre, que al

corriente del colector en un npn o un pnp, es al misma en el emisor.

Gracias al software de multisim, se logra simular el circuito, comprobando así

la teoría.

VI. OBERVACIONES.

reconocer el ánodo y cátodo antes de la conexión, estos nos ayuda a evitar

errores y perdida de material.

siempre consultar al docente a cargo, para tener seguro nuestro trabajo.

reconocer y aprender las abreviaturas para cada elemento (transistor).



VII. ANEXOS:


Ilustración 16



Ilustración 19

Ilustración 20

lab-1-1

Documents

pequea corriente

corriente suministrada

corriente de sostenimiento

corriente de puerta

tensin de puerta

corriente de enganche

pulso momentneo de corriente

tensin positiva