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複雑な特性評価を簡単に
a g r e at e r m e a s u r e o f c o n f i d e n c e
4200-SCS型半導体特性評価システム
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■ 材料/デバイスの研究
■ デバイス/プロセスの開発
■ デバイスのモデリング
■ 信頼性/寿命試験
■ 不良解析
CMOS半導体技術など
■ ハイパワーMOSFET、BJT、III-V族デバイスの特性評価
■ ナノテクノロジ/MEMSの研究
■ 最新の不揮発性メモリのテスト
■ 有機エレクトロニクスの特性評価
■ 太陽電池/光起電デバイスの特性評価
材 料 / デ バ イ ス の 研 究 ・ デ バ イ ス / プ ロ セ ス の 開 発 デ バ イ ス の モ デ リ ン グ ・ 信 頼 性 / 寿 命 試 験 ・ 不 良 解 析
半導体デバイス特性評価の総合ソリューション4200-SCS型
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4200-SCS型の詳細については、当社ウェブ・サイト(www.keithley.jp)からデータ・ブックをダウンロードしてご覧ください。
材 料 / デ バ イ ス の 研 究 ・ デ バ イ ス / プ ロ セ ス の 開 発 デ バ イ ス の モ デ リ ン グ ・ 信 頼 性 / 寿 命 試 験 ・ 不 良 解 析
半導体デバイス特性評価の総合ソリューション
DCのI-V、C-V、パルス、超速I-Vテストを 1つの環境で実行 �デバイス、材料、プロセスの特性評価で
必要なすべてを装備
使い慣れたMicrosoft Windows®インタフェース �ワンボックス・ソリューション -
トレーニング不要
ワンクリックによる簡単なテスト・シーケンス 複雑なプログラムは不要
拡張性のあるソリューション �テスト・ニーズの変化に合わせて
新機能をプラグイン可能
ロー・ノイズ、ワイド・ダイナミック・レンジ、高分解能 � もっと詳細に、迅速に
コスト効率の良いハードウェア/ソフトウェアの アップグレードが可能 � モジュラ構造により設備投資を守る
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テスト・ニーズに対応した特性評価環境■ 柔軟性に優れたテスト環境とモジュラ構造により、1台でさまざまな材料、デバイス、プロセスの特性評価が可能■ 不慣れなユーザであっても、プログラムの介助なしにローコスト、早期なROI(投資収益)でただちにテストを実行可能■ 柔軟性に優れたユーザ・インタフェースにより、マウス・クリックですばやくパラメータ、デバイスを変更可能■ DC I-Vテストのように設定、実行が容易なC-Vテスト。豊富なサンプル・プログラム、テスト・ライブラリ、
特性パラメータ解析サンプルを付属し、高電圧のC-V、超低周波数C-V、差動DCバイアス、準静的C-V測定をサポート
■ 広いダイナミック・レンジで超速I-V測定が行えるため、デバイスの自己発熱、チャージトラップによる影響を抑え、 不揮発性メモリ(NVM)のトランジェント属性を研究したり、NBTI(Negative Bias Temperature Instability)などの デバイス信頼性テストでの性能劣化を防ぐことが可能
■ 高速パルスを印加することで、信頼性サイクルでAC信号を使用したデバイスのストレス・テスト、 またはマルチレベル波形モードでメモリ・デバイスのプログラム/消去が可能
■ テスト設定、データをエクスポートし、.xls、区切りテキスト、.bmp、.jpg、または.tifフォーマットでプロット可能■ さまざまなアプリケーションのための450種類以上のサンプル・テスト、プロジェクトを装備しており、
テストの立上げが簡素化可能
業界標準であるWindowsベースのGUIにより、セットアップ/統合のための時間を短縮
統合された工業用コントローラと追加可能な RAM増設により、高いスループットが可能になり、
システムの堅牢性、安定性、機密性も万全
大容量の内蔵ハードディスクを使用して システムにテスト設定、テスト結果を保存
CD-RWドライブを 統合しており、大容量
でのバックアップ、 データ転送が可能
内蔵のUSBインタ フェースにより、
さまざまなPCアクセサリ と高速な通信が可能
C-V測定の詳細については、当社ウェブ・サイト(www.keithley.jp)からアプリケーション・ノート 「4200半導体パラメータ・アナライザを用いた光起電材料や太陽電池の電気的特性評価 (#3026)」
をダウンロードしてご覧ください。
オールインワン優れた 統合ソリューション
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USBポート
RS-232ポート
最大9台のSMU、オプションの サブフェムトアンペアのリモート・
プリアンプとの組み合わせが 可能。ハイパワーのSMUを接続
してもSMUの数を制限しない
GPIBインタフェースで外部機器や4200-SCS型が制御可能 40.0E–3
30.0E–3
20.0E–3
10.0E–3
0.0E+0
0.0E+0 1.0E+0 2.0E+0 3.0E+0 4.0E+0 5.0E+0
Drain Voltage (V)
ドレイン電流対ドレイン電圧(1E-6のパルス幅)
Dra
in C
urre
nt (
I)
オプションの4225-RPM型リモート・アンプ/スイッチは4225-PMU型の超速I-Vテスト機能を拡張し、電流感度を数十pAまで上げることができます。また、ケーブルによる容量の影響を抑え、4225-PMU型、4210-CVU型、およびシャーシにインストールした他のSMUモジュール間の自動スイッチングがサポートされるため、ケーブルのつなぎ直しの必要なしに、測定に最適な機器が選択できます。当社特許の高性能マルチ測定パフォーマンス・ケーブル・キットを使用すると、4200-SCS型に容易に接続でき、DC I-V、C-V、超速I-Vテストの切り替えがシンプルになり、ケーブルのつなぎ替えが不要になります。
4210-CVU型はシャーシに直接プラグインするために設計された統合機器であるため、SMUのようにシステムのポイント&クリックでの制御が可能
10/100BASE-Tネットワーク・インタフェースを 標準装備、ネットワーク・ファイル、プリンタに
容易に接続可能
リモート・センシング機能付ロー・ノイズ・グランド・ユニット
最大6つのデュアルチャンネル・パルス・ジェネレータが追加でき、複数チャンネルによるパラレルACストレスを使用することで、I-Vパルス・テストからストレス/測定信頼性テストなど、さまざまなパルス・アプリケーションで利用できます。
2チャンネル・モデルの4220-PGU型パルス・ジェネレータは4225-PMU型に電圧ソースのみを供給し、まったく同じパルスを
出力できます
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DC同様の簡単設定超速I-VとC-V測定
Time
Volta
ge
パルスI-VDC特性曲線のようなパルス/測定
トレイン、スイープ、ステップ・モード汎用デバイスの特性評価
トランジェントI-V時間ベースの電流、電圧測定
波形取込みダイナミック・デバイス・テスト
測定ウィンドウ
時間
V1
V2
1 2 3 4 5
Sequence A
V3
V4
サンプル
電圧
Pulsed SourcingMulti-level pulsing
Arbitrary waveform generatorAC stress testing with measure
Sequence A Definition Segment Start V Stop V Duration 1 V1 V2 T1 2 V2 V2 T2 3 V2 V3 T3 4 V3 V3 T4 5 V3 V4 T5
4225-PMU型超速I-Vモジュールは2チャンネルのソース/測定機能を統合しており、デバイスの自己発熱、不揮発性メモリのパルス・ソース、トランジェント解析、NBTIなどの超高速信頼性テストなど、さまざまな測定に対応します。それぞれのチャンネルは、高速の電圧ソースと、最高200MS/sのサンプル・レート、60nsからDCまでのパルス幅の電流/電圧の同時測定を組み合せます。複数台のモジュールがインストールされると、内部で3ns未満の同期がとれます。超低電流パルスが必要な場合は、4225-PMU型に4225-RPM型リモート・アンプ/スイッチを拡張することで任意のチャンネルの電流測定レンジを3種類追加できます。また、システム・シャーシにインストールされた精密DC SMU、4210-CVU型、または超速I-Vモジュールを自動的にスイッチングすることができます。
当社のアプリケーション・ガイドをダウンロード:超速I-Vアプリケーション(4225-PMU)
4220-PGU型デュアルチャンネル・パルス・ジェネレータを使用すると、最大40V、最小20ns幅のデュアル・パルス機能が実現できます。4220-PGU型、4225-PMU型に、リニア、任意波形(ARB)、セグメントARB(特許出願中)によるスイープ機能が追加されます。 パルスI-V(上図、DC:青、パルス:赤)とトランジェントI-V(下図)
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豊富なC-V測定機能
4200-SCS型は、準静的、高電圧、超低周波のC-V測定用に構成することができます。豊富なサンプル・プログラム、テスト・ライブラリ、特性パラメータ解析サンプルなどを付属しており、I-V測定と同じような手軽さでC-V測定が行えます。
オプションの4210-CVU型C-Vメータは、シャーシに直接プラグインすることにより、1kHz~10MHzの周波数でフェムトファラッド(fF)からマイクロファラッド(μF)までの容量が測定できます。リニアまたはカスタムのC-V、C-f、C-tのスイープを、最大4096のデータ・ポイントですばやく設定します。診断ツールを内蔵しており、DUTのオープン/ショートの修正/接続が確認でき、読み値をリアルタイムで表示します。
LDMOSのアーキテクチャ、低誘電率(Low-k)、MEMSデバイス、有機TFTディスプレイ、フォトダイオードの特性評価では、オプションのC-Vパワー・パッケージにより最大±200Vまたは400V差動のDC電圧バイアス、最大300mAの電流出力が可能になります。ソフトウェアは、高電圧のC-Vスイープ、または一定のDC電圧での容量測定をサポートします。
低周波数C-V(VLF C-V)モジュールは、システムのDC SMUと低電流リモート・プリアンプの超低電流測定機能を利用します。ハードウェアの追加なしに、10mHzから10HzまでのACインピーダンスが測定できます。MOSデバイスのアプリケーション、有機LED(OLED)、有機FET(OFET)、有機太陽電池セル(OPVC)、薄膜トランジスタ(TFT)、マイクロマシン・システム(MEMS)などの有機エレクトロニクスの最新技術に最適です。
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デバイス/材料の特性評価と 解析をシンプルに
直感的な インタフェース
直感的なポイント&クリックのインタフェースにより、450種類以上のサンプル・ライブラリでテストを設定
スクリーン上のRunボタンをクリックするだけでテストが実行でき、結果はリアルタイムに表示される
データはExcelのワークシートまたはASCIIフォーマットでエクスポートでき、BMP、JPG、またはTIFフォーマットでプロットしてオンラインまたはオフラインで解析可能。フォーミュレータ、グラフ、計算シート機能を内蔵しており、複雑な解析も簡単に実行可能
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プログラム・コード作成不要な テスト・シーケンスの自動化
プロジェクト・ナビゲータはテストを体系化し、そのシーケンスを制御します。さまざまなテスト・セットアップの切り替え、テスト結果へのアクセスは高速であり、シンプルです。一つのデバイスでシーケンス・テストを実行するには、ナビゲータでデバイスをクリックし、Runボタンをクリックするだけです。
Keithley Interactive Test Environment(KITE)は、デバイスの振る舞いをすばやく理解できるように設計されています。テスト・シーケンスを実行すると、シーケンスが実行中であっても
テスト結果を確認し、プロットすることができます。複数のプロットは同時に表示できるため、デバイス性能を詳細に理解することができます。
C言語テスト・ライブラリで4200-SCS型の機能を拡張KITEのユーザ・テスト・モジュール(UTM)機能により、ユーザによって書かれたC++コードによる最新のテスト・アルゴリズムが利用できます。このモジュールは、C言語のサブルーチンのために、空欄を埋める形式のインタフェースを採用しています。テスト結果の収集、解析、レポートは、一つのアプリケーションに統合されています。UTMは、データをリアルタイムで観測し、グラフにすることでテストの状況をモニタします。ケースレーのユーザ・ライブラリ・ツール(KULT)とオプションの4200-COMPILERを組み合わせることにより、このサブルーチンを簡単にテスト・シーケンスに統合することができます。UTMにもGUIインタフェースがあり、テスト・セットアップが容易に行えます。
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すばやく、コスト効率良くシステム機能の
拡張性
ナノテクノロジ・アプリケーションの研究
4200-SCS型にはサンプル・プロジェクトとサンプル・テストが含まれており、ナノテクノロジの研究/開発ソフトウェア・アプリケーションに必要な機能が提供されます。新しいアプリケーションの開発または新しいテスト要件の改良に必要な時間を削減することができるため、カーボン・ナノチューブ、ナノワイヤなどの研究に集中することが できます。4200-SCS型は、IEEE Standard P1650™-2 0 0 5 : I E E E S t a n d a r d T e s t M e t h o d s f o r Measurement of Electrical Properties of Carbon Nanotubesの規格に準拠し、サポートしています。
デバイス寿命を正確かつ経済的に評価
4200-SCS型のKITEに含まれるストレス測定機能は、パッケージ・レベル、ウェーハ・レベルでの信頼性テスト・アプリケーションに最適です。システムのシーケンサはストレ ス 測 定 の 手 順 を 制 御 し、JEDEC準 拠 の サ ン プ ル・ プロジェクトが装備されており、ホット・キャリア注入またはチャンネル・ホット・キャリア、NBTI(Negative Bias Temperature Instability)、ブレークダウン電荷、エレクトロマイグレーションなどの標準WLR試験が行えます。これらのプロジェクトは容易にカスタマイズでき、特定のWLRテスト要求項目に対応できます。
より高度な機能が求められる信頼性テストのアプリケーションでは、オプションの4200-BTI-A超速BTIパッケージが最適であり、広範囲な超速NBTI/PBTIテスト・アプリケーションで必要となる、すべてのハードウェアとソフトウェアを組み合わせます。
■ 高速、低電流測定感度に優れた統合ソリューション
■ フル・プローバ・インテグレーションを含む、複雑なテスト・ シーケンス構築をサポート
■ デバイスの信頼性モデリング、プロセス・モニタリング・ アプリケーションに必要な膨大なデータ・セットの管理が可能
ログ、リニア、カスタム・リストのストレス時間設定、ディケイドごとの測定数、ACまたはDCのストレス、オプションのリカバリ・テスト・シーケンス、テスト・サンプル・レート(速度)など、使い慣れたパラメータを使用してストレス・タイミング、ストレス条件が設定可能
Vgate
Vstress
1µs
Vdrain
Vdrain
Idrain
V
測定タイプ
スポット なだらかなスイープ
三角波 ステップ・スイープ
I
超速BTIテスト・ソフトウェア・モジュールは、スポット、ステップ・スイープ、スムーズ・スイープ、サンプル測定タイプをサポート。各タイプのタイミングは、テスト・サンプル・レートと個々の測定設定によって定義される。また、ソフトウェア・モジュールはテスト・シーケンスにおける各要素間の電圧を制御できるため、複雑なテスト・シーケンスの設定でも容易に設定できます。
詳細については、データ・シートをダウンロードしてご覧ください。 4200-SCS型用4200-BTI-A超速NBTI/PBTIパッケージ
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不揮発性メモリ(NVM)のテスト・ライブラリ
NVMテスト・ライブラリは4200-SCS型の機能を拡張し、すべてのタイプの不揮発性メモリのデバイスと材料のテストが行えます。
■ フラッシュ
■ 相変化メモリ(PRAM、PC-RAM)
■ 強誘電体メモリ(FeRAM)
■ 抵抗変化メモリ(RRAMまたはReRAM)
■ 磁気メモリ(MRAM)
■ その他の不揮発性メモリ
NVMテスト・ライブラリは、4225-PMU型超速I-Vモジュールと4225-RPM型リモート・アンプ/スイッチ・モジュールの高速性能を利用しています。超速パルスの正確な供給と、テストにおけるトランジェント信号の正確な測定をサポートしています。外付けのセンス抵抗、キャパシタ、テスト・ハードウェアの必要なしに、不揮発性メモリ・テストで必要となる代表的なすべての特性評価ルーチンを実行できます。
特性評価でNVMデバイスに高速パルスが供給される場合、高速のトランジェント測定が重要になります。この難しい測定により、テストのSET、RESETステージ実行中およびその後のステージに関する重要な情報が提供されます。4200-SCS型に4225-PMU型と4225-RPM型の両方のモジュールを組み合わせることにより、高速でユーザ定義可能なパルスを供給しながら、広いダイナミック・レンジ、システムの浮遊容量の影響を抑えながら電圧と電流を同時に測定できる、唯一のパラメータ・アナライザとなります。
4225-RPM型モジュールは超速I-Vテストが簡単に設定でき、NVM測定シーケンスに要する時間を大幅に短縮できます。また、システムの超速I-V測定のダイナミック・レンジを拡張し、パルス・ソース測定と正確なDC I-V測定を高速に切り替えることができます。この測定の組み合せは、複数のNVMテスト・シーケンスで重要になります。
さまざまなメモリ・タイプのサンプル・プロジェクトが含まれており、すばやく設定、テストでき、データを解析することが可能。最新のメモリ技術に合わせ、サンプル・プロジェクトを容易に変更できる
相変化メモリ・デバイスのテストにおける抵抗-電流(RI)曲線テストの例
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システムの統合と アップグレードが容易
モジュラ構造
統合スイッチング制御
標準のスイッチ設定により、最適なアプリケーションの検出が簡素化できます。6スロット・モデルの707B型、または1スロット・モデルの708B型スイッチ・マトリクス・メインフレームには、すべてのコンポーネント、ケーブル、4200-SCS型のテスト環境にスイッチ・マトリクス組み込むための手順が含まれて います。スイッチをインストールすると、KCON(Keithley Configuration Utility)の「フィルインザブランク」インタフェースにより、機器の端子と出力ピンを簡単に接続できます。行やカラムを覚えたりプログラムする必要はなく、システム・アプリケーションと標準のユーザ・ライブラリが機器とDUTピンのテスト信号の接続を管理します。GUIにより、スイッチは簡単に接続できます。
■ 低電流(1pA未満)によるスイッチ・マトリクス設定 7072型スイッチ・カードを使用した構成は、オプションのリ
モート・プリアンプの有無にかかわらない、基本的なデバイスの特性評価が行えます。
■ 微小電流(100fA未満)によるスイッチ・マトリクス設定 7174A型スイッチ・カードを使用した構成は、オプションの
リモート・プリアンプを装備したシステムによる高性能デバイス特性評価に適しています。
内蔵ドライバ、GPIBによる外部ハードウェアの制御
パラメータ・アナライザに外部ソースまたは機器、スイッチ・マトリクス、プローバを組込む場合、GPIBアドレスを設定し、GPIBケーブルを接続するだけで4200-SCS型でテストできます。ユーザ・テスト・モジュール(UTM)を使用すると、外部機器のデータをシステムの解析/グラフ・ツールに直接送ることができます。
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ACS統合テスト・システムによる 最新の自動化とシステム統合
ACSは4200-SCS型用のソフトウェア・オプションであり、完全自動プローバによる最新の自動化と、超速BTIなどの最新の信頼性テストが実行できます。ACSを対話形式または自動モードで使用することで、デバイス、ウェーハまたはカセット・レベルでテストできます。ACSは、すべてのケースレーのソースメータ
(SMU)、スイッチング・システム、4200-SCS型、さまざまなGPIB機器をサポートします。また、ケースレーのS530シリーズ・パラメトリック試験システム、S500シリーズ統合試験システムにも適用できます。
ACSはオープン・アーキテクチャを採用しており、操作性を犠牲にすることなく柔軟性の高いプログラミングが行えます。豊富なセミオートおよびフルオート・プローバによる4200-SCS型との統合をサポートしています。ACSは、ウェーハ記述、テスト・セットアップ、対話形式のプローバ制御、自動化、テスト・サマリ・レポート生成などの複雑なシステム機能を簡素化できます。同一のテスト・プラン、環境でセミオートとフルオートが簡単に切り替えられるので、柔軟性のある操作が可能になります。
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主な仕様4200-SCS型
4200-SCS型のコア性能
Intel Core2Duoプロセッサ、2GB RAM、500GB HDD、 1024×768 LCD、9スロット、USB、Ethernet、GPIB、外部モニタ、 測定電力:200W以上
注:仕様の詳細については、4200型のテクニカル・データ・シートをご覧ください。
4210-SMU型ハイパワーSMU(最大21W)
筐体あたりの最大ユニット数 9
電圧レンジ ±210V、 200mV~210Vフルスケールで4レンジ
基本電圧確度 測定:0.01%、印加:0.02%
電圧分解能 0.1μV~100μV
電流レンジ ±1A、100nA~1Aフルスケールで8レンジ
基本電流確度 測定:0.03%、印加:0.04%
電流分解能 0.1pA~100pA
オプションの4200-PA型を 装備した場合
低電流のレンジが5種類増え、 分解能は0.1fAに
ランプ・レート、準静的C-V
必要な機器 SMU 2台
測定パラメータ Cp、DCV、タイムスタンプ
容量レンジ 1pF~400pF
ランプ・レート 0.1V/s~1V/s
DCV ±200V
確度(代表値) 5%(ランプ・レート:1V/s)
4210-CVU型マルチ周波数C-Vユニット
筐体あたりの最大ユニット数 1
測定パラメータ Cp-G、Cp-D、Cs-Rs、Cs-D、R-jX、 Z theta
周波数レンジ 1kHz~10MHz
最小分解能:10kHz、 周波数レンジによっては1MHz
印加周波数確度:±0.1%
測定レンジ 100fF~100μF(代表値、フルスケール)
分解能(代表値) 1aF、1nanoSiemens、0.001°
AC信号 10mV~100mV、プログラマブル
分解能:1mV rms
確度:±(10.0%+1mV rms)、無負荷時 (後部パネルで)
DCバイアス ±30V(HighまたはLow出力のいずれか) (±60V、差動)、最大電流:10mA
DC電圧バイアス・レンジ:±30V
分解能:1.0mV
スイープ特性 利用可能なスイープ・パラメータ: DCバイアス電圧、周波数、AC電圧
オプションの4200-CVU-PWR-PKG型を装備した場合
SMUが±200V(差動では400V)、 最大300mAに
4200-SMU型ミドルパワーSMU(最大2.1W)
筐体あたりの最大ユニット数 9
電圧レンジ ±210V、 200mV~210Vフルスケールで4レンジ
基本電圧確度 測定:0.01%、印加:0.02%
電圧分解能 0.1μV~100μV
電流レンジ ±100mA、 100nA~100mAフルスケールで7レンジ
基本電流確度 測定:0.03%、印加:0.04%
電流分解能 0.1pA~100pA
オプションの4200-PA型を装備した場合
低電流のレンジが5種類増え、 分解能は0.1fAに
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C-Vパワー・パッケージの性能(代表値)
測定パラメータ Cp-Gp、DCV、タイムスタンプ
容量レンジ 1pF~1nF
テスト信号 100kHz~10mHz、10mV~100mV
DC電圧印加 ±200V、分解能:5mV
DC電流 100mAまたは300mA(最大値)
容量確度(代表値、1MHz) 1.0%
DC電流感度 10nA/V
サポートする SMUのバイアス端子数
4
超低周波数C-V(VLF C-V)
筐体あたりの最大ユニット数 2台のSMU(4200-SMU型または4210-SMU型)と2台の4200-PA型プリアンプ。VLF C-V測定では、任意のSMU/PAが 2セットを使用
測定パラメータ CP-GP、Cp-D、Cs-Rs、Cs-D、R-jX、Z-Theta、DCV、タイムスタンプ
周波数レンジ 10mHz~10Hz
測定レンジ 1pF~10nF
分解能(代表値) 3.5桁、最小値:10fF(代表値)
AC信号 10mV~3Vrms
DCバイアス ±20V(High端子、マイナスAC信号、 最大値:1μA)
主なデジタル・オシロスコープの仕様
周波数帯域(50Ω) DC~750MHz(4200-SCP2型) DC~250MHz(4200-SCP2HR型)
チャンネル数 2(BNC)
最高サンプル・レート 1.25GS/s (4200-SCP2型、1チャンネルあたり)
DC~250MHz(4200-SCP2HR型)
2.5GS/s (4200-SCP2型、1チャンネルはインターリーブ)
200MS/s(4200-SCP2HR型)
400MS/s (4200-SCP2HR型、インターリーブ)
オンボード・メモリ・バッファ 最大1MS/チャンネル
4255-PMU型超高速I-Vユニット
筐体あたりの最大ユニット数 6(12チャンネル)
ユニットあたりのチャンネル数 2(独立または同期)
電圧レンジ ±40Vmax(ハイ・インピーダンス)、 10V、40Vの2レンジ
電圧分解能 250μV、750μV
基本電圧測定確度 0.25%
電流レンジ ±800mA、100μA~800mAで4レンジ
基本電流測定確度 0.25%
パルス波形タイミング パルス幅:60ns~999ms、10nsステップ
その他のタイミング・パラメータ: 20ns~999ms、10nsステップで調整可能
コアA/Dコンバータ 2/チャンネル(電流と電圧の同時測定)、 4/ユニット、サンプル・レート:200MS/s、14ビット、1つのA/Dにつき1MSのバッファ
オプションの4225-RPM型 リモート・アンプ/スイッチを装備した場合
100nA、1μA、10μA、1mA の4つの低電流レンジ追加
4225-PMU型、4210-CVU型、 4200-SMU型、4210-SMU型間での 印加/測定の切替
*4220-PGU型パルス・ジェネレータは、4225-PMU型に電圧ソースのみを供給します。
www.keithley.jpテクトロニクス/ケースレーインスツルメンツお客様コールセンターTEL:0120-441-046 電話受付時間/9:00~12:00・13:00~18:00(土・日・祝・弊社休業日を除く) 〒108-6106 東京都港区港南2-15-2 品川インターシティ B棟6階記載内容は予告なく変更することがありますので、あらかじめご了承ください。Copyright © Keithley Instruments. All rights reserved. 記載された製品名はすべて各社の商標あるい登録商標です。
Number 2227 2013年12月
ケースレーの品質を支えるサポート体制
アプリケーション・サポートが必要な場合は、フリー・ダイアル:0120-441-046(9:00~12:00・13:00~18:00)までご連絡ください。
継続したROI(投資回収)に対応するシステムの拡張
2000年に発表して以来、ケースレーは4200-SCS型のハードウェア、ソフトウェア機能を継続的に強化しています。これにより、新しい評価要件に対してもコスト効率に優れたシステム・アップグレードが可能になるため、製品が製造中止になったからといって新しいパラメータ・アナライザを購入する必要はありません。4200-SCS型は変化するお客様のテスト・ニーズに対応しますので、投資を先に延ばすことでROIを改善できます。