sharps s elf-resetting h igh-gain a ctive r adiation p ixel s ensors e.c. anno 2006 (2/3)

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SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005 SHARPS SHARPS S S elf-resetting elf-resetting H H igh-gain igh-gain A A ctive ctive R R adiation adiation P P ixel ixel S S ensors ensors E.C. anno 2006 (2/3) E.C. anno 2006 (2/3) (3) Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione (3) Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione Università di Parma - Italy Università di Parma - Italy (1) Istituto Nazionale di Fisica (1) Istituto Nazionale di Fisica Nucleare Nucleare Sezione di Perugia – Italy Sezione di Perugia – Italy (2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e (2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dell’Informazione dell’Informazione Università degli Studi di Perugia - Italy Università degli Studi di Perugia - Italy

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SHARPS S elf-resetting H igh-gain A ctive R adiation P ixel S ensors E.C. anno 2006 (2/3). (1) Istituto Nazionale di Fisica Nucleare Sezione di Perugia – Italy. (2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dell’Informazione Università degli Studi di Perugia - Italy. - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: SHARPS S elf-resetting  H igh-gain  A ctive  R adiation  P ixel  S ensors E.C. anno 2006 (2/3)

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005

SHARPSSHARPSSSelf-resetting elf-resetting HHigh-gain igh-gain

AActive ctive RRadiation adiation PPixel ixel SSensorsensors

E.C. anno 2006 (2/3)E.C. anno 2006 (2/3)

(3) Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione(3) Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione Università di Parma - ItalyUniversità di Parma - Italy

(1) Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (1) Istituto Nazionale di Fisica Nucleare

Sezione di Perugia – ItalySezione di Perugia – Italy(2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dell’Informazione(2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dell’Informazione

Università degli Studi di Perugia - ItalyUniversità degli Studi di Perugia - Italy

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SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005

• Messa a punto del banco ottico laser.Messa a punto del banco ottico laser.• Caratterizzazione di sorgenti di diversa natura (alfa, beta, Caratterizzazione di sorgenti di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggi-x).gamma, raggi-x).• Test dei sensori RAPS01 in differenti condizioni di Test dei sensori RAPS01 in differenti condizioni di irraggiamento (alfa, gamma, raggi-x).irraggiamento (alfa, gamma, raggi-x).• Caratterizzazione elettrica e funzionale (luce visibile, laser Caratterizzazione elettrica e funzionale (luce visibile, laser IR) dei sensori RAPS02.IR) dei sensori RAPS02.

Risultati raggiunti (2005)Risultati raggiunti (2005)

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SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005

Messa a punto del banco Messa a punto del banco ottico ottico

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SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005

Test RAPS01 Test RAPS01

Risposta a raggi gamma Risposta a raggi gamma (Europio 122 KeV – 1.4 MeV)(Europio 122 KeV – 1.4 MeV) Risposta a raggi xRisposta a raggi x

(E(Emaxmax= 10KeV, i = 25mA)= 10KeV, i = 25mA)

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Test RAPS02 Test RAPS02

0

0.5

1

1.5

Vd,Vl

G1P1G1P0

G1P0large darklight

WIPS-0.01

0

0.01

VdVd

Uniformità di risposta Uniformità di risposta (matrice di test 3x3)(matrice di test 3x3)

Risposta alla luceRisposta alla luce(strutture APS e WIPS)(strutture APS e WIPS)

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• Analisi dei risultati del test del chip RAPS01 con sorgenti Analisi dei risultati del test del chip RAPS01 con sorgenti radioattive di diversa natura (gamma e raggi−x in radioattive di diversa natura (gamma e raggi−x in particolare);particolare);• completamento della caratterizzazione del chip RAPS01;completamento della caratterizzazione del chip RAPS01;• completamento della caratterizzazione elettrica e completamento della caratterizzazione elettrica e funzionale del chip RAPS02, in particolare delle diverse funzionale del chip RAPS02, in particolare delle diverse modalità operative (lettura singolo pixel, full−frame, opzioni modalità operative (lettura singolo pixel, full−frame, opzioni di self reset);di self reset);• caratterizzazione del chip RAPS02 con sorgenti radioattive caratterizzazione del chip RAPS02 con sorgenti radioattive di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggi−x).di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggi−x).• caratterizzazione della resistenza alla radiazione dei chip caratterizzazione della resistenza alla radiazione dei chip RAPS01 e RAPS02. RAPS01 e RAPS02.

Attività prevista (2005)Attività prevista (2005)

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SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005

Identificazione e definizione completa delle specifiche dei Identificazione e definizione completa delle specifiche dei sensori prototipo già disponibili.sensori prototipo già disponibili.Definizione dell'ambito applicativo e delle specifiche di un Definizione dell'ambito applicativo e delle specifiche di un nuovo sensore CMOS VLSI (SHARPS01):nuovo sensore CMOS VLSI (SHARPS01):− − pianificazione e progetto dei pixel attivi;pianificazione e progetto dei pixel attivi;− − progetto sottosistemi di lettura e controllo;progetto sottosistemi di lettura e controllo;− − progetto strutture di test;progetto strutture di test;− − integrazione del layout completo.integrazione del layout completo.

Attività prevista (2006)Attività prevista (2006)

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SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005

Composizione del gruppo di ricerca.

ComposizioneComposizioneRICERCATORIBilei Gian Mario I Ric 20Borio Rita P.A. 30Ciampolini Paolo P.O. 70Delfanti Paolo Dott. 100Marras Alessandro Dott. 100 Matrella Guido As.Ric. 100Passeri Daniele R.U. 70Placidi Pisana R.U. 70Salvadori Paolo P.O. 20Servoli Leonello Ric. 20TECNOLOGIForini Nevio R.U. 30TECNICIRongoni Alba 20Piero Degli Esposti 30Daniela Maria Stefania Saetta 30

6.3 FTE

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Preventivo di spesa.

Preventivo di spesaPreventivo di spesaM.I. 8 k€

M.E. 12 k€

Mat. Consumo 25 k€

Mat. Inventariabile: 8 k€

53 k€