volume xviii, number 1 section: az march, 2012 a...

26
ISSN 1028-8546 www.physics.gov.az www.physics.gov.az G.M. Abdullayev Institute of Physics Azerbaijan National Academy of Sciences Department of Physical, Mathematical and Technical Sciences Volume XVIII, Number 1 Section: Az March, 2012 Fizika Azerbaijan Journal of Physics

Upload: danglien

Post on 29-Apr-2019

213 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

ISSN 1028-8546

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

GM Abdullayev Institute of PhysicsAzerbaijan National Academy of SciencesDepartment of Physical Mathematical and Technical Sciences

Volume XVIII Number 1Section AzMarch 2012

FizikaAzerbaijan Journal of Physics

Published from 1995

ISSN 1028-8546

vol XVIII Number 1 2012

Section Az

Azerbaijan Journal of Physics

Fizika GMAbdullayev Institute of Physics

Azerbaijan National Academy of Sciences

Department of Physical Mathematical and Technical Sciences

HONORARY EDITORS

Arif PASHAYEV Mahmud KERIMOV

EDITORS-IN-CHIEF

Arif HASHIMOV

Chingiz QAJAR

SENIOR EDITOR

Talat MEHDIYEV

INTERNATIONAL REVIEW BOARD

Ivan Scherbakov Russia Firudin Hashimzadeh Azerbaijan Talat Mehdiyev Azerbaijan

Kerim Allahverdiyev Turkey Anatoly Boreysho Russia Nazim Mamedov Azerbaijan

Mehmet Oumlndr Yetiş Turkey Mikhail Khalin Russia Emil Guseynov Azerbaijan

Gennadii Jablonskii Buelorussia Hasan Bidadi Tebriz East Azerbaijan Iran Ayaz Bayramov Azerbaijan

Rafael Imamov Russia Natiq Atakishiyev Mexico Tofiq Mammadov Azerbaijan

Vladimir Manrsquoko Russia Maksud Aliyev Azerbaijan Salima Mehdiyeva Azerbaijan

Eldar Salayev Azerbaijan Bahram Askerov Azerbaijan Shakir Naqiyev Azerbaijan

Dieter Hochheimer USA Vali Huseynov Azerbaijan Rauf Guseynov Azerbaijan

Victor Lrsquovov Israel Javad Abdinov Azerbaijan Almuk Abbasov Azerbaijan

Vyacheslav Tuzlukov South Korea Bagadur Tagiyev Azerbaijan Yusif Asadov Azerbaijan

Majid Ebrahim-Zadeh Spain Tayar Djafarov Azerbaijan

TECHNICAL EDITORIAL BOARD

senior secretary Elmira Akhundоva Nazli Huseynova Sakina Aliyeva

Nigar Akhundova Elshana Aleskerova

PUBLISHING OFFICE

33 HJavid ave AZ-1143 Baku Published at ŞƏRQ-QƏRB

ANAS GMAbdullayev Institute of Physics 17 Ashug Alesger str Baku

Typographer Aziz Gulaliyev

Tel (99412) 439-51-63 439-32-23

Fax (99412) 447-04-56

E-mail jophphysicsgmailcom

Internet wwwphysicsgovazindex1html

Sent for printing on __ 042012

Printing approved on __ 042012

Physical binding_____________

Number of copies_________200

It is authorized for printing 30032012 Order_____________________

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

3

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ

DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

BZ ƏLİYEV3 ER HƏSƏNOV

12 TR MEHDİYEV

1

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Bakı Doumlvlət Universiteti Аz 1145 Bakı şəh ZXəlilov kuumlccedil 23

3Azərbaycan Texnologiya Universiteti Gəncə

İlk dəfə olaraq goumlstərilmişdir ki elektron tip keccediliriciliyə malik muumlhitlərdə muumlhitin oumllccediluumlsuumlndən asılı olaraq dayanıqsız dalğalar

yaranır Həm daxili həm də xarici dayanıqsızlıq halında yaranan dalğaların tezlikləri hesablanmışdır İsbat olunmuşdur ki yaranan

dalğaların amplitudları zamandan eksponensial asılıdır

Accedilar soumlzlər tezlik impedans dayanıqsızlıq dalğa elektrik sahəsi maqnit sahəsi dreyf suumlrəti

UOT 0757 ndash c 7722Ch

Əgər elektrik yuumlkləri muumlhitdə bircins paylanıbsa

muumlhit yuumlklərin paylanmasına nəzərən tarazlıq halındadır

İxtiyarı xarici təsir yuumlklərin paylanmasını poza bilər və

sistem tarazlıq halından qeyri tarazlıq halına keccedilər Sistem

qeyri tarazlıq halında olanda elektrik yuumlklərinə goumlrə pay-

lanma bərabər (bircinsli) olmur Termodinamik tarazlığa

yaxın hallarda makroskopik sistemin halı koordinata nə-

zərən bircinsli olur Muumlhit tarazlıqdan guumlcluuml aralana bilər

Belə hal xarici elektrik yaxud elektrik və maqnit sahələri-

nin təsiri ilə ola bilər Tarazlıqdan uzaqlaşdıqca elektrik

sahəsinin (həm də maqnit sahəsinin) muumlhit daxilində pay-

lanması qeyri-bircins hala keccedilir yəni daxildə elektrik sahə

intensivliyinin az olan hissələri və ona nəzərən ccedilox olan

sahələri yaranır Bu sahələri elektrik domenləri (elektrik

və maqnit domenləri) adlandırırlar [1] Domenlər statik

(hərəkət etməyən) yaxud dinamik (hərəkət edən) ola bilir-

lər Domenləri olan muumlhitlərdə cərəyan şiddətinin elektrik

sahəsindən (elektrik və maqnit sahələrindən) asılılığı qey-

ri-xətti olur Belə xarakteristikalı muumlhitlərdə elektromaq-

nit rəqslərinin əmələ gəlməsi və guumlclənməsi muumlmkuumln olur

və muumlhit qeyri-tarazlıq halında olur Muumlxtəlif bərk cisim-

lərdə yaranan qeyri-tarazlıq halı muumlhitin fiziki xassələrini

kəskin dəyişdirir Domen qeyri-tarazlıq halı muumlhitdə olan

yuumlkdaşıyıcıların enerji spektrinin qiymətindən yuumlkdaşıyı-

cıların aşqar atomlar tərəfindən tutulmasından (rekombi-

nasiya) aşqar atomlar tərəfindən buraxılmasından (gene-

rasiya) kəskin asılı olur Aydındır ki qeyri-tarazlıq halı-

nın alınmasında xarici elektrik sahəsinin (xarici elektrik

və maqnit sahəsinin) qiyməti vacib amildir Xarici elek-

trik və maqnit sahələrində yerləşən muumlhitlərdə yaranan

qeyri-tarazlıq halları metal yarımkeccedilirici və dielektriklər-

də muumlxtəlif mexanizm vasitəsi ilə olur Əgər muumlhitdə hə-

rəkət edən yuumlkdaşıyıcının elektrik sahəsi suumlrəti Ud=μE0

(Ud-dreyf suumlrəti μ-yuumlruumlkluumlk E0-elektrik sahəsinin

intensivliyinin qiyməti) muumlhitdəki səs dalğalarının suumlrə-

tindən S boumlyuumlk olarsa (UdgeS ) onda elektrik sahəsi guumlcluuml

adlanır (əks halda UdleS zəif adlanır) Kecən əsrin (XIX)

ortalarından sonra muumlxtəlif metal və yarımkeccediliricilərin fi-

ziki xassələri həm təcruumlbədə həm də nəzəri olaraq oumly-

rənilməyə başlanıb

Bir qayda olaraq isbat olunmuşdur ki hərəkət edən

domenlər yarananda elektrik doumlvrəsində rəqs yaranır Be-

lə rəqslər nuumlmunənin bir tərəfində domenin yaranması o

biri tərəfində itməsi deməkdir Əgər domenlərin yaranma

və yox olma zamanları domenlərin nuumlmunəni keccedilmə za-

manından kiccedilikdirsə cərəyanın periodu domenlərin muumlhi-

ti keccedilmə zamanı ilə oumllccediluumlluumlr və T=LUd (L- nuumlmunənin

uzunluğudur) Şəkil 1-də R muumlqavimətinə ardıcıl birləş-

miş nuumlmunədən sabit cərəyan buraxılır [2]

Şəkil 1

Ε-gərginliyini artırdıqda doumlvrədə sabit cərəyan pozu-

lur və doumlvrədə rəqs yaranır Bu rəqsin periodu nuumlmunənin

uzunluğu L ilə muumltənasib olur Sabit cərəyan rejiminin

pozulması volt-amper xarakteristikasında qırılma və sıccedilra-

yışa səbəb olur 1964-cuuml ildə ingilis alimi Hann uzunluğu

Lasymp01sm olan GaAs yarımkeccedilirici birləşməsində xarici

elektrik sahəsinin E0asymp3103

Vsm qiymətində tezliyi

5108510

9 hers olan rəqslər muumlşahidə etmişdir Bu ef-

fekt Hann effekti adlanmışdır [2] Elektron tip keccediliriciliyə

malik Ge yarımkeccediliricisində Lasymp1sm E0asymp10Vsm qiymə-

tində bir neccedilə kilohers tezlikli [2-5] rəqslər muumlşahidə

olunmuşdur

Cərəyan rəqslərinin muumlşahidə olunması muumlhit daxi-

lində yaranan domenlərin hərəkətdə olmasını goumlstərir

Domenlərin hərəkətləri nuumlmunənin noumlvuumlndən doumlvrəyə

qoşulma qaydasından (yəni sərhəd şərtlərindən) kəskin

asılıdır Nuumlmunənin doumlvrəyə bağlanmağı omik yaxud

qeyri-omik yəni injeksiya xarakterli olmasından asılı ola-

raq yaranan cərəyan rəqslərinin tezliyi muumlxtəlif olur Əgər

spontan yaranan rəqslər nuumlmunənin daxilində yayılırsa

ancaq xarici doumlvrədə cərəyan rəqs etmirsə (yəni cərəyan

sabitdirsə) belə dayanıqsızlıq daxili dayanıqsızlıq adlanır

[3] Nuumlmunə daxilində yaranan rəqslər cərəyan rəqslərinin

olmasına səbəb olursa belə dayanıqsızlıq xarici dayanıq-

sızlıq adlanır Daxili və xarici dayanıqsızlıq aşqarlı ya-

rımkeccediliricilərdə ilk dəfə olaraq [3-5] işlərində nəzəri ola-

raq oumlyrənilmişdir Biz bu nəzəri işimizdə elektron tip ke-

ccediliricikli muumlhitlərdə (metallarda yarımkeccediliricilərdə) xari-

ci elektrik və maqnit sahəsinin təsiri ilə yaranan daxili və

xarici dayanıqsızlıq hallarının yaranma mexanizmini ya-

ranan rəqslərin tezliklərini daxildə yaranan dalğaların

istiqamətlərini təhlil edəcəyik

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

4

DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ

Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici

elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir

)()()(

)(

)()(

002001

002

0100

hhHEDhHED

DhEhHE

hEHEEHEj

(1)

(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici

sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik

keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-

liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-

li )( 00 HEe

TD

ef omik diffuziya əmsalı

)()( 001001 HEe

THED

ef Holl diffuziya əmsalı

)( 0022 HEe

TD

ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-

guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en

n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l

-

maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-

nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini

Erotct

HdivE

jdivt

4

0

(2)

(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır

Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik

sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər

Yəni k

-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif

bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-

ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-

ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində

olan dəyişən kəmiyyətlər

)(~)( trkienHE

(3)

kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək

0

EkciHrotc

t

H

olur yəni H=const (4)

Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin

hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)

tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH

ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini

alarıq

0)()(

)(cos

)(cos)(

14

)(4

)(sin

)(sin)(

18

sin)(4

)(

)(

1)(

84

2

21

2

02

2

0

2

2

2

0

2

2

01

2

0

1

1

2

0

1

1

00

2

00

0

000

0

0

0

0

0

0

0

0

HkniDDHkkni

niDkHkHE

HkEd

dHE

ki

HkHk

inkHE

nkEd

dHE

ki

nkk

HiEk

Ed

dEk

k

Eii

(5)

(5)-dispersiya tənliyində )(4

Eke

n

n

-vahid vek-

tordur )()( 000 HEHE

(5) tənliyində k 0E

0E 0H

k 0H

istiqamətləri-

nə baxsaq

)(

21

42

00

2

0000

Ed

dEikE

(6)

ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki

)(

2

)(

22

00

2

0

2

00

2

0

Ed

dE

Ed

dE

olsa və

2

2

00

2

00

)(

21

4Dk

Ed

dE

şərti oumldənəndə

000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur

Yəni iikE 000 ifadəsini

)(~)( trkienE

yerinə yazsaq

)cos( 00~)( tkEt

enE şəklində amplitudu te

kimi

artan harmonik rəqs alınır )(

22

00

2

0

Ed

dE

- ifadəsinin

mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-

dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta

uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-

məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-

jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-

liyindən k 0E

k 0H

kn

0E H

2

2

22

2

0

2

2

0

00

2

2

2

00

2

00

02)(

1

)(

21

40

0HDkDk

Ed

dEH

Ed

dEiHE

(7)

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

5

əgər i0

kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln

xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k

( H

E

) muumlstəvisində

deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur

Şəkil 2

0)90cos()90cos(4

coscos)(

18)90sin(

4

sinsinsinsin)(

184

22

012

0

1

1

2

0

11

002

00

2

000

0

0

0

00

Hi

HEEd

dHEi

Hi

EkEd

dEii

i

0 cossinsin 01000 0

HkEkE

cos)(

2sinsin

)(

2

)90cos()90cos()90sin(14

2

0

1

0

2

0

2

00

2

0

2

2

2

1

10

0

0

0

0

HEd

dE

Ed

dE

HH

(8)

(8)- ifadəsini 4

4

qiymətlərində sadələşdirmək olar onda

HkEkE 01000 02

1

2

1

2

H

)20

d(E

1dμ

1

)20

d(E

02E

02

μ

2H

02

μ

2

1

01

μ

H

01

μ

2

11

ε

04ππ

γ (9)

(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-

rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

6

04

)(

)()()(4

21

21

HEdivjdivt

n

hhDhD

DhhEHEhEHEEHEt

EJ

(10)

(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq

xxxx J

DDE

DDdx

Ed

DD

UU

dx

Ed

1111

0111

11

110

2

)()1(0

2

(11)

Burada 000 EU yy kiUDk

01

24 011 00EU

04

i 000 en

01

2

11 04 UikD y

00 101 en

2m

Lk

y

y

210 m

L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur

0)2()(4

14

1

0

2

1

2

00

1

2

2

2 0

Uk

kiy

k

kk

U

Di

k

ky

y

y

x

y

x

x

y

buradan

0Uk

yy

)( 2

0

0

2

0

Ed

dE

)( 2

0

1

1

2

01

0

0Ed

dE

(12)

guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c

H [5]

2

02211

3

SH

cETT

e

TD

e

TD

e

TD ef

efefef

ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv

temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın

boşluqda yayılma suumlrətidir

21H

c 02 b

aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-

tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir

iiy 1

2)(

22221 (13)

burada 22

0

c

H

2

2

0

12y

x

x L

L

LeE

T

)2(2

12 1

0

2

00

EL

Len

c

H

y

x δltlt1 və

αβltlt2β olduğundan

24

221

iy

22

20 iy (14)

(14) - ifadəsini 4

021

iUk y

022

2Uki y

kimi yazsaq

)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi

ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni

tUk y

enE02

2

~)(

kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa

)4

cos(

~)(

02

4

0

44

02

0202

tUkeA

eenE

y

Utk

UtUtUk

y

yy

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

7

kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02

4

0

Uytk

eAA

kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır

Belə halda sistem

020

4Uk y

(15)

tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir

XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI

Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln

muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-

ccedilik dəyişən gərginlik verilsə

deVtV ti

)()( (16)

olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni

Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)

olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-

pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq

kəsb edir

1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi

Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir

2) İmpedansın sıfırlarını

3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq

Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini

tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi

dxtxEtv

L

)()(0

(18)

kimidir

L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti

(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə

hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin

tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali

kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona

goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik

sahəsinin E(0t) və E

(Lt) qiymətləri məlum olduqda

muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də

fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə

elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-

mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar

Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli

ola bilər yəni

E(0t) = E

(Lt)=0 (19)

Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa

E(0t) = E

(Lt)=0 ρ

(0t) = ρ

(Lt)=0 (20)

olar

Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-

sə Puasson tənliyinə əsasən

ox

E

Lxx

0

(21)

yazmaq olar (19-20-21) ifadələri

00

11

xx

EE

022

Lxx

EE (22)

(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)

şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada

məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-

yacağıq yəni [2]

ikx

q

qeAJAxE 0)( (23)

olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici

dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-

rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)

tənliyini aşağıdakı kimi yazaq

xx JEadx

da

dx

d

212

2

(24)

olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-

runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-

ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir

x

xikxikJ

aecectxE

2

2121)(

(25)

dxtxEv

L

)(0

[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini

nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu

nəzərə alsaq

2

)(aJ

VZ

(26)

alarıq

0)1sin(cos

)1()(

11

1

1

1

11

01

1 11

xx

Lik

L

xik

LkLkik

c

eik

cxikde

ik

cx

x

Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir

)()1(0

11

10

0

k

ZZ

0

0

xLZ (27)

(27)

(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq

2

2

2

1

1120

0

2

2

2

1

2110

0

0

0

)(Im

)(Re

y

y

kU

Z

Z

kU

Z

Z

(28)

Burada

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

Published from 1995

ISSN 1028-8546

vol XVIII Number 1 2012

Section Az

Azerbaijan Journal of Physics

Fizika GMAbdullayev Institute of Physics

Azerbaijan National Academy of Sciences

Department of Physical Mathematical and Technical Sciences

HONORARY EDITORS

Arif PASHAYEV Mahmud KERIMOV

EDITORS-IN-CHIEF

Arif HASHIMOV

Chingiz QAJAR

SENIOR EDITOR

Talat MEHDIYEV

INTERNATIONAL REVIEW BOARD

Ivan Scherbakov Russia Firudin Hashimzadeh Azerbaijan Talat Mehdiyev Azerbaijan

Kerim Allahverdiyev Turkey Anatoly Boreysho Russia Nazim Mamedov Azerbaijan

Mehmet Oumlndr Yetiş Turkey Mikhail Khalin Russia Emil Guseynov Azerbaijan

Gennadii Jablonskii Buelorussia Hasan Bidadi Tebriz East Azerbaijan Iran Ayaz Bayramov Azerbaijan

Rafael Imamov Russia Natiq Atakishiyev Mexico Tofiq Mammadov Azerbaijan

Vladimir Manrsquoko Russia Maksud Aliyev Azerbaijan Salima Mehdiyeva Azerbaijan

Eldar Salayev Azerbaijan Bahram Askerov Azerbaijan Shakir Naqiyev Azerbaijan

Dieter Hochheimer USA Vali Huseynov Azerbaijan Rauf Guseynov Azerbaijan

Victor Lrsquovov Israel Javad Abdinov Azerbaijan Almuk Abbasov Azerbaijan

Vyacheslav Tuzlukov South Korea Bagadur Tagiyev Azerbaijan Yusif Asadov Azerbaijan

Majid Ebrahim-Zadeh Spain Tayar Djafarov Azerbaijan

TECHNICAL EDITORIAL BOARD

senior secretary Elmira Akhundоva Nazli Huseynova Sakina Aliyeva

Nigar Akhundova Elshana Aleskerova

PUBLISHING OFFICE

33 HJavid ave AZ-1143 Baku Published at ŞƏRQ-QƏRB

ANAS GMAbdullayev Institute of Physics 17 Ashug Alesger str Baku

Typographer Aziz Gulaliyev

Tel (99412) 439-51-63 439-32-23

Fax (99412) 447-04-56

E-mail jophphysicsgmailcom

Internet wwwphysicsgovazindex1html

Sent for printing on __ 042012

Printing approved on __ 042012

Physical binding_____________

Number of copies_________200

It is authorized for printing 30032012 Order_____________________

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

3

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ

DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

BZ ƏLİYEV3 ER HƏSƏNOV

12 TR MEHDİYEV

1

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Bakı Doumlvlət Universiteti Аz 1145 Bakı şəh ZXəlilov kuumlccedil 23

3Azərbaycan Texnologiya Universiteti Gəncə

İlk dəfə olaraq goumlstərilmişdir ki elektron tip keccediliriciliyə malik muumlhitlərdə muumlhitin oumllccediluumlsuumlndən asılı olaraq dayanıqsız dalğalar

yaranır Həm daxili həm də xarici dayanıqsızlıq halında yaranan dalğaların tezlikləri hesablanmışdır İsbat olunmuşdur ki yaranan

dalğaların amplitudları zamandan eksponensial asılıdır

Accedilar soumlzlər tezlik impedans dayanıqsızlıq dalğa elektrik sahəsi maqnit sahəsi dreyf suumlrəti

UOT 0757 ndash c 7722Ch

Əgər elektrik yuumlkləri muumlhitdə bircins paylanıbsa

muumlhit yuumlklərin paylanmasına nəzərən tarazlıq halındadır

İxtiyarı xarici təsir yuumlklərin paylanmasını poza bilər və

sistem tarazlıq halından qeyri tarazlıq halına keccedilər Sistem

qeyri tarazlıq halında olanda elektrik yuumlklərinə goumlrə pay-

lanma bərabər (bircinsli) olmur Termodinamik tarazlığa

yaxın hallarda makroskopik sistemin halı koordinata nə-

zərən bircinsli olur Muumlhit tarazlıqdan guumlcluuml aralana bilər

Belə hal xarici elektrik yaxud elektrik və maqnit sahələri-

nin təsiri ilə ola bilər Tarazlıqdan uzaqlaşdıqca elektrik

sahəsinin (həm də maqnit sahəsinin) muumlhit daxilində pay-

lanması qeyri-bircins hala keccedilir yəni daxildə elektrik sahə

intensivliyinin az olan hissələri və ona nəzərən ccedilox olan

sahələri yaranır Bu sahələri elektrik domenləri (elektrik

və maqnit domenləri) adlandırırlar [1] Domenlər statik

(hərəkət etməyən) yaxud dinamik (hərəkət edən) ola bilir-

lər Domenləri olan muumlhitlərdə cərəyan şiddətinin elektrik

sahəsindən (elektrik və maqnit sahələrindən) asılılığı qey-

ri-xətti olur Belə xarakteristikalı muumlhitlərdə elektromaq-

nit rəqslərinin əmələ gəlməsi və guumlclənməsi muumlmkuumln olur

və muumlhit qeyri-tarazlıq halında olur Muumlxtəlif bərk cisim-

lərdə yaranan qeyri-tarazlıq halı muumlhitin fiziki xassələrini

kəskin dəyişdirir Domen qeyri-tarazlıq halı muumlhitdə olan

yuumlkdaşıyıcıların enerji spektrinin qiymətindən yuumlkdaşıyı-

cıların aşqar atomlar tərəfindən tutulmasından (rekombi-

nasiya) aşqar atomlar tərəfindən buraxılmasından (gene-

rasiya) kəskin asılı olur Aydındır ki qeyri-tarazlıq halı-

nın alınmasında xarici elektrik sahəsinin (xarici elektrik

və maqnit sahəsinin) qiyməti vacib amildir Xarici elek-

trik və maqnit sahələrində yerləşən muumlhitlərdə yaranan

qeyri-tarazlıq halları metal yarımkeccedilirici və dielektriklər-

də muumlxtəlif mexanizm vasitəsi ilə olur Əgər muumlhitdə hə-

rəkət edən yuumlkdaşıyıcının elektrik sahəsi suumlrəti Ud=μE0

(Ud-dreyf suumlrəti μ-yuumlruumlkluumlk E0-elektrik sahəsinin

intensivliyinin qiyməti) muumlhitdəki səs dalğalarının suumlrə-

tindən S boumlyuumlk olarsa (UdgeS ) onda elektrik sahəsi guumlcluuml

adlanır (əks halda UdleS zəif adlanır) Kecən əsrin (XIX)

ortalarından sonra muumlxtəlif metal və yarımkeccediliricilərin fi-

ziki xassələri həm təcruumlbədə həm də nəzəri olaraq oumly-

rənilməyə başlanıb

Bir qayda olaraq isbat olunmuşdur ki hərəkət edən

domenlər yarananda elektrik doumlvrəsində rəqs yaranır Be-

lə rəqslər nuumlmunənin bir tərəfində domenin yaranması o

biri tərəfində itməsi deməkdir Əgər domenlərin yaranma

və yox olma zamanları domenlərin nuumlmunəni keccedilmə za-

manından kiccedilikdirsə cərəyanın periodu domenlərin muumlhi-

ti keccedilmə zamanı ilə oumllccediluumlluumlr və T=LUd (L- nuumlmunənin

uzunluğudur) Şəkil 1-də R muumlqavimətinə ardıcıl birləş-

miş nuumlmunədən sabit cərəyan buraxılır [2]

Şəkil 1

Ε-gərginliyini artırdıqda doumlvrədə sabit cərəyan pozu-

lur və doumlvrədə rəqs yaranır Bu rəqsin periodu nuumlmunənin

uzunluğu L ilə muumltənasib olur Sabit cərəyan rejiminin

pozulması volt-amper xarakteristikasında qırılma və sıccedilra-

yışa səbəb olur 1964-cuuml ildə ingilis alimi Hann uzunluğu

Lasymp01sm olan GaAs yarımkeccedilirici birləşməsində xarici

elektrik sahəsinin E0asymp3103

Vsm qiymətində tezliyi

5108510

9 hers olan rəqslər muumlşahidə etmişdir Bu ef-

fekt Hann effekti adlanmışdır [2] Elektron tip keccediliriciliyə

malik Ge yarımkeccediliricisində Lasymp1sm E0asymp10Vsm qiymə-

tində bir neccedilə kilohers tezlikli [2-5] rəqslər muumlşahidə

olunmuşdur

Cərəyan rəqslərinin muumlşahidə olunması muumlhit daxi-

lində yaranan domenlərin hərəkətdə olmasını goumlstərir

Domenlərin hərəkətləri nuumlmunənin noumlvuumlndən doumlvrəyə

qoşulma qaydasından (yəni sərhəd şərtlərindən) kəskin

asılıdır Nuumlmunənin doumlvrəyə bağlanmağı omik yaxud

qeyri-omik yəni injeksiya xarakterli olmasından asılı ola-

raq yaranan cərəyan rəqslərinin tezliyi muumlxtəlif olur Əgər

spontan yaranan rəqslər nuumlmunənin daxilində yayılırsa

ancaq xarici doumlvrədə cərəyan rəqs etmirsə (yəni cərəyan

sabitdirsə) belə dayanıqsızlıq daxili dayanıqsızlıq adlanır

[3] Nuumlmunə daxilində yaranan rəqslər cərəyan rəqslərinin

olmasına səbəb olursa belə dayanıqsızlıq xarici dayanıq-

sızlıq adlanır Daxili və xarici dayanıqsızlıq aşqarlı ya-

rımkeccediliricilərdə ilk dəfə olaraq [3-5] işlərində nəzəri ola-

raq oumlyrənilmişdir Biz bu nəzəri işimizdə elektron tip ke-

ccediliricikli muumlhitlərdə (metallarda yarımkeccediliricilərdə) xari-

ci elektrik və maqnit sahəsinin təsiri ilə yaranan daxili və

xarici dayanıqsızlıq hallarının yaranma mexanizmini ya-

ranan rəqslərin tezliklərini daxildə yaranan dalğaların

istiqamətlərini təhlil edəcəyik

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

4

DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ

Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici

elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir

)()()(

)(

)()(

002001

002

0100

hhHEDhHED

DhEhHE

hEHEEHEj

(1)

(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici

sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik

keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-

liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-

li )( 00 HEe

TD

ef omik diffuziya əmsalı

)()( 001001 HEe

THED

ef Holl diffuziya əmsalı

)( 0022 HEe

TD

ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-

guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en

n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l

-

maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-

nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini

Erotct

HdivE

jdivt

4

0

(2)

(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır

Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik

sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər

Yəni k

-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif

bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-

ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-

ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində

olan dəyişən kəmiyyətlər

)(~)( trkienHE

(3)

kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək

0

EkciHrotc

t

H

olur yəni H=const (4)

Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin

hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)

tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH

ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini

alarıq

0)()(

)(cos

)(cos)(

14

)(4

)(sin

)(sin)(

18

sin)(4

)(

)(

1)(

84

2

21

2

02

2

0

2

2

2

0

2

2

01

2

0

1

1

2

0

1

1

00

2

00

0

000

0

0

0

0

0

0

0

0

HkniDDHkkni

niDkHkHE

HkEd

dHE

ki

HkHk

inkHE

nkEd

dHE

ki

nkk

HiEk

Ed

dEk

k

Eii

(5)

(5)-dispersiya tənliyində )(4

Eke

n

n

-vahid vek-

tordur )()( 000 HEHE

(5) tənliyində k 0E

0E 0H

k 0H

istiqamətləri-

nə baxsaq

)(

21

42

00

2

0000

Ed

dEikE

(6)

ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki

)(

2

)(

22

00

2

0

2

00

2

0

Ed

dE

Ed

dE

olsa və

2

2

00

2

00

)(

21

4Dk

Ed

dE

şərti oumldənəndə

000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur

Yəni iikE 000 ifadəsini

)(~)( trkienE

yerinə yazsaq

)cos( 00~)( tkEt

enE şəklində amplitudu te

kimi

artan harmonik rəqs alınır )(

22

00

2

0

Ed

dE

- ifadəsinin

mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-

dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta

uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-

məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-

jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-

liyindən k 0E

k 0H

kn

0E H

2

2

22

2

0

2

2

0

00

2

2

2

00

2

00

02)(

1

)(

21

40

0HDkDk

Ed

dEH

Ed

dEiHE

(7)

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

5

əgər i0

kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln

xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k

( H

E

) muumlstəvisində

deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur

Şəkil 2

0)90cos()90cos(4

coscos)(

18)90sin(

4

sinsinsinsin)(

184

22

012

0

1

1

2

0

11

002

00

2

000

0

0

0

00

Hi

HEEd

dHEi

Hi

EkEd

dEii

i

0 cossinsin 01000 0

HkEkE

cos)(

2sinsin

)(

2

)90cos()90cos()90sin(14

2

0

1

0

2

0

2

00

2

0

2

2

2

1

10

0

0

0

0

HEd

dE

Ed

dE

HH

(8)

(8)- ifadəsini 4

4

qiymətlərində sadələşdirmək olar onda

HkEkE 01000 02

1

2

1

2

H

)20

d(E

1dμ

1

)20

d(E

02E

02

μ

2H

02

μ

2

1

01

μ

H

01

μ

2

11

ε

04ππ

γ (9)

(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-

rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

6

04

)(

)()()(4

21

21

HEdivjdivt

n

hhDhD

DhhEHEhEHEEHEt

EJ

(10)

(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq

xxxx J

DDE

DDdx

Ed

DD

UU

dx

Ed

1111

0111

11

110

2

)()1(0

2

(11)

Burada 000 EU yy kiUDk

01

24 011 00EU

04

i 000 en

01

2

11 04 UikD y

00 101 en

2m

Lk

y

y

210 m

L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur

0)2()(4

14

1

0

2

1

2

00

1

2

2

2 0

Uk

kiy

k

kk

U

Di

k

ky

y

y

x

y

x

x

y

buradan

0Uk

yy

)( 2

0

0

2

0

Ed

dE

)( 2

0

1

1

2

01

0

0Ed

dE

(12)

guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c

H [5]

2

02211

3

SH

cETT

e

TD

e

TD

e

TD ef

efefef

ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv

temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın

boşluqda yayılma suumlrətidir

21H

c 02 b

aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-

tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir

iiy 1

2)(

22221 (13)

burada 22

0

c

H

2

2

0

12y

x

x L

L

LeE

T

)2(2

12 1

0

2

00

EL

Len

c

H

y

x δltlt1 və

αβltlt2β olduğundan

24

221

iy

22

20 iy (14)

(14) - ifadəsini 4

021

iUk y

022

2Uki y

kimi yazsaq

)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi

ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni

tUk y

enE02

2

~)(

kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa

)4

cos(

~)(

02

4

0

44

02

0202

tUkeA

eenE

y

Utk

UtUtUk

y

yy

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

7

kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02

4

0

Uytk

eAA

kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır

Belə halda sistem

020

4Uk y

(15)

tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir

XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI

Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln

muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-

ccedilik dəyişən gərginlik verilsə

deVtV ti

)()( (16)

olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni

Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)

olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-

pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq

kəsb edir

1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi

Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir

2) İmpedansın sıfırlarını

3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq

Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini

tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi

dxtxEtv

L

)()(0

(18)

kimidir

L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti

(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə

hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin

tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali

kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona

goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik

sahəsinin E(0t) və E

(Lt) qiymətləri məlum olduqda

muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də

fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə

elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-

mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar

Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli

ola bilər yəni

E(0t) = E

(Lt)=0 (19)

Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa

E(0t) = E

(Lt)=0 ρ

(0t) = ρ

(Lt)=0 (20)

olar

Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-

sə Puasson tənliyinə əsasən

ox

E

Lxx

0

(21)

yazmaq olar (19-20-21) ifadələri

00

11

xx

EE

022

Lxx

EE (22)

(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)

şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada

məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-

yacağıq yəni [2]

ikx

q

qeAJAxE 0)( (23)

olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici

dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-

rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)

tənliyini aşağıdakı kimi yazaq

xx JEadx

da

dx

d

212

2

(24)

olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-

runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-

ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir

x

xikxikJ

aecectxE

2

2121)(

(25)

dxtxEv

L

)(0

[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini

nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu

nəzərə alsaq

2

)(aJ

VZ

(26)

alarıq

0)1sin(cos

)1()(

11

1

1

1

11

01

1 11

xx

Lik

L

xik

LkLkik

c

eik

cxikde

ik

cx

x

Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir

)()1(0

11

10

0

k

ZZ

0

0

xLZ (27)

(27)

(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq

2

2

2

1

1120

0

2

2

2

1

2110

0

0

0

)(Im

)(Re

y

y

kU

Z

Z

kU

Z

Z

(28)

Burada

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

3

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ

DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

BZ ƏLİYEV3 ER HƏSƏNOV

12 TR MEHDİYEV

1

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Bakı Doumlvlət Universiteti Аz 1145 Bakı şəh ZXəlilov kuumlccedil 23

3Azərbaycan Texnologiya Universiteti Gəncə

İlk dəfə olaraq goumlstərilmişdir ki elektron tip keccediliriciliyə malik muumlhitlərdə muumlhitin oumllccediluumlsuumlndən asılı olaraq dayanıqsız dalğalar

yaranır Həm daxili həm də xarici dayanıqsızlıq halında yaranan dalğaların tezlikləri hesablanmışdır İsbat olunmuşdur ki yaranan

dalğaların amplitudları zamandan eksponensial asılıdır

Accedilar soumlzlər tezlik impedans dayanıqsızlıq dalğa elektrik sahəsi maqnit sahəsi dreyf suumlrəti

UOT 0757 ndash c 7722Ch

Əgər elektrik yuumlkləri muumlhitdə bircins paylanıbsa

muumlhit yuumlklərin paylanmasına nəzərən tarazlıq halındadır

İxtiyarı xarici təsir yuumlklərin paylanmasını poza bilər və

sistem tarazlıq halından qeyri tarazlıq halına keccedilər Sistem

qeyri tarazlıq halında olanda elektrik yuumlklərinə goumlrə pay-

lanma bərabər (bircinsli) olmur Termodinamik tarazlığa

yaxın hallarda makroskopik sistemin halı koordinata nə-

zərən bircinsli olur Muumlhit tarazlıqdan guumlcluuml aralana bilər

Belə hal xarici elektrik yaxud elektrik və maqnit sahələri-

nin təsiri ilə ola bilər Tarazlıqdan uzaqlaşdıqca elektrik

sahəsinin (həm də maqnit sahəsinin) muumlhit daxilində pay-

lanması qeyri-bircins hala keccedilir yəni daxildə elektrik sahə

intensivliyinin az olan hissələri və ona nəzərən ccedilox olan

sahələri yaranır Bu sahələri elektrik domenləri (elektrik

və maqnit domenləri) adlandırırlar [1] Domenlər statik

(hərəkət etməyən) yaxud dinamik (hərəkət edən) ola bilir-

lər Domenləri olan muumlhitlərdə cərəyan şiddətinin elektrik

sahəsindən (elektrik və maqnit sahələrindən) asılılığı qey-

ri-xətti olur Belə xarakteristikalı muumlhitlərdə elektromaq-

nit rəqslərinin əmələ gəlməsi və guumlclənməsi muumlmkuumln olur

və muumlhit qeyri-tarazlıq halında olur Muumlxtəlif bərk cisim-

lərdə yaranan qeyri-tarazlıq halı muumlhitin fiziki xassələrini

kəskin dəyişdirir Domen qeyri-tarazlıq halı muumlhitdə olan

yuumlkdaşıyıcıların enerji spektrinin qiymətindən yuumlkdaşıyı-

cıların aşqar atomlar tərəfindən tutulmasından (rekombi-

nasiya) aşqar atomlar tərəfindən buraxılmasından (gene-

rasiya) kəskin asılı olur Aydındır ki qeyri-tarazlıq halı-

nın alınmasında xarici elektrik sahəsinin (xarici elektrik

və maqnit sahəsinin) qiyməti vacib amildir Xarici elek-

trik və maqnit sahələrində yerləşən muumlhitlərdə yaranan

qeyri-tarazlıq halları metal yarımkeccedilirici və dielektriklər-

də muumlxtəlif mexanizm vasitəsi ilə olur Əgər muumlhitdə hə-

rəkət edən yuumlkdaşıyıcının elektrik sahəsi suumlrəti Ud=μE0

(Ud-dreyf suumlrəti μ-yuumlruumlkluumlk E0-elektrik sahəsinin

intensivliyinin qiyməti) muumlhitdəki səs dalğalarının suumlrə-

tindən S boumlyuumlk olarsa (UdgeS ) onda elektrik sahəsi guumlcluuml

adlanır (əks halda UdleS zəif adlanır) Kecən əsrin (XIX)

ortalarından sonra muumlxtəlif metal və yarımkeccediliricilərin fi-

ziki xassələri həm təcruumlbədə həm də nəzəri olaraq oumly-

rənilməyə başlanıb

Bir qayda olaraq isbat olunmuşdur ki hərəkət edən

domenlər yarananda elektrik doumlvrəsində rəqs yaranır Be-

lə rəqslər nuumlmunənin bir tərəfində domenin yaranması o

biri tərəfində itməsi deməkdir Əgər domenlərin yaranma

və yox olma zamanları domenlərin nuumlmunəni keccedilmə za-

manından kiccedilikdirsə cərəyanın periodu domenlərin muumlhi-

ti keccedilmə zamanı ilə oumllccediluumlluumlr və T=LUd (L- nuumlmunənin

uzunluğudur) Şəkil 1-də R muumlqavimətinə ardıcıl birləş-

miş nuumlmunədən sabit cərəyan buraxılır [2]

Şəkil 1

Ε-gərginliyini artırdıqda doumlvrədə sabit cərəyan pozu-

lur və doumlvrədə rəqs yaranır Bu rəqsin periodu nuumlmunənin

uzunluğu L ilə muumltənasib olur Sabit cərəyan rejiminin

pozulması volt-amper xarakteristikasında qırılma və sıccedilra-

yışa səbəb olur 1964-cuuml ildə ingilis alimi Hann uzunluğu

Lasymp01sm olan GaAs yarımkeccedilirici birləşməsində xarici

elektrik sahəsinin E0asymp3103

Vsm qiymətində tezliyi

5108510

9 hers olan rəqslər muumlşahidə etmişdir Bu ef-

fekt Hann effekti adlanmışdır [2] Elektron tip keccediliriciliyə

malik Ge yarımkeccediliricisində Lasymp1sm E0asymp10Vsm qiymə-

tində bir neccedilə kilohers tezlikli [2-5] rəqslər muumlşahidə

olunmuşdur

Cərəyan rəqslərinin muumlşahidə olunması muumlhit daxi-

lində yaranan domenlərin hərəkətdə olmasını goumlstərir

Domenlərin hərəkətləri nuumlmunənin noumlvuumlndən doumlvrəyə

qoşulma qaydasından (yəni sərhəd şərtlərindən) kəskin

asılıdır Nuumlmunənin doumlvrəyə bağlanmağı omik yaxud

qeyri-omik yəni injeksiya xarakterli olmasından asılı ola-

raq yaranan cərəyan rəqslərinin tezliyi muumlxtəlif olur Əgər

spontan yaranan rəqslər nuumlmunənin daxilində yayılırsa

ancaq xarici doumlvrədə cərəyan rəqs etmirsə (yəni cərəyan

sabitdirsə) belə dayanıqsızlıq daxili dayanıqsızlıq adlanır

[3] Nuumlmunə daxilində yaranan rəqslər cərəyan rəqslərinin

olmasına səbəb olursa belə dayanıqsızlıq xarici dayanıq-

sızlıq adlanır Daxili və xarici dayanıqsızlıq aşqarlı ya-

rımkeccediliricilərdə ilk dəfə olaraq [3-5] işlərində nəzəri ola-

raq oumlyrənilmişdir Biz bu nəzəri işimizdə elektron tip ke-

ccediliricikli muumlhitlərdə (metallarda yarımkeccediliricilərdə) xari-

ci elektrik və maqnit sahəsinin təsiri ilə yaranan daxili və

xarici dayanıqsızlıq hallarının yaranma mexanizmini ya-

ranan rəqslərin tezliklərini daxildə yaranan dalğaların

istiqamətlərini təhlil edəcəyik

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

4

DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ

Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici

elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir

)()()(

)(

)()(

002001

002

0100

hhHEDhHED

DhEhHE

hEHEEHEj

(1)

(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici

sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik

keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-

liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-

li )( 00 HEe

TD

ef omik diffuziya əmsalı

)()( 001001 HEe

THED

ef Holl diffuziya əmsalı

)( 0022 HEe

TD

ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-

guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en

n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l

-

maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-

nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini

Erotct

HdivE

jdivt

4

0

(2)

(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır

Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik

sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər

Yəni k

-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif

bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-

ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-

ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində

olan dəyişən kəmiyyətlər

)(~)( trkienHE

(3)

kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək

0

EkciHrotc

t

H

olur yəni H=const (4)

Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin

hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)

tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH

ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini

alarıq

0)()(

)(cos

)(cos)(

14

)(4

)(sin

)(sin)(

18

sin)(4

)(

)(

1)(

84

2

21

2

02

2

0

2

2

2

0

2

2

01

2

0

1

1

2

0

1

1

00

2

00

0

000

0

0

0

0

0

0

0

0

HkniDDHkkni

niDkHkHE

HkEd

dHE

ki

HkHk

inkHE

nkEd

dHE

ki

nkk

HiEk

Ed

dEk

k

Eii

(5)

(5)-dispersiya tənliyində )(4

Eke

n

n

-vahid vek-

tordur )()( 000 HEHE

(5) tənliyində k 0E

0E 0H

k 0H

istiqamətləri-

nə baxsaq

)(

21

42

00

2

0000

Ed

dEikE

(6)

ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki

)(

2

)(

22

00

2

0

2

00

2

0

Ed

dE

Ed

dE

olsa və

2

2

00

2

00

)(

21

4Dk

Ed

dE

şərti oumldənəndə

000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur

Yəni iikE 000 ifadəsini

)(~)( trkienE

yerinə yazsaq

)cos( 00~)( tkEt

enE şəklində amplitudu te

kimi

artan harmonik rəqs alınır )(

22

00

2

0

Ed

dE

- ifadəsinin

mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-

dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta

uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-

məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-

jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-

liyindən k 0E

k 0H

kn

0E H

2

2

22

2

0

2

2

0

00

2

2

2

00

2

00

02)(

1

)(

21

40

0HDkDk

Ed

dEH

Ed

dEiHE

(7)

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

5

əgər i0

kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln

xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k

( H

E

) muumlstəvisində

deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur

Şəkil 2

0)90cos()90cos(4

coscos)(

18)90sin(

4

sinsinsinsin)(

184

22

012

0

1

1

2

0

11

002

00

2

000

0

0

0

00

Hi

HEEd

dHEi

Hi

EkEd

dEii

i

0 cossinsin 01000 0

HkEkE

cos)(

2sinsin

)(

2

)90cos()90cos()90sin(14

2

0

1

0

2

0

2

00

2

0

2

2

2

1

10

0

0

0

0

HEd

dE

Ed

dE

HH

(8)

(8)- ifadəsini 4

4

qiymətlərində sadələşdirmək olar onda

HkEkE 01000 02

1

2

1

2

H

)20

d(E

1dμ

1

)20

d(E

02E

02

μ

2H

02

μ

2

1

01

μ

H

01

μ

2

11

ε

04ππ

γ (9)

(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-

rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

6

04

)(

)()()(4

21

21

HEdivjdivt

n

hhDhD

DhhEHEhEHEEHEt

EJ

(10)

(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq

xxxx J

DDE

DDdx

Ed

DD

UU

dx

Ed

1111

0111

11

110

2

)()1(0

2

(11)

Burada 000 EU yy kiUDk

01

24 011 00EU

04

i 000 en

01

2

11 04 UikD y

00 101 en

2m

Lk

y

y

210 m

L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur

0)2()(4

14

1

0

2

1

2

00

1

2

2

2 0

Uk

kiy

k

kk

U

Di

k

ky

y

y

x

y

x

x

y

buradan

0Uk

yy

)( 2

0

0

2

0

Ed

dE

)( 2

0

1

1

2

01

0

0Ed

dE

(12)

guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c

H [5]

2

02211

3

SH

cETT

e

TD

e

TD

e

TD ef

efefef

ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv

temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın

boşluqda yayılma suumlrətidir

21H

c 02 b

aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-

tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir

iiy 1

2)(

22221 (13)

burada 22

0

c

H

2

2

0

12y

x

x L

L

LeE

T

)2(2

12 1

0

2

00

EL

Len

c

H

y

x δltlt1 və

αβltlt2β olduğundan

24

221

iy

22

20 iy (14)

(14) - ifadəsini 4

021

iUk y

022

2Uki y

kimi yazsaq

)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi

ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni

tUk y

enE02

2

~)(

kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa

)4

cos(

~)(

02

4

0

44

02

0202

tUkeA

eenE

y

Utk

UtUtUk

y

yy

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

7

kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02

4

0

Uytk

eAA

kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır

Belə halda sistem

020

4Uk y

(15)

tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir

XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI

Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln

muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-

ccedilik dəyişən gərginlik verilsə

deVtV ti

)()( (16)

olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni

Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)

olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-

pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq

kəsb edir

1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi

Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir

2) İmpedansın sıfırlarını

3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq

Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini

tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi

dxtxEtv

L

)()(0

(18)

kimidir

L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti

(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə

hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin

tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali

kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona

goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik

sahəsinin E(0t) və E

(Lt) qiymətləri məlum olduqda

muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də

fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə

elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-

mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar

Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli

ola bilər yəni

E(0t) = E

(Lt)=0 (19)

Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa

E(0t) = E

(Lt)=0 ρ

(0t) = ρ

(Lt)=0 (20)

olar

Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-

sə Puasson tənliyinə əsasən

ox

E

Lxx

0

(21)

yazmaq olar (19-20-21) ifadələri

00

11

xx

EE

022

Lxx

EE (22)

(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)

şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada

məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-

yacağıq yəni [2]

ikx

q

qeAJAxE 0)( (23)

olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici

dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-

rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)

tənliyini aşağıdakı kimi yazaq

xx JEadx

da

dx

d

212

2

(24)

olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-

runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-

ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir

x

xikxikJ

aecectxE

2

2121)(

(25)

dxtxEv

L

)(0

[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini

nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu

nəzərə alsaq

2

)(aJ

VZ

(26)

alarıq

0)1sin(cos

)1()(

11

1

1

1

11

01

1 11

xx

Lik

L

xik

LkLkik

c

eik

cxikde

ik

cx

x

Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir

)()1(0

11

10

0

k

ZZ

0

0

xLZ (27)

(27)

(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq

2

2

2

1

1120

0

2

2

2

1

2110

0

0

0

)(Im

)(Re

y

y

kU

Z

Z

kU

Z

Z

(28)

Burada

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

4

DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ

Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici

elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir

)()()(

)(

)()(

002001

002

0100

hhHEDhHED

DhEhHE

hEHEEHEj

(1)

(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici

sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik

keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-

liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-

li )( 00 HEe

TD

ef omik diffuziya əmsalı

)()( 001001 HEe

THED

ef Holl diffuziya əmsalı

)( 0022 HEe

TD

ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-

guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en

n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l

-

maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-

nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini

Erotct

HdivE

jdivt

4

0

(2)

(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır

Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik

sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər

Yəni k

-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif

bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-

ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-

ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində

olan dəyişən kəmiyyətlər

)(~)( trkienHE

(3)

kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək

0

EkciHrotc

t

H

olur yəni H=const (4)

Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin

hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)

tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH

ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini

alarıq

0)()(

)(cos

)(cos)(

14

)(4

)(sin

)(sin)(

18

sin)(4

)(

)(

1)(

84

2

21

2

02

2

0

2

2

2

0

2

2

01

2

0

1

1

2

0

1

1

00

2

00

0

000

0

0

0

0

0

0

0

0

HkniDDHkkni

niDkHkHE

HkEd

dHE

ki

HkHk

inkHE

nkEd

dHE

ki

nkk

HiEk

Ed

dEk

k

Eii

(5)

(5)-dispersiya tənliyində )(4

Eke

n

n

-vahid vek-

tordur )()( 000 HEHE

(5) tənliyində k 0E

0E 0H

k 0H

istiqamətləri-

nə baxsaq

)(

21

42

00

2

0000

Ed

dEikE

(6)

ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki

)(

2

)(

22

00

2

0

2

00

2

0

Ed

dE

Ed

dE

olsa və

2

2

00

2

00

)(

21

4Dk

Ed

dE

şərti oumldənəndə

000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur

Yəni iikE 000 ifadəsini

)(~)( trkienE

yerinə yazsaq

)cos( 00~)( tkEt

enE şəklində amplitudu te

kimi

artan harmonik rəqs alınır )(

22

00

2

0

Ed

dE

- ifadəsinin

mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-

dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta

uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-

məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-

jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-

liyindən k 0E

k 0H

kn

0E H

2

2

22

2

0

2

2

0

00

2

2

2

00

2

00

02)(

1

)(

21

40

0HDkDk

Ed

dEH

Ed

dEiHE

(7)

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

5

əgər i0

kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln

xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k

( H

E

) muumlstəvisində

deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur

Şəkil 2

0)90cos()90cos(4

coscos)(

18)90sin(

4

sinsinsinsin)(

184

22

012

0

1

1

2

0

11

002

00

2

000

0

0

0

00

Hi

HEEd

dHEi

Hi

EkEd

dEii

i

0 cossinsin 01000 0

HkEkE

cos)(

2sinsin

)(

2

)90cos()90cos()90sin(14

2

0

1

0

2

0

2

00

2

0

2

2

2

1

10

0

0

0

0

HEd

dE

Ed

dE

HH

(8)

(8)- ifadəsini 4

4

qiymətlərində sadələşdirmək olar onda

HkEkE 01000 02

1

2

1

2

H

)20

d(E

1dμ

1

)20

d(E

02E

02

μ

2H

02

μ

2

1

01

μ

H

01

μ

2

11

ε

04ππ

γ (9)

(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-

rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

6

04

)(

)()()(4

21

21

HEdivjdivt

n

hhDhD

DhhEHEhEHEEHEt

EJ

(10)

(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq

xxxx J

DDE

DDdx

Ed

DD

UU

dx

Ed

1111

0111

11

110

2

)()1(0

2

(11)

Burada 000 EU yy kiUDk

01

24 011 00EU

04

i 000 en

01

2

11 04 UikD y

00 101 en

2m

Lk

y

y

210 m

L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur

0)2()(4

14

1

0

2

1

2

00

1

2

2

2 0

Uk

kiy

k

kk

U

Di

k

ky

y

y

x

y

x

x

y

buradan

0Uk

yy

)( 2

0

0

2

0

Ed

dE

)( 2

0

1

1

2

01

0

0Ed

dE

(12)

guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c

H [5]

2

02211

3

SH

cETT

e

TD

e

TD

e

TD ef

efefef

ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv

temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın

boşluqda yayılma suumlrətidir

21H

c 02 b

aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-

tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir

iiy 1

2)(

22221 (13)

burada 22

0

c

H

2

2

0

12y

x

x L

L

LeE

T

)2(2

12 1

0

2

00

EL

Len

c

H

y

x δltlt1 və

αβltlt2β olduğundan

24

221

iy

22

20 iy (14)

(14) - ifadəsini 4

021

iUk y

022

2Uki y

kimi yazsaq

)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi

ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni

tUk y

enE02

2

~)(

kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa

)4

cos(

~)(

02

4

0

44

02

0202

tUkeA

eenE

y

Utk

UtUtUk

y

yy

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

7

kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02

4

0

Uytk

eAA

kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır

Belə halda sistem

020

4Uk y

(15)

tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir

XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI

Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln

muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-

ccedilik dəyişən gərginlik verilsə

deVtV ti

)()( (16)

olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni

Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)

olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-

pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq

kəsb edir

1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi

Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir

2) İmpedansın sıfırlarını

3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq

Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini

tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi

dxtxEtv

L

)()(0

(18)

kimidir

L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti

(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə

hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin

tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali

kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona

goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik

sahəsinin E(0t) və E

(Lt) qiymətləri məlum olduqda

muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də

fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə

elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-

mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar

Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli

ola bilər yəni

E(0t) = E

(Lt)=0 (19)

Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa

E(0t) = E

(Lt)=0 ρ

(0t) = ρ

(Lt)=0 (20)

olar

Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-

sə Puasson tənliyinə əsasən

ox

E

Lxx

0

(21)

yazmaq olar (19-20-21) ifadələri

00

11

xx

EE

022

Lxx

EE (22)

(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)

şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada

məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-

yacağıq yəni [2]

ikx

q

qeAJAxE 0)( (23)

olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici

dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-

rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)

tənliyini aşağıdakı kimi yazaq

xx JEadx

da

dx

d

212

2

(24)

olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-

runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-

ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir

x

xikxikJ

aecectxE

2

2121)(

(25)

dxtxEv

L

)(0

[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini

nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu

nəzərə alsaq

2

)(aJ

VZ

(26)

alarıq

0)1sin(cos

)1()(

11

1

1

1

11

01

1 11

xx

Lik

L

xik

LkLkik

c

eik

cxikde

ik

cx

x

Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir

)()1(0

11

10

0

k

ZZ

0

0

xLZ (27)

(27)

(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq

2

2

2

1

1120

0

2

2

2

1

2110

0

0

0

)(Im

)(Re

y

y

kU

Z

Z

kU

Z

Z

(28)

Burada

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

5

əgər i0

kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln

xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k

( H

E

) muumlstəvisində

deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur

Şəkil 2

0)90cos()90cos(4

coscos)(

18)90sin(

4

sinsinsinsin)(

184

22

012

0

1

1

2

0

11

002

00

2

000

0

0

0

00

Hi

HEEd

dHEi

Hi

EkEd

dEii

i

0 cossinsin 01000 0

HkEkE

cos)(

2sinsin

)(

2

)90cos()90cos()90sin(14

2

0

1

0

2

0

2

00

2

0

2

2

2

1

10

0

0

0

0

HEd

dE

Ed

dE

HH

(8)

(8)- ifadəsini 4

4

qiymətlərində sadələşdirmək olar onda

HkEkE 01000 02

1

2

1

2

H

)20

d(E

1dμ

1

)20

d(E

02E

02

μ

2H

02

μ

2

1

01

μ

H

01

μ

2

11

ε

04ππ

γ (9)

(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-

rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

6

04

)(

)()()(4

21

21

HEdivjdivt

n

hhDhD

DhhEHEhEHEEHEt

EJ

(10)

(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq

xxxx J

DDE

DDdx

Ed

DD

UU

dx

Ed

1111

0111

11

110

2

)()1(0

2

(11)

Burada 000 EU yy kiUDk

01

24 011 00EU

04

i 000 en

01

2

11 04 UikD y

00 101 en

2m

Lk

y

y

210 m

L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur

0)2()(4

14

1

0

2

1

2

00

1

2

2

2 0

Uk

kiy

k

kk

U

Di

k

ky

y

y

x

y

x

x

y

buradan

0Uk

yy

)( 2

0

0

2

0

Ed

dE

)( 2

0

1

1

2

01

0

0Ed

dE

(12)

guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c

H [5]

2

02211

3

SH

cETT

e

TD

e

TD

e

TD ef

efefef

ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv

temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın

boşluqda yayılma suumlrətidir

21H

c 02 b

aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-

tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir

iiy 1

2)(

22221 (13)

burada 22

0

c

H

2

2

0

12y

x

x L

L

LeE

T

)2(2

12 1

0

2

00

EL

Len

c

H

y

x δltlt1 və

αβltlt2β olduğundan

24

221

iy

22

20 iy (14)

(14) - ifadəsini 4

021

iUk y

022

2Uki y

kimi yazsaq

)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi

ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni

tUk y

enE02

2

~)(

kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa

)4

cos(

~)(

02

4

0

44

02

0202

tUkeA

eenE

y

Utk

UtUtUk

y

yy

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

7

kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02

4

0

Uytk

eAA

kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır

Belə halda sistem

020

4Uk y

(15)

tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir

XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI

Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln

muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-

ccedilik dəyişən gərginlik verilsə

deVtV ti

)()( (16)

olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni

Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)

olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-

pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq

kəsb edir

1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi

Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir

2) İmpedansın sıfırlarını

3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq

Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini

tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi

dxtxEtv

L

)()(0

(18)

kimidir

L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti

(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə

hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin

tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali

kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona

goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik

sahəsinin E(0t) və E

(Lt) qiymətləri məlum olduqda

muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də

fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə

elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-

mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar

Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli

ola bilər yəni

E(0t) = E

(Lt)=0 (19)

Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa

E(0t) = E

(Lt)=0 ρ

(0t) = ρ

(Lt)=0 (20)

olar

Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-

sə Puasson tənliyinə əsasən

ox

E

Lxx

0

(21)

yazmaq olar (19-20-21) ifadələri

00

11

xx

EE

022

Lxx

EE (22)

(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)

şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada

məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-

yacağıq yəni [2]

ikx

q

qeAJAxE 0)( (23)

olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici

dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-

rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)

tənliyini aşağıdakı kimi yazaq

xx JEadx

da

dx

d

212

2

(24)

olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-

runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-

ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir

x

xikxikJ

aecectxE

2

2121)(

(25)

dxtxEv

L

)(0

[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini

nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu

nəzərə alsaq

2

)(aJ

VZ

(26)

alarıq

0)1sin(cos

)1()(

11

1

1

1

11

01

1 11

xx

Lik

L

xik

LkLkik

c

eik

cxikde

ik

cx

x

Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir

)()1(0

11

10

0

k

ZZ

0

0

xLZ (27)

(27)

(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq

2

2

2

1

1120

0

2

2

2

1

2110

0

0

0

)(Im

)(Re

y

y

kU

Z

Z

kU

Z

Z

(28)

Burada

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

6

04

)(

)()()(4

21

21

HEdivjdivt

n

hhDhD

DhhEHEhEHEEHEt

EJ

(10)

(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq

xxxx J

DDE

DDdx

Ed

DD

UU

dx

Ed

1111

0111

11

110

2

)()1(0

2

(11)

Burada 000 EU yy kiUDk

01

24 011 00EU

04

i 000 en

01

2

11 04 UikD y

00 101 en

2m

Lk

y

y

210 m

L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur

0)2()(4

14

1

0

2

1

2

00

1

2

2

2 0

Uk

kiy

k

kk

U

Di

k

ky

y

y

x

y

x

x

y

buradan

0Uk

yy

)( 2

0

0

2

0

Ed

dE

)( 2

0

1

1

2

01

0

0Ed

dE

(12)

guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c

H [5]

2

02211

3

SH

cETT

e

TD

e

TD

e

TD ef

efefef

ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv

temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın

boşluqda yayılma suumlrətidir

21H

c 02 b

aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-

tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir

iiy 1

2)(

22221 (13)

burada 22

0

c

H

2

2

0

12y

x

x L

L

LeE

T

)2(2

12 1

0

2

00

EL

Len

c

H

y

x δltlt1 və

αβltlt2β olduğundan

24

221

iy

22

20 iy (14)

(14) - ifadəsini 4

021

iUk y

022

2Uki y

kimi yazsaq

)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi

ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni

tUk y

enE02

2

~)(

kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa

)4

cos(

~)(

02

4

0

44

02

0202

tUkeA

eenE

y

Utk

UtUtUk

y

yy

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

7

kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02

4

0

Uytk

eAA

kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır

Belə halda sistem

020

4Uk y

(15)

tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir

XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI

Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln

muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-

ccedilik dəyişən gərginlik verilsə

deVtV ti

)()( (16)

olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni

Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)

olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-

pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq

kəsb edir

1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi

Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir

2) İmpedansın sıfırlarını

3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq

Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini

tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi

dxtxEtv

L

)()(0

(18)

kimidir

L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti

(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə

hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin

tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali

kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona

goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik

sahəsinin E(0t) və E

(Lt) qiymətləri məlum olduqda

muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də

fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə

elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-

mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar

Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli

ola bilər yəni

E(0t) = E

(Lt)=0 (19)

Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa

E(0t) = E

(Lt)=0 ρ

(0t) = ρ

(Lt)=0 (20)

olar

Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-

sə Puasson tənliyinə əsasən

ox

E

Lxx

0

(21)

yazmaq olar (19-20-21) ifadələri

00

11

xx

EE

022

Lxx

EE (22)

(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)

şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada

məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-

yacağıq yəni [2]

ikx

q

qeAJAxE 0)( (23)

olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici

dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-

rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)

tənliyini aşağıdakı kimi yazaq

xx JEadx

da

dx

d

212

2

(24)

olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-

runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-

ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir

x

xikxikJ

aecectxE

2

2121)(

(25)

dxtxEv

L

)(0

[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini

nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu

nəzərə alsaq

2

)(aJ

VZ

(26)

alarıq

0)1sin(cos

)1()(

11

1

1

1

11

01

1 11

xx

Lik

L

xik

LkLkik

c

eik

cxikde

ik

cx

x

Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir

)()1(0

11

10

0

k

ZZ

0

0

xLZ (27)

(27)

(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq

2

2

2

1

1120

0

2

2

2

1

2110

0

0

0

)(Im

)(Re

y

y

kU

Z

Z

kU

Z

Z

(28)

Burada

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

7

kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02

4

0

Uytk

eAA

kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır

Belə halda sistem

020

4Uk y

(15)

tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir

XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI

Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln

muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-

ccedilik dəyişən gərginlik verilsə

deVtV ti

)()( (16)

olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni

Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)

olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-

pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq

kəsb edir

1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi

Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir

2) İmpedansın sıfırlarını

3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq

Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini

tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi

dxtxEtv

L

)()(0

(18)

kimidir

L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti

(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə

hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin

tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali

kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona

goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik

sahəsinin E(0t) və E

(Lt) qiymətləri məlum olduqda

muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də

fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə

elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-

mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar

Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli

ola bilər yəni

E(0t) = E

(Lt)=0 (19)

Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa

E(0t) = E

(Lt)=0 ρ

(0t) = ρ

(Lt)=0 (20)

olar

Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-

sə Puasson tənliyinə əsasən

ox

E

Lxx

0

(21)

yazmaq olar (19-20-21) ifadələri

00

11

xx

EE

022

Lxx

EE (22)

(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)

şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada

məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-

yacağıq yəni [2]

ikx

q

qeAJAxE 0)( (23)

olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici

dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-

rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)

tənliyini aşağıdakı kimi yazaq

xx JEadx

da

dx

d

212

2

(24)

olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-

runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-

ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir

x

xikxikJ

aecectxE

2

2121)(

(25)

dxtxEv

L

)(0

[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini

nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu

nəzərə alsaq

2

)(aJ

VZ

(26)

alarıq

0)1sin(cos

)1()(

11

1

1

1

11

01

1 11

xx

Lik

L

xik

LkLkik

c

eik

cxikde

ik

cx

x

Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir

)()1(0

11

10

0

k

ZZ

0

0

xLZ (27)

(27)

(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq

2

2

2

1

1120

0

2

2

2

1

2110

0

0

0

)(Im

)(Re

y

y

kU

Z

Z

kU

Z

Z

(28)

Burada

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV

8

4

)1()1(0

1

2

011

0

1

100

ykU

01

2

11 4 ykD

4

)(0

0112 0

Uk y 0

2

0 4 yDk

(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali

hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln

deyil ona goumlrə də

0

)(Re

Z

Z və

0

)(Im

Z

Z işarələrini

təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-

miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-

cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml

əsas rol oynayır 2

y

yL

k

0

2

2

ne

TL

eff

y

qiymətlərini (28)

ifadəsində yerinə yazsaq [8]

2

1

2

0

0

0

2

1

2

0

1

0

)(4

4)(Im

)(4

)(Re

Z

Z

Z

Z

(29)

(29)- ifadələrindən məlumdur ki

0

)(Im

Z

Z lt0 Deməli

nuumlmunədə tutum xarakterli C

Rtutum

1 (C-elektrik

tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır

0

)(Re

Z

Z - işarəsi-

nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və

φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-

luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1

olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda

φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir

Beləliklə

0

)(Re

Z

Z ifadəsinin mənfi qiymətində

0)(Re0

Z

RZ

[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin

tezliyini hesablayaq

1

01

2

02 )(4

R

Z (30)

(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-

mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli

şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n

kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı

olaraq fluktasiya edir

Şəkil 3

A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu

artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən

asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici

elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-

cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-

sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti

başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır

NƏTİCƏLƏR

N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik

və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-

nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin

μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır

Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən

asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan

nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr

Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-

dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]

hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-

dir ancaq vacibdir

________________________________

[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-

водников в сильных электрических полях

Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17

[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов

Доменная электрическая неустойчивость в

полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo

Москва 1972 стр16-20

[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433

1969

[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969

[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684

1969

[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937

[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı

Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and

Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of

Ganns Effect Progress of Theoretical Physics

Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ

9

[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov

and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3

2009 N8 293-298

[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn

AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5

2011 No1 25-30

BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev

EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS

WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE

It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its

size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave

amplitude exponentially depends on time

ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ

С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает

неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано

что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

10

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN

OumlYRƏNİLMƏSİ

ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV

1 NA SƏFƏROV

1 RS MƏDƏTOV

2

Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV

3 RM MUXTAROV

3

1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33

2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan

3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan

Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A

və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir

Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi

UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw

Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində

əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-

sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS

(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində

o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə

(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-

kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-

ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə

(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-

ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-

sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-

lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari

diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir

MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən

biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-

ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-

mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses

baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların

deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı

bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses

baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə

tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə

volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb

olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-

ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-

tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-

lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-

nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln

tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul

olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N

tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-

məsinə həsr edilmişdir

Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-

rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı

iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-

dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-

dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-

yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə

ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-

nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin

sıxlığı ~15000 pikselmm2

tərtibindədir MSFD-3A dio-

dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə

5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri

3mmtimes3mm-dir

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə

əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley

6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-

skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-

mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi

kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-

6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-

lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını

tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-

masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-

dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır

Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının

guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-

dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu

450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi

kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə

muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-

yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-

rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-

yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə

1times104 və 3times10

4 olduğu muumləyyən edilmişdir

Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-

ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı

MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma

muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-

tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və

davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-

sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-

ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ

11

ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-

tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-

tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda

bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun

birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-

yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa

olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin

665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)

Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma

muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-

ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir

Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi

amplitudların yubanma vaxtından asılılığı

Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N

diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-

lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-

dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-

dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-

nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir

hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-

tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]

Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa

olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı

Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-

rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti

MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin

MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-

mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir

________________________________

[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr

and Meth A 567 2006 70-73

[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl

Instr and Meth A 617 2010 78ndash80

[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions

Azerbaijan National Academy of Sciences

VolXXXI 2011 14-17

[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от

01062006

[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-

ма в журнал технической физики 2010 том 36

вып 11 стр83-89

ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov

STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES

This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A

and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments

ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров

ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ

ФОТОДИОДОВ

Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и

MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)

Qəbul olunma tarixi 24022012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

12

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ

ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

KR YUSİF-ZADƏ

AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı

Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen

işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln

optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji

istehlakıdır

Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa

UOT 01 04 07 19 12

1 GİRİŞ

Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-

parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur

ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə

demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan

yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə

(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın

keyfiyyətindən asılıdır

Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya

goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan

muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini

muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin

əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-

temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə

vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-

min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-

deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-

də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın

olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-

lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-

yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-

nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-

ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-

yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti

ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin

daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə

məlumat əldə edilir

2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ

Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-

logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-

fadə edilir

Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-

cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik

işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-

dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin

əlverişli olmasında əminlik yaradır

2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-

roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik

uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16

(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-

yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-

də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash

qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-

də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur

2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-

gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi

Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-

sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-

larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-

məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli

dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-

la 23 dəq)

Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq

mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-

min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-

timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-

sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-

masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır

Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх

işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-

dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq

təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu

lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir

(şək 1b)

a)

b)

Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ

13

Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və

ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların

əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən

aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa

muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-

miş spektridir

Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi

Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir

hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)

20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun

muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda

kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-

mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq

mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-

tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə

yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln

yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-

dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq

mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-

sı qeyd edilmişdir

3 XUumlLASƏ

Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-

landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-

non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır

- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi

- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması

- daha ccediloх əlverişli olması

- uzun хidmət muumlddəti

- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti

- yuumlksək təhluumlkəsizliyi

- yuumlksək komfort

- lampanın daha az temperaturu

Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha

boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik

olmaqla əvəzsizdir

___________________________

[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen

Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-

пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-

ruhsxslindexhtm

[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009

KR Yusif-zadə

LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER

Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures

operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of

the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption

Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities

КР Юсиф-заде

ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ

Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-

деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-

мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-

выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-

чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из

преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности

Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-

мой мощностью для освещения больших полостей

Qəbul olunma tarixi 15122011

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

14

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ

TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2

Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-

seslərinin proqnozları həll olunur

Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya

UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De

Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-

ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-

sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-

lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-

larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-

yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-

liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından

muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-

rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-

rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı

və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-

yuumlk yer verirlər [1]

Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-

zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf

edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa

eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-

ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-

ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin

praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən

biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində

mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-

masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi

toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində

ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-

silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-

namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə

olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-

ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-

məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox

zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-

fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-

taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-

lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan

istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa

və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-

hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan

asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə

yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə

adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-

ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji

(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-

onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi

halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-

şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-

zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-

susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-

vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi

birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-

kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-

seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-

delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-

ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-

loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya

uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin

aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə

əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə

saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-

ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-

şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox

məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə

aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-

ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər

Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə

olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional

şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-

dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-

zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan

muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-

rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin

olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının

qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-

delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-

si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə

muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-

yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda

adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-

rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr

olunmuşdur

Uumlsulun təsviri

ZTXPYF 0 0 (1)

şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-

yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln

model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-

lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman

intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-

muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər

hansı funksional operatordur

Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-

yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr

edək

1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş

məhdudiyyətlər

niZZZ iii 1

(2)

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN

15

(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi

)()()( 1

12

21

1 ZZZZZZVn

2 Funksional məhdudiyyətlər

kijcZZZfc jnjj )(

21

(3)

burada )(jf - nZZZ 21

funksiyası olub aşkar və

ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir

(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan

Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək

3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər

miniZZZ iii

(4)

burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-

rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]

(4) bərabərliyindən iZ təxminən

ii ZZ diapa-

zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab

verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək

4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər

iikjcZZZfc jnjj )(

21

(5)

(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-

zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin

oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-

rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]

)()()(010

iiiiit ZZZZZ (6)

Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə

aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur

]10[)( ZZt

(6) funksiyası 10

ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-

ponensial funksiya şərti daxilində

))()(exp(1()(010

iiiiiiit ZZZZaZ (7)

burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası

1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir

Qauss funksiyası uumlccediluumln

1

1 iii ZZ olduqda 121

])(1[)( iiiit ZZZ

0

1 iii ZZ olduqda 20

)]([exp()( iiiit ZZZ (8)

1 ii Z olduqda 250

)]([exp()( iiiit ZZZ

41

(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında

iiZ olduqda 0)( it Z

iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ

iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)

iiZ olduqda 1)( it Z

burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)

bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri

uumlzrə verilir

ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə

əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu

vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın

qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki

halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-

qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu

məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul

ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su

obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun

əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri

proqnozlaşdırılır

(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan

variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV

16

Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli

____________________________

[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев

ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л

Гидрометеоиздат 1991 425с

[2] Математические модели рационального при-

родопользования Сборник научных трудов

Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-

во РГУ 1979г

[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-

ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с

[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-

плывчатых условиях В сб Вопросы анализа

и процедуры принятия решений М 1976

212с

NM MURADOV RM HUMBATOV

MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES

IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY

In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-

cleaning processes are carried out

НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ

В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются

прогнозы процессов самоочищения воды

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

17

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu

AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2

Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-

dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-

lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun

spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır

Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya

UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e

Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması

yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona

goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-

ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan

texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb

edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-

lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-

ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması

uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-

sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də

dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-

ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-

muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq

səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması

da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş

verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-

də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-

larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən

verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək

olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər

uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-

tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur

NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU

Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln

Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin

bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-

cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-

ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş

oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk

xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində

nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-

ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-

fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-

mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik

olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır

Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-

trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma

reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-

sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-

lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik

qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-

dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-

rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər

ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı

yaradırlar [1]

Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-

dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-

radan ibarətdir (şəkil 1)

Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu

Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-

panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-

ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi

tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat

elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir

ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9

və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə

plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-

tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır

Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk

suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi

təyin edilir

12

11

k k

ee

R kv

k (1)

burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-

salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə

ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu

həm də anodun aşınmasının qarşısını alır

Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların

və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin

effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə

şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu

isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir

Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-

şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon

monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə

məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

18

atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr

Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-

məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-

rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı

olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada

bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-

sında istifadə olunur

İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-

LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU

- 5middot1015

sm-3

konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)

silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)

Şəkil 2 Silisium altlıq

- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020

sm-3

)

- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-

ləşməsi

- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması

- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya

- Al-un aşınması

- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)

Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması

- II fotolitoqrafiya (kontakt)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)

Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası

- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)

- Al-un kimyəvi aşınması

- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)

Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması

- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya

- Kristalların doğranması (şəkil 6)

Şəkil 6 Kristalların doğranması

- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların

kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)

Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta

ccediloumlkduumlruumllməsi

TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN

MUumlZAKİRƏSİ

İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-

əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki

emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur

Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı

IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-

rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-

metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ

19

Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-

qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-

luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna

ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan

muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-

dir Qəfəsin parametrləri

a = 689 b =1314 c =689 β =1200

Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-

hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan

oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin

quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu

vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir

Cədvəl 1 Debay

radiusu mm

dnkl A0

IrSi-p-Si

Dnkl A0

IrSi-n-Si

Debay

radiusu

mm

1049

1313

1345

1626

1638

1892

1988

2116

361

318

289

245

231

198

199

168

342

293

242

206

186

167

1121

1286

1551

196

2046

2258

Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi

(9x9 mkm)

İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub

oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-

ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-

sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir

Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi

IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-

tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə

oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-

tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-

maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı

guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-

mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs

olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-

munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən

siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-

rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-

rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq

siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-

ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron

detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-

metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-

manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur

Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-

55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-

ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq

həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-

toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS

pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-

da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr

Nuumlmunədə yaranan gərginlik

U = (J - J0) Rn

cərəyan şiddəti isə

0n

JR R R

0

0n

JR R

burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -

işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-

dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln

muumlqavimətidir

Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin

olunmuşdur

2 2

1 msR C h h

12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-

dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-

a bərabər olmuşdur

Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc

1 22 arcsin

360

lDR

F dn

2

1 2

1

R d

d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2

ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K

temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır

Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-

kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı

azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında

fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-

məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini

təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə

deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də

goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV

20

boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin

enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik

metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-

rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd

edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır

belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-

tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-

mir

Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları

əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si

əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-

həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-

lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa

IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər

Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir

Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən

boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln

boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə

deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-

ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas

daşıyıcılar hesab olunur

Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası

______________________

[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-

торы плазмы М Энергоатомиздат 1985

153с

[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-

ков Физика и техника полупроводников

1999 том 33 вып 3 с 327-331

[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э

Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-

водников 2012 том 46 вып1 с 70-76

[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild

XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16

EA Kerimov NF Kazimov

IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES

Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of

nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the

regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic

of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases

ЭА Керимов НФ Казимов

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций

для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для

выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная

характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к

свету

Qəbul olunma tarixi 12032012

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az

21

CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu

Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33

CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-

lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-

məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-

rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir

Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə

UOT 101134C00 201 685 110 200 63

S42 fəza qrupunda kristallaşan A

2B

32C

64 yarımkeccediliri-

ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-

yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-

nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-

duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin

hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar

[1-3]

Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K

temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-

qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya

spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-

da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-

1000 civə lampasından istifadə edilmişdir

Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-

lyuminessensiya spektrləri

Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-

rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-

ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar

şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib

və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil

edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-

nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki

otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-

də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir

(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı

duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də

(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-

ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma

malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə

490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr

Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının

şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-

ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-

dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr

Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-

yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash

II zolaq)

Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma

şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı

şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-

mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-

ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir

Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash

da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4

qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV

22

energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda

şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə

uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent

zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki

valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1

zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində

muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda

yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -

ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik

keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən

kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O

biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]

Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-

məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-

peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını

keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə

əlaqələndirə bilərik

Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları

uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-

ğından formulasına goumlrə [6] enerji

aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab

etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın

dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-

ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti

goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-

siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr

aşkar edilib

Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-

dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq

iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-

ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-

nur

Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-

da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda

parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-

tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın

şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-

da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan

şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır

Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının

fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan

qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının

xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin

kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-

viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların

sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-

yası baş verir

Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-

siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya

mərkəzləri də vardır

____________________________

[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП

1999 т 33 в5 с513-536

[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина

ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N

ФТП 2003 т37 в5 с 572-577

[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица

Твердотельные оптические фильтры на

гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD

1998

[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев

РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3

с493-497

[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский

ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451

[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-

несценции кристаллофосфоров М Мир 1966

324с

TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov

RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4

The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are

presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to

77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of

photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification

ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов

ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4

Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В

спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры

до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-

пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация

Qəbul olunma tarixi 15032012

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

23

SC Ələkbərov

SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ

Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-

fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib

hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-

keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas

metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir

SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev

YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON

YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR

Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron

yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir

TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov

İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ

Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye

kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-

ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun

perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar

olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur

YH Huumlseynəliyev

p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ

Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ

Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda

alınan ccediloxnuklonlu C12

qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln

belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu

hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-

ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni

CdydNevN

pndydNevN

R

12)](1[

2)](1[

Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0

( NMlpE )(0

burada E -tam enerji lp -im-

pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion

rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır

ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev

QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN

ANOMALİYALARI

Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-

qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik

hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-

ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir

Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev

İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL

XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI

İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-

lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

FİZİKA vol XVII 4 section En

BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ

24

Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva

Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR

Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında

polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-

lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-

raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir

HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov

(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ

Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır

Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi

qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-

mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-

mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən

edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir

BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov

YbGa2S4Er3+

KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ

λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı

tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-

nizmləri muumləyyən edilmişdir

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

ISSN 1028-8546

2012 Cild XVIII1

Section Az

MUumlNDƏRİCAT

1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq

BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev

3

2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi

ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov

Xİ Abdullayev RM Muxtarov

10

3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi

KR Yusif-zadə

12

4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin

modelləşdirilməsi

NM Muradov RМ Huumlmmətov

14

5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri

EƏ Kərimov NF Kazımov

17

6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası

TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov

21

7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi

23

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1

wwwphysicsgovaz

wwwphysicsgovaz

  • cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
  • Titl_21-2012-az
  • art12180138i
  • art12180139
  • art12180140
  • art12180141
  • art12180142
  • art12180143
  • Annotasiyalar
  • Contents
  • cov_titul_Phys_0_back_Layout 1