Gesellschaft für Materialberechnung mbH

Annaberger Straße 24009125 Chemnitz

E-Mail info@matcalc.de

Telefon 0371 / 5347 - 591Telefax 0371 / 5347 - 554

Geschäftsbereich derAQcomputare Gesellschaft fürMaterialberechnungmbH

DienstleistungsangebotOurservices

Wir lassen die Atome tanzenWe make the atoms dance

Stand August 2 013

Unser Weg ans ZielHow we do - what we do

» computersimulations incontractresearch

Our team of experts analyzes your specificproblem. In close cooperation with you thedetailed project content is defined. At thisbasis, state of the art simulation tools are applied toobtain a profound knowledge about your material systemat an atomic scale. Finally, our team of physicists,chemists, engineers and software developers providesyou with recommendations for your proceeding R&Dproject.

» Computersimulationen in derAuftragsforschung

Unser Team analysiert Ihre konkreteProblemstel lung und legt mit Ihnenzusammen den genauen Projektinhalt fest.

Auf dieser Grundlage erhalten Sie durch den gezieltenEinsatz modernster Computersimulationswerkzeuge eintiefgründiges Verständnis Ihres Materialsystems auf deratomaren Skala. Als Ergebnis entwickelt unserExpertenteam von Physikern, Chemikern, Ingenieurenund Softwareentwicklern eine weiterführendeForschungsempfehlung für Ihr R&D-Vorhaben.

» Unsere Kompetenzen

Wir sind ein unabhängiges Team vonhochqual ifizierten Wissenschaftlern undIngenieuren aus dem Bereich dercomputerbasierten Materialwissen-

schaften. Durch beste Kontakte zu universitären undinstitutionel len Forschergruppen verfügen wir auf dereinen Seite über das wissenschaftl iche Knowhowweltweit anerkannter Wissenschaftler. Andererseitsbesitzen wir aber auch die Flexibi l i tät um kurzfristigeAufträge aus der Wirtschaft bearbeiten zu können.

» Projektverlauf

Typische Forschungs- und Entwicklungsprojekte besitzen eine Laufzeit zwischendrei Monaten und einigen Jahren. Aberauch kurzfristigere Anfragen bearbeiten

wir gerne. Die anfal lenden Kosten hängen dabei sehrstark vom personel len und rechentechnischen Aufwandab. Durch die Einwerbung öffentl icher Fördergelderkönnen diese jedoch um bis zu 50% reduziert werden.

» ourcompetencies

We are an independent team of leadingscientists in the field of computer basedmaterials sciences. On the one hand, ourexcellent relations with several groups ofacademic and institutional researches provides us withthe know-how of leading scientific experts, on the otherhand, we are flexible enough to handle request on shortnotice from the industry.

» course ofproject

Common research and developmentprojects have a contract period betweenthree month and several years. However,also request on short notice are gladly processed. Thecosts depend strongly on the necessary human andcomputational resources. The application for publicgrants can reduce these financial expenses by up to 50%.

Unsere ArbeitsweiseOur work flow

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Ihre Vorteile im ÜberblickYour benefits at a glance

» patents & privacy

Moreoverwe supportyourregistration ofpatents and property rights.

Confidential and privacy havehighestpriority.

» cheaper

By all these points yourcompany willachieve smallerexpenses forR & D

» faster

shorterdevelopmentand production cyclesby reduction ofnecessary experiements

» optimization

Improvementofmaterial properties bywell-directed optimization ofyourmaterial

system.

» deeperinsights

You gain detailed physical and chemicalknowledge aboutyourmaterial system on

an atomic scale.

» public grants

We supportyou by the application ofpublic grants foryourR&D project.

» Billiger

Durch al le diese Punkte erreichen Sie eineKostensenkung für Forschung undEntwicklung.

» Schneller

Kürzere Entwicklungs- und Produktzyklenmittels Reduktion der notwendigen Experi-mente.

» Optimierung

Verbesserung von Materialeigenschaftendurch gezielte Optimierung des Materialsys-tems.

» Tieferes Verständnis

Sie gewinnen ein detai l l iertes physikal ischesund chemisches Verständnis über ihr Materi-alsystem auf atomarer Ebene.

» Patente &Geheimhaltung

Des Weiteren unterstützen wir sie gern beider Registrierung von Patenten undSchutzrechten.

Geheimhaltung und Vertraul ichkeit habenbei uns oberste Priorität.

» Fördermittel

Wir beraten Sie aktiv bei der Beantragungöffentl icher Fördermittel für IhrForschungsprojekt.

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Ihr ForschungsvorhabenYour Research Project

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Verstehen was Materialien im Innersten zusammenhältComprehending, what keeps materials together in their innermost

Mit H i lfe von ab initio Molekulardynamik lassen sichdetai l l ierte Aussagen über die Struktur von Molekülenund deren Wechselwirkung mit anderen Stoffen treffen.Chemische Reaktionen können so virtuel l dargestel lt,beschrieben und verstanden werden.

Praktische Anwendungen l iegen zum Beispiel im Bereichvon:

» Oberflächenbeschichtung,» Lösungsvorgängen,» Polymersynthese,» Katalyse.

Die unten befindl iche Grafik zeigt Momente einerchemischen Reaktion.

Via ab initio molecular dynamic detailed statementsabout the structure of molecules as well as theirinteraction with other materials can be made. In thisway, chemical reactions can be described andunderstood by virtually computerexperiments.

Applications are forexample in the fields of:

» surface coating,» dissolubility processes,» polymere synthesis,» catalysis.

These figure below shows the process steps of achemical reaction.

Energetischer Verlauf einer chemischenReaktion (siehe Rückseite)

» A: Edukte» B: Übergangszustand» C: Produkte

Energetic Reaction Path (see backside)

» A: reactants» B: transition state» C: products

C PROab initio calculations of chemical properties

In modern microelectronics, integratedcircuits become smaller and smaller. Thisleads to increased capacitive losses. Toreduce these losses materials with a verylow dielectric constant - so-called ultra-low-k (ULK) materials - are used within theinsulation layers. However, by certain manufacturingprocesses hydroxyl groups are incorporated in the ULKsurface. They lead to a higher polarity and by moistureuptake to an increase of the dielectric constant. Apossible solution to this problem is the treatment of ULK

surfaces with silazanes. This processis often referred to as k-restoring.

Figures A, B and C show the mainsteps of the chemical reaction ofbis(dimethylamino) dimethylsilane(DMADMS) with the hydroxyl group ofa silanol, which serves as a model ofatypical ULK-surface group.

Based on an O-H-N bond formation inFigure A, a pre-reaction complexbetween DMADMS and silanol isformed. If the latter has a sufficientlyhigh activation energy (EA) , a protontransfer from the silanol to thenitrogen of DMADMS is possible. Thetransition state (point of highestenergy) is shown in Figure B. Afterpassing the transition state of thereaction the products are formed.This is done by a weakening of the Si-N bond, so that the silanol can bind tothe silicon of the DMADMS. Figure Cshows the formed product moleculeswith the Si-O-Si bridge bond.

By the use of silazanes one cansilylate hydroxyl groups andintroduce carbon into the systems.This allows a controlled variation ofsurface free energy and a reductionof the dielectric constant. By specificcalculations of the activation andreaction energies, the effectivenessof various silazanes can bedetermined.

More details ofthese calculations canbe found in O.Böhm et al. , Phys ChemA 201 1 , 1 1 5, 8282 or at

http://www.matcalc.de.

In der modernen Mikroelektronik werdenintegrierte Schaltkreise immer kleiner undkleiner. Dadurch treten vermehrt kapazitiveVerluste auf. Um diese zu reduzierenverwendet man in den IsolationsschichtenMaterial ien mit sehr geringer

Dielektrizitätzkonstante – so genannte ultra-low-k (ULK)Material ien. Al lerdings werden bei bestimmtenFertigungsprozessen H ydroxylgruppen in der ULK-Oberfläche eingelagert. Diese führen zu einer höherenPolarität und durch die Adsorption von Wasser zu einemungewünschten Anstieg derDielektrizitäts-konstante. Einemögl iche Lösung für dieses Problem istdie Nach-behandlung der ULK-Oberflächen mit Si lazanmolekülen.Dieser Prozess wird häufig auch als k-restoring bezeichnet.

Abb. A, B und C zeigen die wichtigstenReaktionsschritte der Chemikal ieBis(dimethylamino)dimethylsi lane(DMADMS) mit der H ydroxylgruppedes Si lanols, welches hier als Model leiner typischen ULK-Oberflächen-gruppe fungiert.

Basierend auf einer O-H -N Brücken-bindung bi ldet sich in Abb. A einVorreaktionskomplex zwischenDMADMS und Si lanol aus. Besitztdieser einer genügend hoheAktivierungsenergie (EA), so ist einProtonentransfer vom Si lanol zumStickstoff des DMADMS mögl ich. DerÜbergangszustand (Punkt derhöchsten Energie) ist in Abb. B zusehen. Nach Überwindung desÜbergangszustandes werden die Re-aktionsprodukte gebi ldet. Dies ge-schieht durch eine Lockerung der Si-NBindung, wodurch das Si lanol an dasSi l izium des DMADMS binden kann.Abb. C zeigt die gebi ldeten Produkt-moleküle mit der Si-O-Si Brücke.

Durch die Verwendung von Si lazanenkönnen H ydroxylgruppen si lyl iert undKohlenstoff in die Systeme einge-bracht werden. Dies ermögl icht einekontrol l ierte Veränderung der freienOberflächenenergie und eine Ver-ringerung der Dielektrititäts-konstante. Durch gezielteBerechnung von Aktivierungs- und Reaktions-energienkann die Wirksamkeit verschiedener Si lazane bestimmtwerden.

Weitere Detai ls dieser Rechnungen können in derfolgenden wissenschaftl ichen Veröffentl ichung O. Böhm etal . , Phys Chem A 2 011, 115, 82 82 oder unterhttp: //www. matcalc. de/ nachgelesen werden.

C PROan example in detail

Die Anforderungen an moderne Werkstoffe steigenThe requirements ofmodern materials are rising

Die Berechnung der elektronischen Eigenschaften einesneuen Materials ist nur dann zuverlässig, wenn dierelevanten - insbesondere auch quantenmechanischenEffekte - berücksichtigt werden.

Durch die Verkleinerung elektronischer Bauelemente zunn aa nn oo ss ttrruu kkttuu rrii ee rrttee nn BB aa uu ttee ii ll ee nn ergeben sich neuartigeaa ttoo mm ss kkaa ll ii gg ee EE ffffee kkttee, welche sich nur unter Zuhi lfe-nahme von "ab initio" Methoden beschreiben lassen.Auf diese Weise ist zum Beispiel eine Vorhersage von:

» Tunnelströmen,» Dielektrischen Eigenschaften,» Defektbildungsenergien,» Zustandsdichten und Bandstrukturen

mögl ich. Die unten befindl iche Grafik zeigt dieModel l ierung einer atomskal ige Berechnungen zur Be-dstimmung des elektronischen Transportes durch einMolekül .

The calculation of electronic properties of a newmaterial or component can only be made on a basis ofatheory that consider all relevant effects, in particularquantum mechanical effects.

Due to proceeding reductions ofelectronic componentsto nanostructured components, there will be atomicscale effects, which can only be described with ab initiomethods. Only with the aid of these methods it is forexample possible to give an exactprediction on:

» tunnel current,» dielectric properties,» defect energies or» density of states and band structures.

The figure shows an example of atomic scalecalculations for the determination of the electronictransport in an organic molecul.

» Elektronischer Transport durch ein Molekül(siehe Rückseite fürweitere Details)

» electronic transport in an organic molecul(see backside forfurtherdetails)

E PROab initio calculations of electronic properties

Atomskal ige ab initio Model l ierung wird zurBerechnung und Vorhersage vonstrukturel len-, opto-elektronischen- undTransporteigenschaften neuer Material ienund Nano-Strukturen eingesetzt. Dazugehören unter anderem auch organische

oder an-organischen Molekülen, Nano-Clustern und ein-dimensionalen Systemen wie z. B. Nano-Drähten undNano-Röhren.

Die elektronische Struktur und die optischenEigenschaften inklusiver der entsprechendenphysikal ischen Größen wie z. B.Bandstruktur, Bandlücke, dieelektronische Zustandsdichte,H OMO / LUMO-Niveaus, Defekt-niveaus innerhalb der Bandlücke,optische Bandlücke, Schwingungs-moden und die Bandstruktur derPhononen, Dielektrizitätskon-stante, Spinaufgelöste Elektronen-dichte usw. sind al les Material -eigenschaften, die basierend aufatomaren Anordnung des Systemsberechnet werden können.

Im folgenden Beispiel wird gezeigt,wie diese Methodik für dieBerechnung der Leitfähigkeit einesDi-thiol Benzol Molekül (DTB)zwischen zwei Gold (111)-Elektroden verwendet wird. Dererste Schritt ist die Berechnung derAtomstruktur des Systems. DieGoldelektroden werden von derrelaxierten Struktur eines per-fekten FCC Goldkristal l konstruiert.Die atomare Struktur des DTB-Moleküls und die optimale Positiondes DTB auf den 111 Gold-Oberflächen werden dann mit dergleichen Methode berechnet.

Danach wird die elektronischeStruktur berechnet und inKombination mit NEGF Transport-formal ismus die Leitfähigkeit beiverschiedenen angelegten Spann-ungen ermittelt. DieEnergie aufgelöste Transmissionswahrscheinl ichkeit vonElek-tronen über das DTB-Molekül , sowie IV-Kennl inie desentsprechenden Nano-Bauelementes sind in denAbbi ldungen dargestel lt. Dieses Beispiel zeigt wie diedirekt messbaren physikal ischen Größen eines nano-Systems mit der leistungsfähigen abinitio Methodikparameterfrei und auf atomarer Skala berechnet undmodel l ieren werden kann.

First principles ab initio modeling could beapplied to the investigation and predictionofstructural, opto-electronic, and transportproperties of new materials and nano-structures. These include different organicor inorganic molecules, nano-clusters andone-dimensional systems such as nano-wires and nano-tubes.

The electronic structure and optical properties and thecorresponding physical quantities such as bandstructure, band gap, density of electronic states,

HOMO/LUMO levels, defect levelswithin the band gap, optical bandgap, vibration modes and the bandstructure of phonons, dielectricresponse and dielectric function,spin density and etc. are allmaterial properties which could becalculated based on atomicarrangementofthe system.

In the following example we showhow these methods could beapplied to the calculation of theconductance of the Di-thiolbenzene between (DTB) to gold(1 1 1 ) electrodes. As mentionedabove the first step is thecalculation of relaxed geometry ofthe system. The gold electrodes areconstructed from the relaxedstructure of a perfect FCC goldcrystal. The atomic structure ofDTBmolecule and the optimal positionof DTB on the 1 1 1 gold surfaces isthen calculated with the samemethodology. After constructingthe relaxed structure electronicstructure calculation combinedwith NEGF transport formalism areapplied to the calculation of theconductance at different appliedvoltages. The energy resolvedtransmission probability ofelectrons across DTB molecule, aswell as I-V characteristic of the

corresponding nano-junction is depicted in figures. Thisexample shows the power of this methodology tocalculate directly measurable physical quantities basedon a first-principles parameter free and atomic scalemodel.

E PROan example in detail

Computergestützte MaterialforschungVirtual material screening

Zur gezielten Beeinflussung der Eigenschaften einesMaterialsystems wird ein genaues Verständnis derzugrunde l iegenden physikal ischen Effekte benötigt.

Eine Vielzahl dieser Eigenschaften lassen sich nur mitH i lfe quantenmechanischer Berechnungen exaktbeschreiben. Anwendung l iegen im Bereich von:

» Rissmodellierung,» Haftungseigenschaften,» Spannungs-Dehnungs-Diagramme,» Kristallzüchtung,» Phasenübergänge,» Nanostrukturen (Quantenpunkte, -drähte).

For specific manipulation of a material system an improved un-derstanding ofthe fundamental physics is necessary.

Most of this effects can only be developed with quantummechanical calculations. Applications are for example in thefields of:

» crack modeling,» adhesive strength,» stress–strain diagrams,» crystal growth,» phase diagrams,» nano structures (quantum dots and wires).

» Zu sehen ist eine Momentaufnahme eineratomaren Simulation eines Wachstums-prozesses aus derGasphase.

» One can see a snapshot of an atomicsimulation of a deposition process from thevapourphase.

S PROab initio calculations of structural properties

In many areas crystalline or amorphousstructures with specific properties arerequired. One way to obtain such materialsis the growths on existing crystal structures(substrate materials) . Such a processshould be illustrated in the following.

In Figure (a) a crystalline substrate material (yellow)consisting of a fictitious atom type A before the start ofthe growth process (t = t0) is shown. Subsequently theactual simulation starts. Thereby, the substrate and gastemperature as well as the gas flow can be specified as

external parameters.

In the Figures (b) and (c) asnapshot of the growthprocess at time (t1 > t0) isshown. Depending on the gastemperature Tg one canalready identify firstdifferences. First "islands" areformed, consisting on thedeposited material of atomtype B (olive) . Above a criticaltemperature Tc these islandsare much larger and morecohesive, while below thecritical temperature severalsmall islands are formed. Thereason for this behavior lies inthe mobility of adsorbedatoms. At lower gastemperatures, the atoms canmove slower on the substratesurface. This means inparticular that at lowtemperatures it becomesincreasingly difficult for theatoms to reach an idealadsorption position. Those arefound particularly at theedges of islands, becausethere is a larger number ofneighboring atoms availablethan on the flatsurface.

The snapshots (d) and (e) at alater time (t2 > t1) confirm this trend. At lowertemperatures the material B growths preferably in anamorphous structure, while at higher temperatures acrystalline, layerwise growth can be observed.

In vielen Bereichen werden kristal l ine oderamorphe Strukturen mit ganz bestimmtenEigenschaften benötigt. Eine Mögl ichkeit zurH erstel lung solcher Material ien ist das„ Aufwachsen“ auf vorhandenen Kristal l -strukturen (Substratmaterial ien). Ein

solcher Prozess sol l hier veranschaul icht werden.

In Abbi ldung (a) ist zunächst ein kristal l ines Substrat-material (gelb) bestehend aus einer fiktiven Atomsorte Avor dem Start des Wachstumsprozesses (t= t0) dargestel lt.Danach beginnt die eigentl iche Simulation. Dabei werdendie Substrat- und Gastem-peratur sowie der Gasfluss alsäußere Parameter vorgegeben.

In den Abbi ldungen (b) und (c)ist eine Momentaufnahme desWachstumsprozesses zumZeitpunkt (t1 > t0) zu sehen. InAbhängigkeit von der Gastem-peratur Tg können hier schonerste Unterschiede aus-gemacht werden. Es bi lden sicherste “Inseln” des aufwach-senden Materials der Atom-sorte B (ol ivfarben) aus.Oberhalb einer kritischen Tem-peratur Tc sind diese deutl ichgrößer und zusammenhäng-ender, während sich unterhalbder kritischen Temperaturmehrere kleine Inseln aus-bi lden. Der Grund für diesesVerhalten l iegt in der Beweg-l ichkeit der adsorbierten Atomebegründet. je niedriger die Gas-temperatur ist, destoschlechter/langsamer könnensich die Atome auf derOberfläche bewegen. Dasbedeutet insbesondere, dasses bei niedrigen Temperaturenden Atomen zunehmendschwerer fäl lt mögl ichst idealeAdsorptionspositionen einzu-nehmen. Solche sind haupt-sächl ich an den Kanten vonInseln zu finden, da hier eine größere Anzahl von Nachbar-atomen zur Verfügung steht als auf der flachen Ober-fläche.

Die Momentaufnahmen (d) und (e) zu einem späterenZeitpunkt (t2 > t1) bestätigen diesen Trend. Beiniedrigeren Temperaturen wächst das Material Bvorzugsweise amorph auf, während bei höherenTemperaturen ein kristal l ines, lagenweises Wachstumbeobachtet werden kann.

S PROan example in detail

Molecular ModellingMit etwas Kleinem, Großes bewegen!

Eine adäquate atomskal ige Beschreibung derchemischen und physikal ischen Eigenschaftenkomplexer Prozesse erfordern Zeit- und Längenskalen,welche mit reinen ab inito Methoden nicht erreichtwerden können. H ierzu zählen unter anderem:

» Bruch- und Rissbildung in Verbundmaterialien» Diffusion von Makromolekülen durch Membranen» Verbrennungsreaktionen in einem Reaktor» Erstarren von Polymerschmelzen» Reibungs- und Abriebprozesse

Die Simulation solcher Prozesse ist mit einem reaktivenKraftfeld (ReaxFF) mögl ich. Die Beschreibung derinteratomaren Wechselwirkungen durch analytischeFunktionen ermögl icht die Simulation aufmesoskopischen Zeit- und Längenskalen bei exzel lenterGenauigkeit. Die besondere H erausforderung besteht inder optimalen Wahl der Potentialparameter. DieEntwicklung von individuel l angepassten Parameter-sätzen ist eine der Kernkompetenzen von MATcalc.

An adequate description of the chemical and physicalproperties of complex processes at the atomic scalerequire time and length scales, which can not beachieved with pure ab initio methods.

These include, among others:

» Breaking and cracking in composite materials» Diffusion of macromolecules through membranes» Combustion reactions in a reactor» Solidification of polymer melt» Friction processes

The simulation of such processes is possible with areactive force field (ReaxFF) . The description of theinteratomic interactions by analytical functions allowsthe simulation on mesoscopic time and length scaleswith excellent accuracy. The particular challenge is theoptimal choice of the potential parameters. Thedevelopment ofcustomized parameter sets is one ofthecore competencies ofMATcalc.

» Die Abbildung zeigt den Übergang von derfesten zur flüssigen Phase von Methan. Links:Fest; Rechts: Flüssig; Deutlich zu erkennen istder Sprung der Enthalpie aus welcher sich dieSchmelzwärme bestimmen lässt.

» The figure shows the transition from thesolid to the liquid phase of methane. Left:solid; Right: liquid; Clearly visible is the jumpof the enthalpy from which the heat of fusioncan be determined.

ReaxFF+Large scale calculations of complex systems

Adapted to your individual requirementsand available resources, we offer a flexiblerange of services. These range from thedevelopment of optimized parameter setsand providing a simulation environment toa complete package with a detailedanalysis of your problem resulting in a customizedsolution. We'll gladly assist you in finding the optimalpackage in order to achieve maximum efficiency insolving yourproblem.

Ourrange ofservices:

BasicAfter an analysis of your problem, we develop anoptimized parameter set and/or new potentials.These can then be used in LAMMPS or your ownprogram packages to perform the necessarysimulations.

Basic plusThis package is an extension of the basic package.We provide all the necessary ReaxFF simulationsoftware including support, ready-for-use in avirtual machine, so that you can run the simulationsyourself.

Optionally, the virtual machine can be hosted atMATcalc.

PremiumThe focus is on the efficient solution ofyourproblemusing ReaxFF. We offera comprehensive full servicepackage:

» Detailed analysis of the problem» Development of an optimized set of parameters» Selection of the necessary simulation» Execution of simulations on our cluster» Evaluation and analysis of results

Angepasst an Ihre individuel len Bedürfnisseund verfügbaren Ressourcen bieten wir einflexibles Leistungsspektrum an. Dies reichtvon der Entwicklung optimierter Parameter-sätze über die Bereitstel lung einerSimulationsumgebung bis hin zu einem

Komplettpaket zur maßgeschneiderten Lösung ihresProblems. Dabei beraten wir sie gern bei der Auswahl deroptimalen Pakete um ein Maximum an Effizienz bei derLösung ihrer Fragestel lung zu erzielen.

Unser Leistungsspektrum:

BasicNach einer Analyse Ihrer Problemstel lung entwickelnwir einen dafür optimierten Parametersatz und/oderPotentiale. Diese können Sie dann in LAMMPS oderihrem eigenen Programmpaket verwenden, umselbst die notwendigen Simulationen durchzuführen.

Basic plusDieses Paket ist eine Erweiterung des Basic Pakets.Wir stel len Ihnen die zur ReaxFF-Simulationnotwendige Software inkl . Support auf einer sofortfunktionsfähigen virtuel len Maschine bereit. Sieverwenden diese dann selbstständig.

Optional kann die virtuel le Maschine auch beiMATcalc gehostet werden.

PremiumIm Fokus steht die Effiziente Lösung ihrerProblemstel lung mittels ReaxFF. Dazu bieten wireinen umfangreichen Komplettservice:

» detaill ierte Problemanalyse» Entwicklung eines optimierten Parametersatzes» Auswahl der notwendigen Simulationen» Durchführung der Simulationen auf unserem

Cluster» Auswertung und Analyse der Ergebnisse

AQcomputareGesellschaft für Materialberechnung mbH

Geschäftsbereich MATcalc

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Telefon 0371 / 5347 - 591Telefax 0371 / 5347 - 554

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\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\

\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\Prof. Dr. Christian Radehaus

Gesellschafter

EE radehaus@matcalc.de

TT +49 371 5347 552FF +49 371 5347 554

Dr. Philipp Plänitz

GeschäftsführenderGesellschafter

plaenitz@matcalc.de EE

+49 371 5347 590 TT+49 371 5347 549 FF

Prof. Dr. Christian Radehaus leitete bis zum Jahr 2 008 dieProfessur für Opto- und Festkörper-lektronik an derTechnischen Universität Chemnitz. Nach seinerEmeritierung widmet er sich der Materialberechnung.Durch die Schwerpunkte der Lehre im Bereich derNanotechnologie, Atomic Scale Engineering und derIntegrierten Optik trägt er wesentl ich zur wissenschaftl ichfundierten Arbeit der AQcomputare GmbH bei .

Prof. Dr. Christian Radehaus was the former chair of solidstate physics and opto-electronics at the ChemnitzUniversity of Technology until the year 2008. Afterreceiving emeritus status in 2008, Prof. Radehaus devotedhimself for the material calculations. Because of his mainareas ofresearch and teaching in nanotechnology, atomicscale engineering and integrated optics, he contributesthe scientific founded workofAQcomputare GmbH.

The foundation of the companyAQcomputare is registred in the traderegister of Chemnitz. The entry into thecommercial register took place on the 1 1 . thofNovember2009.

The AQcomputare had its origins in the business area ofmaterial calculation at the GWT-TUD GmbH. Havingstarted out initially with three employees the main taskswere located in the sector for calculation of electronicproperties for the microelectronic, which were finishedsuccessfully.

The AQcomputare complained itself as an independentscientific service provider for interdisciplinary task withincontract researches in cooperation with associatedcompanies.

The company is subdivided into three sectors:

» material calculations on an atomic scale» simulations within FEM-Modeling» renting of computer resources

Die Firmengründung der AQcomputareGesel lschaft für Materialberechnung mbHerfolgte am 11. November 2 009 mit demEintrag in das Chemnitzer H andelsregister.

Ihren Ursprung hat die AQcomputare im GeschäftsbereichMaterialberechnung der GWT-TUD GmbH. Mit zunächstdrei MitarbeiterInnen wurden hauptsächl icheAufgabenstel lungen auf dem Gebiet der Berechnung vonelektronischen Eigenschaften für die Mikroelektronikerfolgreich bearbeitet.

Zusammen mit Partnerfirmen versteht die AQcomputaresich als unabhängiger wissenschaftl icher Dienstleister fürinterdiszipl inäre Aufgabenstel lungen in der Auftrags-forschung.

Die AQcomputare gl iedert sich in drei Geschäftsbereiche:

» Materialberechnung auf atomarem Niveau» Simulation mittels FEM-Modellierung» Vermietung von Computerressourcen

Dr. Phi l ipp Plänitz studierte ab 1999 an der TechnischenUniversität Chemnitz den Diplomstudiengang Physik. In-nerhalb der Regelstudienzeit absol iverte Dr. Plänitz seinStudium und widmete sich anschl ießend seiner Promoti-on am Lehrstuhl für Opto- und Festkörperelektronik (bis2 009). Zusammen mit H errn Prof. Dr. Radehaus gründeteDr. Plänitz im Jahre 2 009 die AQcomputare Gesel lschaftfür Materialberechnung mbH.

Dr. Philipp Plänitz startet his physics studies in the 1 999at the Chemnitz University ofTechnology. After receivinghis diploma in 2004, he started his doctoral studies at theprofessorship "Opto- und Festkörperelektronik" (until2009) . In cooperation with Prof. Radehaus he founded theAQcomputare Gesellschaft für Materialberechnung mbHin 2009.

GeschäftsleitungManagement

Stand August 2 013

Ankunftmit derBahn

» Vom H auptbahnhof aus benutzen Sie die Straßen-bahn Linie 6 (Richtung Altchemnitz) oder Linie 52 2(Richtung Stol lberg) bis zur H altestel le „ Alt-Chemnitz-Center“ (ACC) (Fahrzeit ca. 2 0 Minuten).

Anfahrtmit dem Auto

» Aus Richtung Dresden bzw. Erfurt/Gera (A4) fahrenSie am Anschlusskreuz Chemnitz auf die A72(Richtung H of/München).

» Dann verlassen Sie (wie die aus Richtung Plauen/H ofbzw. Leipzig kommenden) die A72 an derAnschlussstel le Chemnitz Süd und fahren in RichtungAnnaberg-Buchholz (auf dem Südring).

» Das Technologie Centrum Chemnitz (TCC) ist aus-geschi ldert und befindet sich an der KreuzungSüdring/Annaberger Straße (B 95).

Via public transport

» Arriving at the main trainstation you catch the tram-way 6 (destination Altchemnitz) or tramway 522(destination Stollberg) till "Alt-Chemnitz-Center"(durration approx. 20 min. )

Arriving bycar

» From Dresden or Erfurt / Gera (A4) turn at the inter-change Chemnitz on the A72 (towards Hof/München)

» Leave the A72 at the interchange Chemnitz Süd anddrive towards Annabergg-Buchholz (on the Südring)

» The Technology Centrum of Chemnitz is signpostedand is strategically located at the crossroadSüdring/AnnabergerStraße (B95)

Internet http://www.matcalc.deE-Mail info@matcalc.de

Telefon +49 371 / 5347 - 591Telefax +49 371 / 5347 - 554

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KontaktContacts

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