volume xviii, number 1 section: az march, 2012 a...
Post on 29-Apr-2019
213 Views
Preview:
TRANSCRIPT
ISSN 1028-8546
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
GM Abdullayev Institute of PhysicsAzerbaijan National Academy of SciencesDepartment of Physical Mathematical and Technical Sciences
Volume XVIII Number 1Section AzMarch 2012
FizikaAzerbaijan Journal of Physics
Published from 1995
ISSN 1028-8546
vol XVIII Number 1 2012
Section Az
Azerbaijan Journal of Physics
Fizika GMAbdullayev Institute of Physics
Azerbaijan National Academy of Sciences
Department of Physical Mathematical and Technical Sciences
HONORARY EDITORS
Arif PASHAYEV Mahmud KERIMOV
EDITORS-IN-CHIEF
Arif HASHIMOV
Chingiz QAJAR
SENIOR EDITOR
Talat MEHDIYEV
INTERNATIONAL REVIEW BOARD
Ivan Scherbakov Russia Firudin Hashimzadeh Azerbaijan Talat Mehdiyev Azerbaijan
Kerim Allahverdiyev Turkey Anatoly Boreysho Russia Nazim Mamedov Azerbaijan
Mehmet Oumlndr Yetiş Turkey Mikhail Khalin Russia Emil Guseynov Azerbaijan
Gennadii Jablonskii Buelorussia Hasan Bidadi Tebriz East Azerbaijan Iran Ayaz Bayramov Azerbaijan
Rafael Imamov Russia Natiq Atakishiyev Mexico Tofiq Mammadov Azerbaijan
Vladimir Manrsquoko Russia Maksud Aliyev Azerbaijan Salima Mehdiyeva Azerbaijan
Eldar Salayev Azerbaijan Bahram Askerov Azerbaijan Shakir Naqiyev Azerbaijan
Dieter Hochheimer USA Vali Huseynov Azerbaijan Rauf Guseynov Azerbaijan
Victor Lrsquovov Israel Javad Abdinov Azerbaijan Almuk Abbasov Azerbaijan
Vyacheslav Tuzlukov South Korea Bagadur Tagiyev Azerbaijan Yusif Asadov Azerbaijan
Majid Ebrahim-Zadeh Spain Tayar Djafarov Azerbaijan
TECHNICAL EDITORIAL BOARD
senior secretary Elmira Akhundоva Nazli Huseynova Sakina Aliyeva
Nigar Akhundova Elshana Aleskerova
PUBLISHING OFFICE
33 HJavid ave AZ-1143 Baku Published at ŞƏRQ-QƏRB
ANAS GMAbdullayev Institute of Physics 17 Ashug Alesger str Baku
Typographer Aziz Gulaliyev
Tel (99412) 439-51-63 439-32-23
Fax (99412) 447-04-56
E-mail jophphysicsgmailcom
Internet wwwphysicsgovazindex1html
Sent for printing on __ 042012
Printing approved on __ 042012
Physical binding_____________
Number of copies_________200
It is authorized for printing 30032012 Order_____________________
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
3
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ
DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
BZ ƏLİYEV3 ER HƏSƏNOV
12 TR MEHDİYEV
1
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Bakı Doumlvlət Universiteti Аz 1145 Bakı şəh ZXəlilov kuumlccedil 23
3Azərbaycan Texnologiya Universiteti Gəncə
İlk dəfə olaraq goumlstərilmişdir ki elektron tip keccediliriciliyə malik muumlhitlərdə muumlhitin oumllccediluumlsuumlndən asılı olaraq dayanıqsız dalğalar
yaranır Həm daxili həm də xarici dayanıqsızlıq halında yaranan dalğaların tezlikləri hesablanmışdır İsbat olunmuşdur ki yaranan
dalğaların amplitudları zamandan eksponensial asılıdır
Accedilar soumlzlər tezlik impedans dayanıqsızlıq dalğa elektrik sahəsi maqnit sahəsi dreyf suumlrəti
UOT 0757 ndash c 7722Ch
Əgər elektrik yuumlkləri muumlhitdə bircins paylanıbsa
muumlhit yuumlklərin paylanmasına nəzərən tarazlıq halındadır
İxtiyarı xarici təsir yuumlklərin paylanmasını poza bilər və
sistem tarazlıq halından qeyri tarazlıq halına keccedilər Sistem
qeyri tarazlıq halında olanda elektrik yuumlklərinə goumlrə pay-
lanma bərabər (bircinsli) olmur Termodinamik tarazlığa
yaxın hallarda makroskopik sistemin halı koordinata nə-
zərən bircinsli olur Muumlhit tarazlıqdan guumlcluuml aralana bilər
Belə hal xarici elektrik yaxud elektrik və maqnit sahələri-
nin təsiri ilə ola bilər Tarazlıqdan uzaqlaşdıqca elektrik
sahəsinin (həm də maqnit sahəsinin) muumlhit daxilində pay-
lanması qeyri-bircins hala keccedilir yəni daxildə elektrik sahə
intensivliyinin az olan hissələri və ona nəzərən ccedilox olan
sahələri yaranır Bu sahələri elektrik domenləri (elektrik
və maqnit domenləri) adlandırırlar [1] Domenlər statik
(hərəkət etməyən) yaxud dinamik (hərəkət edən) ola bilir-
lər Domenləri olan muumlhitlərdə cərəyan şiddətinin elektrik
sahəsindən (elektrik və maqnit sahələrindən) asılılığı qey-
ri-xətti olur Belə xarakteristikalı muumlhitlərdə elektromaq-
nit rəqslərinin əmələ gəlməsi və guumlclənməsi muumlmkuumln olur
və muumlhit qeyri-tarazlıq halında olur Muumlxtəlif bərk cisim-
lərdə yaranan qeyri-tarazlıq halı muumlhitin fiziki xassələrini
kəskin dəyişdirir Domen qeyri-tarazlıq halı muumlhitdə olan
yuumlkdaşıyıcıların enerji spektrinin qiymətindən yuumlkdaşıyı-
cıların aşqar atomlar tərəfindən tutulmasından (rekombi-
nasiya) aşqar atomlar tərəfindən buraxılmasından (gene-
rasiya) kəskin asılı olur Aydındır ki qeyri-tarazlıq halı-
nın alınmasında xarici elektrik sahəsinin (xarici elektrik
və maqnit sahəsinin) qiyməti vacib amildir Xarici elek-
trik və maqnit sahələrində yerləşən muumlhitlərdə yaranan
qeyri-tarazlıq halları metal yarımkeccedilirici və dielektriklər-
də muumlxtəlif mexanizm vasitəsi ilə olur Əgər muumlhitdə hə-
rəkət edən yuumlkdaşıyıcının elektrik sahəsi suumlrəti Ud=μE0
(Ud-dreyf suumlrəti μ-yuumlruumlkluumlk E0-elektrik sahəsinin
intensivliyinin qiyməti) muumlhitdəki səs dalğalarının suumlrə-
tindən S boumlyuumlk olarsa (UdgeS ) onda elektrik sahəsi guumlcluuml
adlanır (əks halda UdleS zəif adlanır) Kecən əsrin (XIX)
ortalarından sonra muumlxtəlif metal və yarımkeccediliricilərin fi-
ziki xassələri həm təcruumlbədə həm də nəzəri olaraq oumly-
rənilməyə başlanıb
Bir qayda olaraq isbat olunmuşdur ki hərəkət edən
domenlər yarananda elektrik doumlvrəsində rəqs yaranır Be-
lə rəqslər nuumlmunənin bir tərəfində domenin yaranması o
biri tərəfində itməsi deməkdir Əgər domenlərin yaranma
və yox olma zamanları domenlərin nuumlmunəni keccedilmə za-
manından kiccedilikdirsə cərəyanın periodu domenlərin muumlhi-
ti keccedilmə zamanı ilə oumllccediluumlluumlr və T=LUd (L- nuumlmunənin
uzunluğudur) Şəkil 1-də R muumlqavimətinə ardıcıl birləş-
miş nuumlmunədən sabit cərəyan buraxılır [2]
Şəkil 1
Ε-gərginliyini artırdıqda doumlvrədə sabit cərəyan pozu-
lur və doumlvrədə rəqs yaranır Bu rəqsin periodu nuumlmunənin
uzunluğu L ilə muumltənasib olur Sabit cərəyan rejiminin
pozulması volt-amper xarakteristikasında qırılma və sıccedilra-
yışa səbəb olur 1964-cuuml ildə ingilis alimi Hann uzunluğu
Lasymp01sm olan GaAs yarımkeccedilirici birləşməsində xarici
elektrik sahəsinin E0asymp3103
Vsm qiymətində tezliyi
5108510
9 hers olan rəqslər muumlşahidə etmişdir Bu ef-
fekt Hann effekti adlanmışdır [2] Elektron tip keccediliriciliyə
malik Ge yarımkeccediliricisində Lasymp1sm E0asymp10Vsm qiymə-
tində bir neccedilə kilohers tezlikli [2-5] rəqslər muumlşahidə
olunmuşdur
Cərəyan rəqslərinin muumlşahidə olunması muumlhit daxi-
lində yaranan domenlərin hərəkətdə olmasını goumlstərir
Domenlərin hərəkətləri nuumlmunənin noumlvuumlndən doumlvrəyə
qoşulma qaydasından (yəni sərhəd şərtlərindən) kəskin
asılıdır Nuumlmunənin doumlvrəyə bağlanmağı omik yaxud
qeyri-omik yəni injeksiya xarakterli olmasından asılı ola-
raq yaranan cərəyan rəqslərinin tezliyi muumlxtəlif olur Əgər
spontan yaranan rəqslər nuumlmunənin daxilində yayılırsa
ancaq xarici doumlvrədə cərəyan rəqs etmirsə (yəni cərəyan
sabitdirsə) belə dayanıqsızlıq daxili dayanıqsızlıq adlanır
[3] Nuumlmunə daxilində yaranan rəqslər cərəyan rəqslərinin
olmasına səbəb olursa belə dayanıqsızlıq xarici dayanıq-
sızlıq adlanır Daxili və xarici dayanıqsızlıq aşqarlı ya-
rımkeccediliricilərdə ilk dəfə olaraq [3-5] işlərində nəzəri ola-
raq oumlyrənilmişdir Biz bu nəzəri işimizdə elektron tip ke-
ccediliricikli muumlhitlərdə (metallarda yarımkeccediliricilərdə) xari-
ci elektrik və maqnit sahəsinin təsiri ilə yaranan daxili və
xarici dayanıqsızlıq hallarının yaranma mexanizmini ya-
ranan rəqslərin tezliklərini daxildə yaranan dalğaların
istiqamətlərini təhlil edəcəyik
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
4
DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ
Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici
elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir
)()()(
)(
)()(
002001
002
0100
hhHEDhHED
DhEhHE
hEHEEHEj
(1)
(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici
sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik
keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-
liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-
li )( 00 HEe
TD
ef omik diffuziya əmsalı
)()( 001001 HEe
THED
ef Holl diffuziya əmsalı
)( 0022 HEe
TD
ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-
guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en
n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l
-
maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-
nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini
Erotct
HdivE
jdivt
4
0
(2)
(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır
Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik
sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər
Yəni k
-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif
bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-
ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-
ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində
olan dəyişən kəmiyyətlər
)(~)( trkienHE
(3)
kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək
0
EkciHrotc
t
H
olur yəni H=const (4)
Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin
hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)
tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH
ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini
alarıq
0)()(
)(cos
)(cos)(
14
)(4
)(sin
)(sin)(
18
sin)(4
)(
)(
1)(
84
2
21
2
02
2
0
2
2
2
0
2
2
01
2
0
1
1
2
0
1
1
00
2
00
0
000
0
0
0
0
0
0
0
0
HkniDDHkkni
niDkHkHE
HkEd
dHE
ki
HkHk
inkHE
nkEd
dHE
ki
nkk
HiEk
Ed
dEk
k
Eii
(5)
(5)-dispersiya tənliyində )(4
Eke
n
n
-vahid vek-
tordur )()( 000 HEHE
(5) tənliyində k 0E
0E 0H
k 0H
istiqamətləri-
nə baxsaq
)(
21
42
00
2
0000
Ed
dEikE
(6)
ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki
)(
2
)(
22
00
2
0
2
00
2
0
Ed
dE
Ed
dE
olsa və
2
2
00
2
00
)(
21
4Dk
Ed
dE
şərti oumldənəndə
000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur
Yəni iikE 000 ifadəsini
)(~)( trkienE
yerinə yazsaq
)cos( 00~)( tkEt
enE şəklində amplitudu te
kimi
artan harmonik rəqs alınır )(
22
00
2
0
Ed
dE
- ifadəsinin
mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-
dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta
uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-
məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-
jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-
liyindən k 0E
k 0H
kn
0E H
2
2
22
2
0
2
2
0
00
2
2
2
00
2
00
02)(
1
)(
21
40
0HDkDk
Ed
dEH
Ed
dEiHE
(7)
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
5
əgər i0
kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln
xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k
( H
E
) muumlstəvisində
deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur
Şəkil 2
0)90cos()90cos(4
coscos)(
18)90sin(
4
sinsinsinsin)(
184
22
012
0
1
1
2
0
11
002
00
2
000
0
0
0
00
Hi
HEEd
dHEi
Hi
EkEd
dEii
i
0 cossinsin 01000 0
HkEkE
cos)(
2sinsin
)(
2
)90cos()90cos()90sin(14
2
0
1
0
2
0
2
00
2
0
2
2
2
1
10
0
0
0
0
HEd
dE
Ed
dE
HH
(8)
(8)- ifadəsini 4
4
qiymətlərində sadələşdirmək olar onda
HkEkE 01000 02
1
2
1
2
H
)20
d(E
1dμ
0μ
1
)20
d(E
dμ
02E
02
μ
2H
02
μ
2
1
01
μ
H
01
μ
2
11
ε
04ππ
γ (9)
(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-
rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
6
04
)(
)()()(4
21
21
HEdivjdivt
n
hhDhD
DhhEHEhEHEEHEt
EJ
(10)
(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq
xxxx J
DDE
DDdx
Ed
DD
UU
dx
Ed
1111
0111
11
110
2
)()1(0
2
(11)
Burada 000 EU yy kiUDk
01
24 011 00EU
04
i 000 en
01
2
11 04 UikD y
00 101 en
2m
Lk
y
y
210 m
L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur
0)2()(4
14
1
0
2
1
2
00
1
2
2
2 0
Uk
kiy
k
kk
U
Di
k
ky
y
y
x
y
x
x
y
buradan
0Uk
yy
)( 2
0
0
2
0
Ed
dE
)( 2
0
1
1
2
01
0
0Ed
dE
(12)
guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c
H [5]
2
02211
3
SH
cETT
e
TD
e
TD
e
TD ef
efefef
ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv
temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın
boşluqda yayılma suumlrətidir
21H
c 02 b
aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-
tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir
iiy 1
2)(
22221 (13)
burada 22
0
c
H
2
2
0
12y
x
x L
L
LeE
T
)2(2
12 1
0
2
00
EL
Len
c
H
y
x δltlt1 və
αβltlt2β olduğundan
24
221
iy
22
20 iy (14)
(14) - ifadəsini 4
021
iUk y
022
2Uki y
kimi yazsaq
)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi
ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni
tUk y
enE02
2
~)(
kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa
)4
cos(
~)(
02
4
0
44
02
0202
tUkeA
eenE
y
Utk
UtUtUk
y
yy
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
7
kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02
4
0
Uytk
eAA
kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır
Belə halda sistem
020
4Uk y
(15)
tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir
XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI
Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln
muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-
ccedilik dəyişən gərginlik verilsə
deVtV ti
)()( (16)
olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni
Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)
olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-
pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq
kəsb edir
1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi
Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir
2) İmpedansın sıfırlarını
3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq
Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini
tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi
dxtxEtv
L
)()(0
(18)
kimidir
L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti
(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə
hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin
tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali
kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona
goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik
sahəsinin E(0t) və E
(Lt) qiymətləri məlum olduqda
muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də
fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə
elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-
mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar
Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli
ola bilər yəni
E(0t) = E
(Lt)=0 (19)
Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa
E(0t) = E
(Lt)=0 ρ
(0t) = ρ
(Lt)=0 (20)
olar
Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-
sə Puasson tənliyinə əsasən
ox
E
Lxx
0
(21)
yazmaq olar (19-20-21) ifadələri
00
11
xx
EE
022
Lxx
EE (22)
(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)
şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada
məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-
yacağıq yəni [2]
ikx
q
qeAJAxE 0)( (23)
olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici
dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-
rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)
tənliyini aşağıdakı kimi yazaq
xx JEadx
da
dx
d
212
2
(24)
olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-
runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-
ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir
x
xikxikJ
aecectxE
2
2121)(
(25)
dxtxEv
L
)(0
[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini
nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu
nəzərə alsaq
2
)(aJ
VZ
(26)
alarıq
0)1sin(cos
)1()(
11
1
1
1
11
01
1 11
xx
Lik
L
xik
LkLkik
c
eik
cxikde
ik
cx
x
Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir
)()1(0
11
10
0
k
ZZ
0
0
xLZ (27)
(27)
(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq
2
2
2
1
1120
0
2
2
2
1
2110
0
0
0
)(Im
)(Re
y
y
kU
Z
Z
kU
Z
Z
(28)
Burada
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
Published from 1995
ISSN 1028-8546
vol XVIII Number 1 2012
Section Az
Azerbaijan Journal of Physics
Fizika GMAbdullayev Institute of Physics
Azerbaijan National Academy of Sciences
Department of Physical Mathematical and Technical Sciences
HONORARY EDITORS
Arif PASHAYEV Mahmud KERIMOV
EDITORS-IN-CHIEF
Arif HASHIMOV
Chingiz QAJAR
SENIOR EDITOR
Talat MEHDIYEV
INTERNATIONAL REVIEW BOARD
Ivan Scherbakov Russia Firudin Hashimzadeh Azerbaijan Talat Mehdiyev Azerbaijan
Kerim Allahverdiyev Turkey Anatoly Boreysho Russia Nazim Mamedov Azerbaijan
Mehmet Oumlndr Yetiş Turkey Mikhail Khalin Russia Emil Guseynov Azerbaijan
Gennadii Jablonskii Buelorussia Hasan Bidadi Tebriz East Azerbaijan Iran Ayaz Bayramov Azerbaijan
Rafael Imamov Russia Natiq Atakishiyev Mexico Tofiq Mammadov Azerbaijan
Vladimir Manrsquoko Russia Maksud Aliyev Azerbaijan Salima Mehdiyeva Azerbaijan
Eldar Salayev Azerbaijan Bahram Askerov Azerbaijan Shakir Naqiyev Azerbaijan
Dieter Hochheimer USA Vali Huseynov Azerbaijan Rauf Guseynov Azerbaijan
Victor Lrsquovov Israel Javad Abdinov Azerbaijan Almuk Abbasov Azerbaijan
Vyacheslav Tuzlukov South Korea Bagadur Tagiyev Azerbaijan Yusif Asadov Azerbaijan
Majid Ebrahim-Zadeh Spain Tayar Djafarov Azerbaijan
TECHNICAL EDITORIAL BOARD
senior secretary Elmira Akhundоva Nazli Huseynova Sakina Aliyeva
Nigar Akhundova Elshana Aleskerova
PUBLISHING OFFICE
33 HJavid ave AZ-1143 Baku Published at ŞƏRQ-QƏRB
ANAS GMAbdullayev Institute of Physics 17 Ashug Alesger str Baku
Typographer Aziz Gulaliyev
Tel (99412) 439-51-63 439-32-23
Fax (99412) 447-04-56
E-mail jophphysicsgmailcom
Internet wwwphysicsgovazindex1html
Sent for printing on __ 042012
Printing approved on __ 042012
Physical binding_____________
Number of copies_________200
It is authorized for printing 30032012 Order_____________________
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
3
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ
DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
BZ ƏLİYEV3 ER HƏSƏNOV
12 TR MEHDİYEV
1
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Bakı Doumlvlət Universiteti Аz 1145 Bakı şəh ZXəlilov kuumlccedil 23
3Azərbaycan Texnologiya Universiteti Gəncə
İlk dəfə olaraq goumlstərilmişdir ki elektron tip keccediliriciliyə malik muumlhitlərdə muumlhitin oumllccediluumlsuumlndən asılı olaraq dayanıqsız dalğalar
yaranır Həm daxili həm də xarici dayanıqsızlıq halında yaranan dalğaların tezlikləri hesablanmışdır İsbat olunmuşdur ki yaranan
dalğaların amplitudları zamandan eksponensial asılıdır
Accedilar soumlzlər tezlik impedans dayanıqsızlıq dalğa elektrik sahəsi maqnit sahəsi dreyf suumlrəti
UOT 0757 ndash c 7722Ch
Əgər elektrik yuumlkləri muumlhitdə bircins paylanıbsa
muumlhit yuumlklərin paylanmasına nəzərən tarazlıq halındadır
İxtiyarı xarici təsir yuumlklərin paylanmasını poza bilər və
sistem tarazlıq halından qeyri tarazlıq halına keccedilər Sistem
qeyri tarazlıq halında olanda elektrik yuumlklərinə goumlrə pay-
lanma bərabər (bircinsli) olmur Termodinamik tarazlığa
yaxın hallarda makroskopik sistemin halı koordinata nə-
zərən bircinsli olur Muumlhit tarazlıqdan guumlcluuml aralana bilər
Belə hal xarici elektrik yaxud elektrik və maqnit sahələri-
nin təsiri ilə ola bilər Tarazlıqdan uzaqlaşdıqca elektrik
sahəsinin (həm də maqnit sahəsinin) muumlhit daxilində pay-
lanması qeyri-bircins hala keccedilir yəni daxildə elektrik sahə
intensivliyinin az olan hissələri və ona nəzərən ccedilox olan
sahələri yaranır Bu sahələri elektrik domenləri (elektrik
və maqnit domenləri) adlandırırlar [1] Domenlər statik
(hərəkət etməyən) yaxud dinamik (hərəkət edən) ola bilir-
lər Domenləri olan muumlhitlərdə cərəyan şiddətinin elektrik
sahəsindən (elektrik və maqnit sahələrindən) asılılığı qey-
ri-xətti olur Belə xarakteristikalı muumlhitlərdə elektromaq-
nit rəqslərinin əmələ gəlməsi və guumlclənməsi muumlmkuumln olur
və muumlhit qeyri-tarazlıq halında olur Muumlxtəlif bərk cisim-
lərdə yaranan qeyri-tarazlıq halı muumlhitin fiziki xassələrini
kəskin dəyişdirir Domen qeyri-tarazlıq halı muumlhitdə olan
yuumlkdaşıyıcıların enerji spektrinin qiymətindən yuumlkdaşıyı-
cıların aşqar atomlar tərəfindən tutulmasından (rekombi-
nasiya) aşqar atomlar tərəfindən buraxılmasından (gene-
rasiya) kəskin asılı olur Aydındır ki qeyri-tarazlıq halı-
nın alınmasında xarici elektrik sahəsinin (xarici elektrik
və maqnit sahəsinin) qiyməti vacib amildir Xarici elek-
trik və maqnit sahələrində yerləşən muumlhitlərdə yaranan
qeyri-tarazlıq halları metal yarımkeccedilirici və dielektriklər-
də muumlxtəlif mexanizm vasitəsi ilə olur Əgər muumlhitdə hə-
rəkət edən yuumlkdaşıyıcının elektrik sahəsi suumlrəti Ud=μE0
(Ud-dreyf suumlrəti μ-yuumlruumlkluumlk E0-elektrik sahəsinin
intensivliyinin qiyməti) muumlhitdəki səs dalğalarının suumlrə-
tindən S boumlyuumlk olarsa (UdgeS ) onda elektrik sahəsi guumlcluuml
adlanır (əks halda UdleS zəif adlanır) Kecən əsrin (XIX)
ortalarından sonra muumlxtəlif metal və yarımkeccediliricilərin fi-
ziki xassələri həm təcruumlbədə həm də nəzəri olaraq oumly-
rənilməyə başlanıb
Bir qayda olaraq isbat olunmuşdur ki hərəkət edən
domenlər yarananda elektrik doumlvrəsində rəqs yaranır Be-
lə rəqslər nuumlmunənin bir tərəfində domenin yaranması o
biri tərəfində itməsi deməkdir Əgər domenlərin yaranma
və yox olma zamanları domenlərin nuumlmunəni keccedilmə za-
manından kiccedilikdirsə cərəyanın periodu domenlərin muumlhi-
ti keccedilmə zamanı ilə oumllccediluumlluumlr və T=LUd (L- nuumlmunənin
uzunluğudur) Şəkil 1-də R muumlqavimətinə ardıcıl birləş-
miş nuumlmunədən sabit cərəyan buraxılır [2]
Şəkil 1
Ε-gərginliyini artırdıqda doumlvrədə sabit cərəyan pozu-
lur və doumlvrədə rəqs yaranır Bu rəqsin periodu nuumlmunənin
uzunluğu L ilə muumltənasib olur Sabit cərəyan rejiminin
pozulması volt-amper xarakteristikasında qırılma və sıccedilra-
yışa səbəb olur 1964-cuuml ildə ingilis alimi Hann uzunluğu
Lasymp01sm olan GaAs yarımkeccedilirici birləşməsində xarici
elektrik sahəsinin E0asymp3103
Vsm qiymətində tezliyi
5108510
9 hers olan rəqslər muumlşahidə etmişdir Bu ef-
fekt Hann effekti adlanmışdır [2] Elektron tip keccediliriciliyə
malik Ge yarımkeccediliricisində Lasymp1sm E0asymp10Vsm qiymə-
tində bir neccedilə kilohers tezlikli [2-5] rəqslər muumlşahidə
olunmuşdur
Cərəyan rəqslərinin muumlşahidə olunması muumlhit daxi-
lində yaranan domenlərin hərəkətdə olmasını goumlstərir
Domenlərin hərəkətləri nuumlmunənin noumlvuumlndən doumlvrəyə
qoşulma qaydasından (yəni sərhəd şərtlərindən) kəskin
asılıdır Nuumlmunənin doumlvrəyə bağlanmağı omik yaxud
qeyri-omik yəni injeksiya xarakterli olmasından asılı ola-
raq yaranan cərəyan rəqslərinin tezliyi muumlxtəlif olur Əgər
spontan yaranan rəqslər nuumlmunənin daxilində yayılırsa
ancaq xarici doumlvrədə cərəyan rəqs etmirsə (yəni cərəyan
sabitdirsə) belə dayanıqsızlıq daxili dayanıqsızlıq adlanır
[3] Nuumlmunə daxilində yaranan rəqslər cərəyan rəqslərinin
olmasına səbəb olursa belə dayanıqsızlıq xarici dayanıq-
sızlıq adlanır Daxili və xarici dayanıqsızlıq aşqarlı ya-
rımkeccediliricilərdə ilk dəfə olaraq [3-5] işlərində nəzəri ola-
raq oumlyrənilmişdir Biz bu nəzəri işimizdə elektron tip ke-
ccediliricikli muumlhitlərdə (metallarda yarımkeccediliricilərdə) xari-
ci elektrik və maqnit sahəsinin təsiri ilə yaranan daxili və
xarici dayanıqsızlıq hallarının yaranma mexanizmini ya-
ranan rəqslərin tezliklərini daxildə yaranan dalğaların
istiqamətlərini təhlil edəcəyik
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
4
DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ
Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici
elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir
)()()(
)(
)()(
002001
002
0100
hhHEDhHED
DhEhHE
hEHEEHEj
(1)
(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici
sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik
keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-
liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-
li )( 00 HEe
TD
ef omik diffuziya əmsalı
)()( 001001 HEe
THED
ef Holl diffuziya əmsalı
)( 0022 HEe
TD
ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-
guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en
n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l
-
maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-
nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini
Erotct
HdivE
jdivt
4
0
(2)
(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır
Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik
sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər
Yəni k
-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif
bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-
ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-
ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində
olan dəyişən kəmiyyətlər
)(~)( trkienHE
(3)
kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək
0
EkciHrotc
t
H
olur yəni H=const (4)
Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin
hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)
tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH
ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini
alarıq
0)()(
)(cos
)(cos)(
14
)(4
)(sin
)(sin)(
18
sin)(4
)(
)(
1)(
84
2
21
2
02
2
0
2
2
2
0
2
2
01
2
0
1
1
2
0
1
1
00
2
00
0
000
0
0
0
0
0
0
0
0
HkniDDHkkni
niDkHkHE
HkEd
dHE
ki
HkHk
inkHE
nkEd
dHE
ki
nkk
HiEk
Ed
dEk
k
Eii
(5)
(5)-dispersiya tənliyində )(4
Eke
n
n
-vahid vek-
tordur )()( 000 HEHE
(5) tənliyində k 0E
0E 0H
k 0H
istiqamətləri-
nə baxsaq
)(
21
42
00
2
0000
Ed
dEikE
(6)
ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki
)(
2
)(
22
00
2
0
2
00
2
0
Ed
dE
Ed
dE
olsa və
2
2
00
2
00
)(
21
4Dk
Ed
dE
şərti oumldənəndə
000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur
Yəni iikE 000 ifadəsini
)(~)( trkienE
yerinə yazsaq
)cos( 00~)( tkEt
enE şəklində amplitudu te
kimi
artan harmonik rəqs alınır )(
22
00
2
0
Ed
dE
- ifadəsinin
mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-
dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta
uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-
məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-
jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-
liyindən k 0E
k 0H
kn
0E H
2
2
22
2
0
2
2
0
00
2
2
2
00
2
00
02)(
1
)(
21
40
0HDkDk
Ed
dEH
Ed
dEiHE
(7)
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
5
əgər i0
kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln
xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k
( H
E
) muumlstəvisində
deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur
Şəkil 2
0)90cos()90cos(4
coscos)(
18)90sin(
4
sinsinsinsin)(
184
22
012
0
1
1
2
0
11
002
00
2
000
0
0
0
00
Hi
HEEd
dHEi
Hi
EkEd
dEii
i
0 cossinsin 01000 0
HkEkE
cos)(
2sinsin
)(
2
)90cos()90cos()90sin(14
2
0
1
0
2
0
2
00
2
0
2
2
2
1
10
0
0
0
0
HEd
dE
Ed
dE
HH
(8)
(8)- ifadəsini 4
4
qiymətlərində sadələşdirmək olar onda
HkEkE 01000 02
1
2
1
2
H
)20
d(E
1dμ
0μ
1
)20
d(E
dμ
02E
02
μ
2H
02
μ
2
1
01
μ
H
01
μ
2
11
ε
04ππ
γ (9)
(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-
rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
6
04
)(
)()()(4
21
21
HEdivjdivt
n
hhDhD
DhhEHEhEHEEHEt
EJ
(10)
(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq
xxxx J
DDE
DDdx
Ed
DD
UU
dx
Ed
1111
0111
11
110
2
)()1(0
2
(11)
Burada 000 EU yy kiUDk
01
24 011 00EU
04
i 000 en
01
2
11 04 UikD y
00 101 en
2m
Lk
y
y
210 m
L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur
0)2()(4
14
1
0
2
1
2
00
1
2
2
2 0
Uk
kiy
k
kk
U
Di
k
ky
y
y
x
y
x
x
y
buradan
0Uk
yy
)( 2
0
0
2
0
Ed
dE
)( 2
0
1
1
2
01
0
0Ed
dE
(12)
guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c
H [5]
2
02211
3
SH
cETT
e
TD
e
TD
e
TD ef
efefef
ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv
temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın
boşluqda yayılma suumlrətidir
21H
c 02 b
aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-
tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir
iiy 1
2)(
22221 (13)
burada 22
0
c
H
2
2
0
12y
x
x L
L
LeE
T
)2(2
12 1
0
2
00
EL
Len
c
H
y
x δltlt1 və
αβltlt2β olduğundan
24
221
iy
22
20 iy (14)
(14) - ifadəsini 4
021
iUk y
022
2Uki y
kimi yazsaq
)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi
ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni
tUk y
enE02
2
~)(
kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa
)4
cos(
~)(
02
4
0
44
02
0202
tUkeA
eenE
y
Utk
UtUtUk
y
yy
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
7
kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02
4
0
Uytk
eAA
kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır
Belə halda sistem
020
4Uk y
(15)
tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir
XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI
Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln
muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-
ccedilik dəyişən gərginlik verilsə
deVtV ti
)()( (16)
olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni
Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)
olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-
pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq
kəsb edir
1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi
Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir
2) İmpedansın sıfırlarını
3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq
Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini
tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi
dxtxEtv
L
)()(0
(18)
kimidir
L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti
(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə
hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin
tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali
kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona
goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik
sahəsinin E(0t) və E
(Lt) qiymətləri məlum olduqda
muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də
fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə
elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-
mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar
Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli
ola bilər yəni
E(0t) = E
(Lt)=0 (19)
Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa
E(0t) = E
(Lt)=0 ρ
(0t) = ρ
(Lt)=0 (20)
olar
Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-
sə Puasson tənliyinə əsasən
ox
E
Lxx
0
(21)
yazmaq olar (19-20-21) ifadələri
00
11
xx
EE
022
Lxx
EE (22)
(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)
şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada
məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-
yacağıq yəni [2]
ikx
q
qeAJAxE 0)( (23)
olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici
dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-
rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)
tənliyini aşağıdakı kimi yazaq
xx JEadx
da
dx
d
212
2
(24)
olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-
runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-
ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir
x
xikxikJ
aecectxE
2
2121)(
(25)
dxtxEv
L
)(0
[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini
nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu
nəzərə alsaq
2
)(aJ
VZ
(26)
alarıq
0)1sin(cos
)1()(
11
1
1
1
11
01
1 11
xx
Lik
L
xik
LkLkik
c
eik
cxikde
ik
cx
x
Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir
)()1(0
11
10
0
k
ZZ
0
0
xLZ (27)
(27)
(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq
2
2
2
1
1120
0
2
2
2
1
2110
0
0
0
)(Im
)(Re
y
y
kU
Z
Z
kU
Z
Z
(28)
Burada
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
3
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ
DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
BZ ƏLİYEV3 ER HƏSƏNOV
12 TR MEHDİYEV
1
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Bakı Doumlvlət Universiteti Аz 1145 Bakı şəh ZXəlilov kuumlccedil 23
3Azərbaycan Texnologiya Universiteti Gəncə
İlk dəfə olaraq goumlstərilmişdir ki elektron tip keccediliriciliyə malik muumlhitlərdə muumlhitin oumllccediluumlsuumlndən asılı olaraq dayanıqsız dalğalar
yaranır Həm daxili həm də xarici dayanıqsızlıq halında yaranan dalğaların tezlikləri hesablanmışdır İsbat olunmuşdur ki yaranan
dalğaların amplitudları zamandan eksponensial asılıdır
Accedilar soumlzlər tezlik impedans dayanıqsızlıq dalğa elektrik sahəsi maqnit sahəsi dreyf suumlrəti
UOT 0757 ndash c 7722Ch
Əgər elektrik yuumlkləri muumlhitdə bircins paylanıbsa
muumlhit yuumlklərin paylanmasına nəzərən tarazlıq halındadır
İxtiyarı xarici təsir yuumlklərin paylanmasını poza bilər və
sistem tarazlıq halından qeyri tarazlıq halına keccedilər Sistem
qeyri tarazlıq halında olanda elektrik yuumlklərinə goumlrə pay-
lanma bərabər (bircinsli) olmur Termodinamik tarazlığa
yaxın hallarda makroskopik sistemin halı koordinata nə-
zərən bircinsli olur Muumlhit tarazlıqdan guumlcluuml aralana bilər
Belə hal xarici elektrik yaxud elektrik və maqnit sahələri-
nin təsiri ilə ola bilər Tarazlıqdan uzaqlaşdıqca elektrik
sahəsinin (həm də maqnit sahəsinin) muumlhit daxilində pay-
lanması qeyri-bircins hala keccedilir yəni daxildə elektrik sahə
intensivliyinin az olan hissələri və ona nəzərən ccedilox olan
sahələri yaranır Bu sahələri elektrik domenləri (elektrik
və maqnit domenləri) adlandırırlar [1] Domenlər statik
(hərəkət etməyən) yaxud dinamik (hərəkət edən) ola bilir-
lər Domenləri olan muumlhitlərdə cərəyan şiddətinin elektrik
sahəsindən (elektrik və maqnit sahələrindən) asılılığı qey-
ri-xətti olur Belə xarakteristikalı muumlhitlərdə elektromaq-
nit rəqslərinin əmələ gəlməsi və guumlclənməsi muumlmkuumln olur
və muumlhit qeyri-tarazlıq halında olur Muumlxtəlif bərk cisim-
lərdə yaranan qeyri-tarazlıq halı muumlhitin fiziki xassələrini
kəskin dəyişdirir Domen qeyri-tarazlıq halı muumlhitdə olan
yuumlkdaşıyıcıların enerji spektrinin qiymətindən yuumlkdaşıyı-
cıların aşqar atomlar tərəfindən tutulmasından (rekombi-
nasiya) aşqar atomlar tərəfindən buraxılmasından (gene-
rasiya) kəskin asılı olur Aydındır ki qeyri-tarazlıq halı-
nın alınmasında xarici elektrik sahəsinin (xarici elektrik
və maqnit sahəsinin) qiyməti vacib amildir Xarici elek-
trik və maqnit sahələrində yerləşən muumlhitlərdə yaranan
qeyri-tarazlıq halları metal yarımkeccedilirici və dielektriklər-
də muumlxtəlif mexanizm vasitəsi ilə olur Əgər muumlhitdə hə-
rəkət edən yuumlkdaşıyıcının elektrik sahəsi suumlrəti Ud=μE0
(Ud-dreyf suumlrəti μ-yuumlruumlkluumlk E0-elektrik sahəsinin
intensivliyinin qiyməti) muumlhitdəki səs dalğalarının suumlrə-
tindən S boumlyuumlk olarsa (UdgeS ) onda elektrik sahəsi guumlcluuml
adlanır (əks halda UdleS zəif adlanır) Kecən əsrin (XIX)
ortalarından sonra muumlxtəlif metal və yarımkeccediliricilərin fi-
ziki xassələri həm təcruumlbədə həm də nəzəri olaraq oumly-
rənilməyə başlanıb
Bir qayda olaraq isbat olunmuşdur ki hərəkət edən
domenlər yarananda elektrik doumlvrəsində rəqs yaranır Be-
lə rəqslər nuumlmunənin bir tərəfində domenin yaranması o
biri tərəfində itməsi deməkdir Əgər domenlərin yaranma
və yox olma zamanları domenlərin nuumlmunəni keccedilmə za-
manından kiccedilikdirsə cərəyanın periodu domenlərin muumlhi-
ti keccedilmə zamanı ilə oumllccediluumlluumlr və T=LUd (L- nuumlmunənin
uzunluğudur) Şəkil 1-də R muumlqavimətinə ardıcıl birləş-
miş nuumlmunədən sabit cərəyan buraxılır [2]
Şəkil 1
Ε-gərginliyini artırdıqda doumlvrədə sabit cərəyan pozu-
lur və doumlvrədə rəqs yaranır Bu rəqsin periodu nuumlmunənin
uzunluğu L ilə muumltənasib olur Sabit cərəyan rejiminin
pozulması volt-amper xarakteristikasında qırılma və sıccedilra-
yışa səbəb olur 1964-cuuml ildə ingilis alimi Hann uzunluğu
Lasymp01sm olan GaAs yarımkeccedilirici birləşməsində xarici
elektrik sahəsinin E0asymp3103
Vsm qiymətində tezliyi
5108510
9 hers olan rəqslər muumlşahidə etmişdir Bu ef-
fekt Hann effekti adlanmışdır [2] Elektron tip keccediliriciliyə
malik Ge yarımkeccediliricisində Lasymp1sm E0asymp10Vsm qiymə-
tində bir neccedilə kilohers tezlikli [2-5] rəqslər muumlşahidə
olunmuşdur
Cərəyan rəqslərinin muumlşahidə olunması muumlhit daxi-
lində yaranan domenlərin hərəkətdə olmasını goumlstərir
Domenlərin hərəkətləri nuumlmunənin noumlvuumlndən doumlvrəyə
qoşulma qaydasından (yəni sərhəd şərtlərindən) kəskin
asılıdır Nuumlmunənin doumlvrəyə bağlanmağı omik yaxud
qeyri-omik yəni injeksiya xarakterli olmasından asılı ola-
raq yaranan cərəyan rəqslərinin tezliyi muumlxtəlif olur Əgər
spontan yaranan rəqslər nuumlmunənin daxilində yayılırsa
ancaq xarici doumlvrədə cərəyan rəqs etmirsə (yəni cərəyan
sabitdirsə) belə dayanıqsızlıq daxili dayanıqsızlıq adlanır
[3] Nuumlmunə daxilində yaranan rəqslər cərəyan rəqslərinin
olmasına səbəb olursa belə dayanıqsızlıq xarici dayanıq-
sızlıq adlanır Daxili və xarici dayanıqsızlıq aşqarlı ya-
rımkeccediliricilərdə ilk dəfə olaraq [3-5] işlərində nəzəri ola-
raq oumlyrənilmişdir Biz bu nəzəri işimizdə elektron tip ke-
ccediliricikli muumlhitlərdə (metallarda yarımkeccediliricilərdə) xari-
ci elektrik və maqnit sahəsinin təsiri ilə yaranan daxili və
xarici dayanıqsızlıq hallarının yaranma mexanizmini ya-
ranan rəqslərin tezliklərini daxildə yaranan dalğaların
istiqamətlərini təhlil edəcəyik
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
4
DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ
Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici
elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir
)()()(
)(
)()(
002001
002
0100
hhHEDhHED
DhEhHE
hEHEEHEj
(1)
(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici
sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik
keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-
liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-
li )( 00 HEe
TD
ef omik diffuziya əmsalı
)()( 001001 HEe
THED
ef Holl diffuziya əmsalı
)( 0022 HEe
TD
ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-
guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en
n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l
-
maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-
nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini
Erotct
HdivE
jdivt
4
0
(2)
(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır
Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik
sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər
Yəni k
-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif
bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-
ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-
ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində
olan dəyişən kəmiyyətlər
)(~)( trkienHE
(3)
kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək
0
EkciHrotc
t
H
olur yəni H=const (4)
Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin
hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)
tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH
ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini
alarıq
0)()(
)(cos
)(cos)(
14
)(4
)(sin
)(sin)(
18
sin)(4
)(
)(
1)(
84
2
21
2
02
2
0
2
2
2
0
2
2
01
2
0
1
1
2
0
1
1
00
2
00
0
000
0
0
0
0
0
0
0
0
HkniDDHkkni
niDkHkHE
HkEd
dHE
ki
HkHk
inkHE
nkEd
dHE
ki
nkk
HiEk
Ed
dEk
k
Eii
(5)
(5)-dispersiya tənliyində )(4
Eke
n
n
-vahid vek-
tordur )()( 000 HEHE
(5) tənliyində k 0E
0E 0H
k 0H
istiqamətləri-
nə baxsaq
)(
21
42
00
2
0000
Ed
dEikE
(6)
ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki
)(
2
)(
22
00
2
0
2
00
2
0
Ed
dE
Ed
dE
olsa və
2
2
00
2
00
)(
21
4Dk
Ed
dE
şərti oumldənəndə
000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur
Yəni iikE 000 ifadəsini
)(~)( trkienE
yerinə yazsaq
)cos( 00~)( tkEt
enE şəklində amplitudu te
kimi
artan harmonik rəqs alınır )(
22
00
2
0
Ed
dE
- ifadəsinin
mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-
dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta
uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-
məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-
jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-
liyindən k 0E
k 0H
kn
0E H
2
2
22
2
0
2
2
0
00
2
2
2
00
2
00
02)(
1
)(
21
40
0HDkDk
Ed
dEH
Ed
dEiHE
(7)
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
5
əgər i0
kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln
xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k
( H
E
) muumlstəvisində
deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur
Şəkil 2
0)90cos()90cos(4
coscos)(
18)90sin(
4
sinsinsinsin)(
184
22
012
0
1
1
2
0
11
002
00
2
000
0
0
0
00
Hi
HEEd
dHEi
Hi
EkEd
dEii
i
0 cossinsin 01000 0
HkEkE
cos)(
2sinsin
)(
2
)90cos()90cos()90sin(14
2
0
1
0
2
0
2
00
2
0
2
2
2
1
10
0
0
0
0
HEd
dE
Ed
dE
HH
(8)
(8)- ifadəsini 4
4
qiymətlərində sadələşdirmək olar onda
HkEkE 01000 02
1
2
1
2
H
)20
d(E
1dμ
0μ
1
)20
d(E
dμ
02E
02
μ
2H
02
μ
2
1
01
μ
H
01
μ
2
11
ε
04ππ
γ (9)
(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-
rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
6
04
)(
)()()(4
21
21
HEdivjdivt
n
hhDhD
DhhEHEhEHEEHEt
EJ
(10)
(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq
xxxx J
DDE
DDdx
Ed
DD
UU
dx
Ed
1111
0111
11
110
2
)()1(0
2
(11)
Burada 000 EU yy kiUDk
01
24 011 00EU
04
i 000 en
01
2
11 04 UikD y
00 101 en
2m
Lk
y
y
210 m
L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur
0)2()(4
14
1
0
2
1
2
00
1
2
2
2 0
Uk
kiy
k
kk
U
Di
k
ky
y
y
x
y
x
x
y
buradan
0Uk
yy
)( 2
0
0
2
0
Ed
dE
)( 2
0
1
1
2
01
0
0Ed
dE
(12)
guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c
H [5]
2
02211
3
SH
cETT
e
TD
e
TD
e
TD ef
efefef
ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv
temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın
boşluqda yayılma suumlrətidir
21H
c 02 b
aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-
tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir
iiy 1
2)(
22221 (13)
burada 22
0
c
H
2
2
0
12y
x
x L
L
LeE
T
)2(2
12 1
0
2
00
EL
Len
c
H
y
x δltlt1 və
αβltlt2β olduğundan
24
221
iy
22
20 iy (14)
(14) - ifadəsini 4
021
iUk y
022
2Uki y
kimi yazsaq
)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi
ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni
tUk y
enE02
2
~)(
kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa
)4
cos(
~)(
02
4
0
44
02
0202
tUkeA
eenE
y
Utk
UtUtUk
y
yy
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
7
kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02
4
0
Uytk
eAA
kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır
Belə halda sistem
020
4Uk y
(15)
tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir
XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI
Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln
muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-
ccedilik dəyişən gərginlik verilsə
deVtV ti
)()( (16)
olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni
Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)
olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-
pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq
kəsb edir
1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi
Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir
2) İmpedansın sıfırlarını
3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq
Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini
tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi
dxtxEtv
L
)()(0
(18)
kimidir
L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti
(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə
hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin
tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali
kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona
goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik
sahəsinin E(0t) və E
(Lt) qiymətləri məlum olduqda
muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də
fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə
elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-
mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar
Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli
ola bilər yəni
E(0t) = E
(Lt)=0 (19)
Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa
E(0t) = E
(Lt)=0 ρ
(0t) = ρ
(Lt)=0 (20)
olar
Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-
sə Puasson tənliyinə əsasən
ox
E
Lxx
0
(21)
yazmaq olar (19-20-21) ifadələri
00
11
xx
EE
022
Lxx
EE (22)
(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)
şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada
məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-
yacağıq yəni [2]
ikx
q
qeAJAxE 0)( (23)
olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici
dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-
rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)
tənliyini aşağıdakı kimi yazaq
xx JEadx
da
dx
d
212
2
(24)
olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-
runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-
ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir
x
xikxikJ
aecectxE
2
2121)(
(25)
dxtxEv
L
)(0
[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini
nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu
nəzərə alsaq
2
)(aJ
VZ
(26)
alarıq
0)1sin(cos
)1()(
11
1
1
1
11
01
1 11
xx
Lik
L
xik
LkLkik
c
eik
cxikde
ik
cx
x
Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir
)()1(0
11
10
0
k
ZZ
0
0
xLZ (27)
(27)
(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq
2
2
2
1
1120
0
2
2
2
1
2110
0
0
0
)(Im
)(Re
y
y
kU
Z
Z
kU
Z
Z
(28)
Burada
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
4
DAXİLİ DAYANIQSIZLIQ
Elektron keccediliricikli muumlhitdə cərəyan şiddətı xarici
elektrik və maqnit sahəsi olduqda aşağıdakı kimidir
)()()(
)(
)()(
002001
002
0100
hhHEDhHED
DhEhHE
hEHEEHEj
(1)
(1)- tənliyində E0- xarici sabit elektrik sahəsi H0- xarici
sabit maqnit sahəsi )()( 000000 HEenHE - omik
keccediliricilik )()( 0010001 HEenHE - Holl keccedilirici-
liyi )()( 0020002 HEenHE - fokuslayıcı keccedilirici-
li )( 00 HEe
TD
ef omik diffuziya əmsalı
)()( 001001 HEe
THED
ef Holl diffuziya əmsalı
)( 0022 HEe
TD
ef fokuslayıcı diffuziya əmsalı Tef-
guumlcluuml elektrik sahəsində elektron temperaturu 00 en
n0- elektronların tarazlıq halındakı konsentrasiyasıdır l
-
maqnit sahəsi istiqamətində vahid vektordur Daxili daya-
nıqsızlıq halında rəqslərin tezliklərini
Erotct
HdivE
jdivt
4
0
(2)
(2) - sistem tənliklərinin birgə həllindən tapmaq lazımdır
Kristal daxilində yaranan dalğalar dəyişən elektrik
sahəsinə (E) nəzərən muumlxtəlif istiqamətlərdə yayıla bilər
Yəni k
-dalğa vektoru və E elektrik sahəsi ilə muumlxtəlif
bucaq əmələ gətirə bilər Əgər k E olarsa belə dal-
ğalara uzununa dalğalar deyilir Əvvəlcə uzununa dalğa-
ların dayanıqsızlıq halına baxaq (2)- tənliklər sistemində
olan dəyişən kəmiyyətlər
)(~)( trkienHE
(3)
kimi monoxramatik dalğa kimi qəbul etsək
0
EkciHrotc
t
H
olur yəni H=const (4)
Uzununa dalğalar yalnız dəyişən elektrik sahəsinin
hesabına yaranır (3) və (4) şərtlərini nəzərə alaraq (2)
tənliklər sistemini 00 EEE 00 nnn 0HH
ifadələri ilə xətliləşdirsək aşağıdakı dispersiya tənliyini
alarıq
0)()(
)(cos
)(cos)(
14
)(4
)(sin
)(sin)(
18
sin)(4
)(
)(
1)(
84
2
21
2
02
2
0
2
2
2
0
2
2
01
2
0
1
1
2
0
1
1
00
2
00
0
000
0
0
0
0
0
0
0
0
HkniDDHkkni
niDkHkHE
HkEd
dHE
ki
HkHk
inkHE
nkEd
dHE
ki
nkk
HiEk
Ed
dEk
k
Eii
(5)
(5)-dispersiya tənliyində )(4
Eke
n
n
-vahid vek-
tordur )()( 000 HEHE
(5) tənliyində k 0E
0E 0H
k 0H
istiqamətləri-
nə baxsaq
)(
21
42
00
2
0000
Ed
dEikE
(6)
ifadəsini alırıq Buradan goumlruumlnuumlr ki
)(
2
)(
22
00
2
0
2
00
2
0
Ed
dE
Ed
dE
olsa və
2
2
00
2
00
)(
21
4Dk
Ed
dE
şərti oumldənəndə
000 kE tezlikli dalğa dayanıqsız olur
Yəni iikE 000 ifadəsini
)(~)( trkienE
yerinə yazsaq
)cos( 00~)( tkEt
enE şəklində amplitudu te
kimi
artan harmonik rəqs alınır )(
22
00
2
0
Ed
dE
- ifadəsinin
mənfi olması elektronların xarici elektrik sahəsindən al-
dığı eE0l (l - elektronun sərbəst yolunun orta
uzunluğudur) enerji hesabına yuumlruumlkluumlyuumln azalması de-
məkdir Boumlyuumlk enerjiyə malik elektronlar zəif kiccedilik ener-
jiyə malik elektronlar guumlcluuml keccediliricilik yaradırlar (5)- tən-
liyindən k 0E
k 0H
kn
0E H
2
2
22
2
0
2
2
0
00
2
2
2
00
2
00
02)(
1
)(
21
40
0HDkDk
Ed
dEH
Ed
dEiHE
(7)
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
5
əgər i0
kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln
xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k
( H
E
) muumlstəvisində
deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur
Şəkil 2
0)90cos()90cos(4
coscos)(
18)90sin(
4
sinsinsinsin)(
184
22
012
0
1
1
2
0
11
002
00
2
000
0
0
0
00
Hi
HEEd
dHEi
Hi
EkEd
dEii
i
0 cossinsin 01000 0
HkEkE
cos)(
2sinsin
)(
2
)90cos()90cos()90sin(14
2
0
1
0
2
0
2
00
2
0
2
2
2
1
10
0
0
0
0
HEd
dE
Ed
dE
HH
(8)
(8)- ifadəsini 4
4
qiymətlərində sadələşdirmək olar onda
HkEkE 01000 02
1
2
1
2
H
)20
d(E
1dμ
0μ
1
)20
d(E
dμ
02E
02
μ
2H
02
μ
2
1
01
μ
H
01
μ
2
11
ε
04ππ
γ (9)
(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-
rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
6
04
)(
)()()(4
21
21
HEdivjdivt
n
hhDhD
DhhEHEhEHEEHEt
EJ
(10)
(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq
xxxx J
DDE
DDdx
Ed
DD
UU
dx
Ed
1111
0111
11
110
2
)()1(0
2
(11)
Burada 000 EU yy kiUDk
01
24 011 00EU
04
i 000 en
01
2
11 04 UikD y
00 101 en
2m
Lk
y
y
210 m
L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur
0)2()(4
14
1
0
2
1
2
00
1
2
2
2 0
Uk
kiy
k
kk
U
Di
k
ky
y
y
x
y
x
x
y
buradan
0Uk
yy
)( 2
0
0
2
0
Ed
dE
)( 2
0
1
1
2
01
0
0Ed
dE
(12)
guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c
H [5]
2
02211
3
SH
cETT
e
TD
e
TD
e
TD ef
efefef
ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv
temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın
boşluqda yayılma suumlrətidir
21H
c 02 b
aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-
tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir
iiy 1
2)(
22221 (13)
burada 22
0
c
H
2
2
0
12y
x
x L
L
LeE
T
)2(2
12 1
0
2
00
EL
Len
c
H
y
x δltlt1 və
αβltlt2β olduğundan
24
221
iy
22
20 iy (14)
(14) - ifadəsini 4
021
iUk y
022
2Uki y
kimi yazsaq
)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi
ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni
tUk y
enE02
2
~)(
kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa
)4
cos(
~)(
02
4
0
44
02
0202
tUkeA
eenE
y
Utk
UtUtUk
y
yy
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
7
kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02
4
0
Uytk
eAA
kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır
Belə halda sistem
020
4Uk y
(15)
tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir
XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI
Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln
muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-
ccedilik dəyişən gərginlik verilsə
deVtV ti
)()( (16)
olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni
Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)
olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-
pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq
kəsb edir
1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi
Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir
2) İmpedansın sıfırlarını
3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq
Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini
tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi
dxtxEtv
L
)()(0
(18)
kimidir
L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti
(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə
hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin
tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali
kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona
goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik
sahəsinin E(0t) və E
(Lt) qiymətləri məlum olduqda
muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də
fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə
elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-
mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar
Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli
ola bilər yəni
E(0t) = E
(Lt)=0 (19)
Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa
E(0t) = E
(Lt)=0 ρ
(0t) = ρ
(Lt)=0 (20)
olar
Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-
sə Puasson tənliyinə əsasən
ox
E
Lxx
0
(21)
yazmaq olar (19-20-21) ifadələri
00
11
xx
EE
022
Lxx
EE (22)
(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)
şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada
məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-
yacağıq yəni [2]
ikx
q
qeAJAxE 0)( (23)
olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici
dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-
rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)
tənliyini aşağıdakı kimi yazaq
xx JEadx
da
dx
d
212
2
(24)
olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-
runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-
ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir
x
xikxikJ
aecectxE
2
2121)(
(25)
dxtxEv
L
)(0
[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini
nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu
nəzərə alsaq
2
)(aJ
VZ
(26)
alarıq
0)1sin(cos
)1()(
11
1
1
1
11
01
1 11
xx
Lik
L
xik
LkLkik
c
eik
cxikde
ik
cx
x
Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir
)()1(0
11
10
0
k
ZZ
0
0
xLZ (27)
(27)
(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq
2
2
2
1
1120
0
2
2
2
1
2110
0
0
0
)(Im
)(Re
y
y
kU
Z
Z
kU
Z
Z
(28)
Burada
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
5
əgər i0
kimi yazsaq (7)-dən 0020HE tezlikli dalğanın dayanıqsızlıq şərtinin olması yenə yuumlruumlkluumlyuumln
xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə azalmasını tələb edir İndi fərz edək ki dalğa vektoru k
( H
E
) muumlstəvisində
deyil və aşağıdakı kimi youmlnəlib Şəkil 2 həndəsəsində (5) dispersiya tənliyi aşağıdakı kimi olur
Şəkil 2
0)90cos()90cos(4
coscos)(
18)90sin(
4
sinsinsinsin)(
184
22
012
0
1
1
2
0
11
002
00
2
000
0
0
0
00
Hi
HEEd
dHEi
Hi
EkEd
dEii
i
0 cossinsin 01000 0
HkEkE
cos)(
2sinsin
)(
2
)90cos()90cos()90sin(14
2
0
1
0
2
0
2
00
2
0
2
2
2
1
10
0
0
0
0
HEd
dE
Ed
dE
HH
(8)
(8)- ifadəsini 4
4
qiymətlərində sadələşdirmək olar onda
HkEkE 01000 02
1
2
1
2
H
)20
d(E
1dμ
0μ
1
)20
d(E
dμ
02E
02
μ
2H
02
μ
2
1
01
μ
H
01
μ
2
11
ε
04ππ
γ (9)
(9) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki yaranan dayanıqsız dalğalarında Holl yuumlruumlkluumlyuuml əsas rol oynayır Tezliyin boumlyuumlk qiymətlə-
rində dəyişmə cərəyanı nəzərə alınmalıdır onda tam cərəyan aşağıdakı kimidir
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
6
04
)(
)()()(4
21
21
HEdivjdivt
n
hhDhD
DhhEHEhEHEEHEt
EJ
(10)
(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq
xxxx J
DDE
DDdx
Ed
DD
UU
dx
Ed
1111
0111
11
110
2
)()1(0
2
(11)
Burada 000 EU yy kiUDk
01
24 011 00EU
04
i 000 en
01
2
11 04 UikD y
00 101 en
2m
Lk
y
y
210 m
L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur
0)2()(4
14
1
0
2
1
2
00
1
2
2
2 0
Uk
kiy
k
kk
U
Di
k
ky
y
y
x
y
x
x
y
buradan
0Uk
yy
)( 2
0
0
2
0
Ed
dE
)( 2
0
1
1
2
01
0
0Ed
dE
(12)
guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c
H [5]
2
02211
3
SH
cETT
e
TD
e
TD
e
TD ef
efefef
ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv
temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın
boşluqda yayılma suumlrətidir
21H
c 02 b
aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-
tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir
iiy 1
2)(
22221 (13)
burada 22
0
c
H
2
2
0
12y
x
x L
L
LeE
T
)2(2
12 1
0
2
00
EL
Len
c
H
y
x δltlt1 və
αβltlt2β olduğundan
24
221
iy
22
20 iy (14)
(14) - ifadəsini 4
021
iUk y
022
2Uki y
kimi yazsaq
)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi
ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni
tUk y
enE02
2
~)(
kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa
)4
cos(
~)(
02
4
0
44
02
0202
tUkeA
eenE
y
Utk
UtUtUk
y
yy
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
7
kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02
4
0
Uytk
eAA
kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır
Belə halda sistem
020
4Uk y
(15)
tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir
XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI
Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln
muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-
ccedilik dəyişən gərginlik verilsə
deVtV ti
)()( (16)
olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni
Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)
olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-
pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq
kəsb edir
1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi
Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir
2) İmpedansın sıfırlarını
3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq
Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini
tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi
dxtxEtv
L
)()(0
(18)
kimidir
L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti
(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə
hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin
tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali
kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona
goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik
sahəsinin E(0t) və E
(Lt) qiymətləri məlum olduqda
muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də
fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə
elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-
mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar
Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli
ola bilər yəni
E(0t) = E
(Lt)=0 (19)
Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa
E(0t) = E
(Lt)=0 ρ
(0t) = ρ
(Lt)=0 (20)
olar
Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-
sə Puasson tənliyinə əsasən
ox
E
Lxx
0
(21)
yazmaq olar (19-20-21) ifadələri
00
11
xx
EE
022
Lxx
EE (22)
(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)
şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada
məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-
yacağıq yəni [2]
ikx
q
qeAJAxE 0)( (23)
olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici
dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-
rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)
tənliyini aşağıdakı kimi yazaq
xx JEadx
da
dx
d
212
2
(24)
olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-
runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-
ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir
x
xikxikJ
aecectxE
2
2121)(
(25)
dxtxEv
L
)(0
[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini
nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu
nəzərə alsaq
2
)(aJ
VZ
(26)
alarıq
0)1sin(cos
)1()(
11
1
1
1
11
01
1 11
xx
Lik
L
xik
LkLkik
c
eik
cxikde
ik
cx
x
Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir
)()1(0
11
10
0
k
ZZ
0
0
xLZ (27)
(27)
(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq
2
2
2
1
1120
0
2
2
2
1
2110
0
0
0
)(Im
)(Re
y
y
kU
Z
Z
kU
Z
Z
(28)
Burada
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
6
04
)(
)()()(4
21
21
HEdivjdivt
n
hhDhD
DhhEHEhEHEEHEt
EJ
(10)
(3) monoxromatik şərtini nəzərə alsaq (10) tənliklər sistemindən aşağıdakı tənliyi alırıq
xxxx J
DDE
DDdx
Ed
DD
UU
dx
Ed
1111
0111
11
110
2
)()1(0
2
(11)
Burada 000 EU yy kiUDk
01
24 011 00EU
04
i 000 en
01
2
11 04 UikD y
00 101 en
2m
Lk
y
y
210 m
L- Y oxu uumlzrə kristalın oumllccediluumlsuumlduumlr Daxili dayanıqsızlıq olduqda 0xJ olduğundan (11) tənliyi aşağıdakı kimi olur
0)2()(4
14
1
0
2
1
2
00
1
2
2
2 0
Uk
kiy
k
kk
U
Di
k
ky
y
y
x
y
x
x
y
buradan
0Uk
yy
)( 2
0
0
2
0
Ed
dE
)( 2
0
1
1
2
01
0
0Ed
dE
(12)
guumlcluuml maqnit sahəsində 10 c
H [5]
2
02211
3
SH
cETT
e
TD
e
TD
e
TD ef
efefef
ifadələri nəzərə alınmışdır Tef- elektronların effektiv
temperaturu T- kristal qəfəsin temperaturu c- işığın
boşluqda yayılma suumlrətidir
21H
c 02 b
aasympbasymp1[6] ifadələrini (12) tənliyində nəzərə alsaq (12)-
tənliyinin həlli aşağıdakı kimidir
iiy 1
2)(
22221 (13)
burada 22
0
c
H
2
2
0
12y
x
x L
L
LeE
T
)2(2
12 1
0
2
00
EL
Len
c
H
y
x δltlt1 və
αβltlt2β olduğundan
24
221
iy
22
20 iy (14)
(14) - ifadəsini 4
021
iUk y
022
2Uki y
kimi yazsaq
)(~)( tkxienE ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki ω2 - tezliyi
ilə yaranan dalğalar aperiodikdir artandır yəni
tUk y
enE02
2
~)(
kimidir ω1- tezliyi ilə yaranan dalğa
)4
cos(
~)(
02
4
0
44
02
0202
tUkeA
eenE
y
Utk
UtUtUk
y
yy
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
7
kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02
4
0
Uytk
eAA
kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır
Belə halda sistem
020
4Uk y
(15)
tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir
XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI
Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln
muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-
ccedilik dəyişən gərginlik verilsə
deVtV ti
)()( (16)
olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni
Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)
olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-
pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq
kəsb edir
1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi
Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir
2) İmpedansın sıfırlarını
3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq
Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini
tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi
dxtxEtv
L
)()(0
(18)
kimidir
L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti
(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə
hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin
tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali
kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona
goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik
sahəsinin E(0t) və E
(Lt) qiymətləri məlum olduqda
muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də
fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə
elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-
mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar
Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli
ola bilər yəni
E(0t) = E
(Lt)=0 (19)
Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa
E(0t) = E
(Lt)=0 ρ
(0t) = ρ
(Lt)=0 (20)
olar
Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-
sə Puasson tənliyinə əsasən
ox
E
Lxx
0
(21)
yazmaq olar (19-20-21) ifadələri
00
11
xx
EE
022
Lxx
EE (22)
(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)
şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada
məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-
yacağıq yəni [2]
ikx
q
qeAJAxE 0)( (23)
olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici
dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-
rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)
tənliyini aşağıdakı kimi yazaq
xx JEadx
da
dx
d
212
2
(24)
olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-
runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-
ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir
x
xikxikJ
aecectxE
2
2121)(
(25)
dxtxEv
L
)(0
[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini
nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu
nəzərə alsaq
2
)(aJ
VZ
(26)
alarıq
0)1sin(cos
)1()(
11
1
1
1
11
01
1 11
xx
Lik
L
xik
LkLkik
c
eik
cxikde
ik
cx
x
Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir
)()1(0
11
10
0
k
ZZ
0
0
xLZ (27)
(27)
(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq
2
2
2
1
1120
0
2
2
2
1
2110
0
0
0
)(Im
)(Re
y
y
kU
Z
Z
kU
Z
Z
(28)
Burada
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
7
kimi harmonik rəqsdir və rəqsin amplitudu 02
4
0
Uytk
eAA
kimi artandır yəni sistem qeyri-tarazlıq halındadır
Belə halda sistem
020
4Uk y
(15)
tezliklə şuumlalanır və enerji mənbəyinə ccedilevrilir
XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
İMPEDANS DAYANIQSIZLIĞI
Xarici doumlvrədə cərəyan rəqslərini tədqiq etmək uumlccediluumln
muumlhitin impedansını hesablamaq lazımdır Nuumlmunəyə ki-
ccedilik dəyişən gərginlik verilsə
deVtV ti
)()( (16)
olar Onda sistemdə J qədər cərəyan dəyişər yəni
Z(ω)δJ(ω)= δv(ω) (17)
olur ki burada Z(ω) ω tezliyinə uyğun impedansdır İm-
pedansın hesablanmasında aşağıdakı uumlccedil məsələ maraq
kəsb edir
1)İmpedansın həqiqi hissəsinin İm (ω)=0 olanda işarəsi
Rez(ω)lt0 olduqda nuumlmunə guumlcləndirici kimi işləyir
2) İmpedansın sıfırlarını
3) impedansın quumltuumlblərini tapmaq
Biz burada impedansın həqiqi hissəsinin işarəsini
tədqiq edəcəyik Δv gərginliyinin dəyişməsi
dxtxEtv
L
)()(0
(18)
kimidir
L-nuumlmunənin oumllccediluumlsuumlduumlr E(xt)=E(xt) kəmiyyəti
(11) tənliyindən sərhəd şərtləri vasitəsi ilə
hesablanmalıdır Xarici dayanıqsızlıq olduqda rəqsin
tezliyi həqiqi kəmiyyətdir Dalğa vektoru isə xəyali
kəmiyyətdir (11)-tənliyi inteqral-diferensial tənlikdir ona
goumlrə onun tam həlli nuumlmunənin uclarında dəyişən elektrik
sahəsinin E(0t) və E
(Lt) qiymətləri məlum olduqda
muumlmkuumlnduumlr Əslində kontaktlarda sərhəd şərtləri də
fluktasiyaya uğraya bilər Ona goumlrə də sərhədlərdə
elektrik sahəsinə muumlxtəlif şərtlər yazıb hesablanınan qiy-
mətləri təcruumlbə ilə muumlqayisə etmək olar
Sərhədlərdə elektrik sahəsinin paylanması bircinsli
ola bilər yəni
E(0t) = E
(Lt)=0 (19)
Sərhədlərdə fluktuasiya zamanı periodiklik olarsa
E(0t) = E
(Lt)=0 ρ
(0t) = ρ
(Lt)=0 (20)
olar
Sərhədlərdə yuumlkdaşıyıcıların konsentrasiyası verilib-
sə Puasson tənliyinə əsasən
ox
E
Lxx
0
(21)
yazmaq olar (19-20-21) ifadələri
00
11
xx
EE
022
Lxx
EE (22)
(22) - şərtinin xuumlsusi hallarıdır (19-20-21) və (22)
şərtləri ayrılıqda nəzəri tədqiq olunmalıdır Biz burada
məqalədə impedansı periodiklik şərti oumldəndikdə hesabla-
yacağıq yəni [2]
ikx
q
qeAJAxE 0)( (23)
olur ki burada q- )( xE oumldədiyi tənliyin tərtibi k-xarici
dayanıqsızlıq halında nuumlmunədə yayılan dalğanın vekto-
rudur Nuumlmunənin impendansını hesablamaq uumlccediluumln (11)
tənliyini aşağıdakı kimi yazaq
xx JEadx
da
dx
d
212
2
(24)
olur (24) ndash tənliyinin həllindən kx kompleks dalğa vekto-
runu tapmaq lazımdır(24)- tənliyi kx-ə goumlrə kvadrat oldu-
ğundan (24) ndash tənliyinin tam həlli aşağıdakı kimidir
x
xikxikJ
aecectxE
2
2121)(
(25)
dxtxEv
L
)(0
[7] inteqralını (23) periodiklik şərtini
nəzərə almaqla inteqrallasaq və δV=Z(ω)J olduğunu
nəzərə alsaq
2
)(aJ
VZ
(26)
alarıq
0)1sin(cos
)1()(
11
1
1
1
11
01
1 11
xx
Lik
L
xik
LkLkik
c
eik
cxikde
ik
cx
x
Onda (26) ndash ifadəsi aşağıdakı kimidir
)()1(0
11
10
0
k
ZZ
0
0
xLZ (27)
(27)
(28) tənliyinin həqiqi və xəyali hissəsini ayırsaq
2
2
2
1
1120
0
2
2
2
1
2110
0
0
0
)(Im
)(Re
y
y
kU
Z
Z
kU
Z
Z
(28)
Burada
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
BZ ƏLİYEV ER HƏSƏNOV TR MEHDİYEV
8
4
)1()1(0
1
2
011
0
1
100
ykU
01
2
11 4 ykD
4
)(0
0112 0
Uk y 0
2
0 4 yDk
(28) ifadələrindən goumlruumlnuumlr ki impedansın həqiqi və xəyali
hissələrinin işarələrini birqiymətli təyin etmək muumlmkuumln
deyil ona goumlrə də
0
)(Re
Z
Z və
0
)(Im
Z
Z işarələrini
təcruumlbədə elektrik sahəsi (E0) və maqnit sahəsi (H) kə-
miyyətlərinin muumlşahidə olunan qiymətlərini nəzərə ala-
cayıq (28)- ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki nuumlmunənin Ly oumllccediluumlsuuml
əsas rol oynayır 2
y
yL
k
0
2
2
ne
TL
eff
y
qiymətlərini (28)
ifadəsində yerinə yazsaq [8]
2
1
2
0
0
0
2
1
2
0
1
0
)(4
4)(Im
)(4
)(Re
Z
Z
Z
Z
(29)
(29)- ifadələrindən məlumdur ki
0
)(Im
Z
Z lt0 Deməli
nuumlmunədə tutum xarakterli C
Rtutum
1 (C-elektrik
tutumdur) muumlqaviməti kimi yaradır
0
)(Re
Z
Z - işarəsi-
nin mənfi olması (yəni kristalın enerji şuumlalandırması) φ və
φ1 ifadələrinin işarələrindən asılıdır Əgər μ və μ1 yuumlruumlk-
luumlkləri elektrik sahəsi artdıqca azalırlarsa onda φgtφ1
olmalıdır φ gt0 φ1gt0 olanda φ1gt φ φ lt0 φ1gt0 olanda
φgtφ1 φ = φ1 olanda isə impedans sıfırdan keccedilir
Beləliklə
0
)(Re
Z
Z ifadəsinin mənfi qiymətində
0)(Re0
Z
RZ
[8] tənliyindən şuumlalanan enerjinin
tezliyini hesablayaq
1
01
2
02 )(4
R
Z (30)
(30) ifadəsindən goumlruumlnuumlr ki doumlvrəyə qoşulan R muumlqavi-
mətini dəyişməklə (ω2gt0 şərti daxilində) muumlxtəlif tezlikli
şuumlalanma almaq olar Nuumlmunə daxilində dəyişən E və n
kəmiyyətləri aşağıda goumlstərilən şəkildə zamandan asılı
olaraq fluktasiya edir
Şəkil 3
A amplitudu A~eγt [9] γgt0 şərtində artan olur ancaq bu
artma yuumlkdaşıyıcıların yuumlruumlkluumlklərinin elektrik sahəsindən
asılı olaraq azalması prosesi dayananda sabitləşir Xarici
elektrik sahəsindən alınan enerji artıqca elektronlar keccediliri-
cilikdə az iştirak edirlər Bu mexanizm impedans dayanıq-
sızlığında tezliyin (30) ifadəsi ilə təyin olunan qiyməti
başlanır və bu şərtlə ki UdgtS olmalıdır
NƏTİCƏLƏR
N-tip keccediliricikli keccedilirici muumlhitlərdə xarici elektrik
və maqnit sahələrinin perpendikulyar youmlnəlməsi ilə daya-
nıqsız elektromaqnit dalğaları yaranır Maqnit sahəsinin
μHgtc qiymətində bu dalğaların tezlikləri hesablanmışdır
Nuumlmunə daxilində yayılan dalğaların istiqamətlərindən
asılı olaraq şuumlalanma tezlikləri dəyişir Belə halda olan
nuumlmunələrdən istənilən tezliyi əldə etmək muumlmkuumlnduumlr
Burada əsas tədbiq olunan nuumlmunən oumllccediluumlləri kiccedilik olmalı-
dır Daxildə yaranan dalğalar eninə olarsa yəni [ kH ]
hasili sıfırdan fərqli halı uumlccediluumln nəzəri tədqiqat muumlrəkkəb-
dir ancaq vacibdir
________________________________
[1] ЭКонуэлл Кинетические свойства полупро-
водников в сильных электрических полях
Издательство laquoМирraquo Москва 1970 стр14-17
[2] ВЛБонч-Бруевич ИПЗвячин АГМиронов
Доменная электрическая неустойчивость в
полупроводниках Издательство laquoНаукаraquo
Москва 1972 стр16-20
[3] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 1433
1969
[4] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТП 312011969
[5] ЛЭГуревич и ЭР Гасанов ФТТ 11 3684
1969
[6] БИ Давидов ЖЭТФ710691937
[7] Eldar Rasuloglu Hasanov Rugiye Keremkızı
Gasımova Akber Zeynalabdinoglu Panahov and
Aliıhsan Demirel The Nonlinear Theory of
Ganns Effect Progress of Theoretical Physics
Volume 121 Number 3 pp593-601March 2009
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
ELEKTRON TİP KECcedilİRİCİLİYİNƏ MALİK MUumlHİTLƏRDƏ DAXİLİ VƏ XARİCİ DAYANIQSIZLIQ
9
[8] E R Hasanov R KGasımova A Z Panahov
and AI Demirel Adv Studies Theor Phys vol3
2009 N8 293-298
[9] ERHasanov Rasoul Nezhad Hosseyn
AZPanahov Adv Studies Theor Phys vol5
2011 No1 25-30
BZ Aliyev ER Hasanov TR Mehdiyev
EXTERNAL AND INTERNAL INSTABILITY IN CONDUCTING MEDIUMS
WITH ELECTRON CONDUCTION TYPE
It is firstly shown that instable wave appears in conducting mediums with electron conduction type in the dependence on its
size For cases of external and internal instability of appearing waves the frequencies are calculated It is shown that instable wave
amplitude exponentially depends on time
ВЗ Алиев ЕР Гасанов ТР Мехтиев
ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В ПРОВОДЯЩИХ СРЕДАХ
С ЭЛЕКТРОННЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ
Впервые показано что в проводящих средах с электронным типом проводимости в зависимости от размера возникает
неустойчивая волна Для случаев внутренней и внешней неустойчивости возникающих волн вычислены частоты Доказано
что амплитуда неустойчивых волн экспоненциально зависит от времени
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
10
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN
OumlYRƏNİLMƏSİ
ZY SADIQOV1 AA DOumlVLƏTOV
1 NA SƏFƏROV
1 RS MƏDƏTOV
2
Fİ ƏHMƏDOV2 XI ABDULLAYEV
3 RM MUXTAROV
3
1 AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu Аz-1143 Bakı HCavid prospekti 33
2Radiasiya Problemləri İnstitutu AZME Baki Azərbaycan
3Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasi BakiBinə 25-ci km Azərbaycan
Bu iş NA61 (CERN Ceneva) COMPASS (CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) təcruumlbələrində istifadə edilən MAPD-3A
və MAPD-3N tipli selvari diodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsinə həsir edilmişdir
Accedilar soumlzlər mikro-pikselli selvari fotodiodlar guumlcləndirmə əmsalı bərpa olunma muumlddəti sel prosesi
UOT 0777-n 0777-Ka 2940 Wk 8530 De 8560 Dw
Mikro-pikselli selvari fotodiodlar (MSFD) sahəsində
əldə edilən uğurlar bu diodların yuumlksək enerjilər fizika-
sında məsələn NA61 (CERN Ceneva) COMPASS
(CERN Ceneva) və NICA (BNTİ Dubna) layihələrində
o cumlədən astronomiyada (teleskop MAGIC) tibbdə
(PET skanerlər) və dozimetriyada geniş istifadəsinə im-
kan vermişdir [1 2] MSFD diodları Foto Elektron Guumlc-
ləndiricilər ilə muumlqayisədə yuumlksək kvant effektivliyinə
(~80) yuumlksək foto qeyd etmə əmsalına (~30-40) aşa-
ğı işləmə gərginliyinə kompakt olmasına və maqnit sahə-
sinə həssas olmaması kimi xuumlsusi uumlstuumlnluumlklərə malikdir-
lər Buumltuumln bunlar MAPD-3A və MAPD-3N tipli selvari
diodların geniş və suumlrətlə yayılmasını təmin edir
MSFD diodlarını xarakterizə edən kəmiyyətlərdən
biri də sayma suumlrətidir (ingiliscə count rate) Sayma suumlrə-
ti diodların bərpa olunma muumlddətindən asılıdır Qeyd et-
mək lazımdır ki MSFD-nın piksellərində selvari proses
baş verməzdən oumlncə onlara tətbiq olunan gərginlik onların
deşilmə gərginliyindən bir neccedilə volt artıq olur Hər hansı
bir pikseldə fotoelektron yarandıqda orada selvari proses
baş verir və elektrik boşalması nəticəsində həmin pikselə
tətbiq olunan gərginlik deşilmə gərginliyindən bir neccedilə
volt aşağı duumlşuumlr Bu da selvari prosesin soumlnməsinə səbəb
olur Bu vəziyyətdə yəni pikselin gərginliyi deşilmə gər-
ginliyindən aşağı olduqda orada yaranan ikinci fotoelek-
tron birinci fotoelektron qədər gucləndirilə bilmir Pikse-
lin işlək vəziyyətə qayıtması uumlccediluumln yəni onun gərginliyi-
nin selvari prosesdən əvvəlki vəziyyətinə qayıtması uumlccediluumln
tələb olunan zaman bərpa olunma muumlddəti kimi qəbul
olunur Bu səbəbdən də bu iş MSFD-3A və MSFD-3N
tipli diodların bərpa olunma muumlddətlərinin geniş oumlyrənil-
məsinə həsr edilmişdir
Tədqiq edilmiş diodlar n-tip altlıq uumlzərində yetişdi-
rilmiş xuumlsusi muumlqavimətləri 7 Ω∙sm olan 4 μm qalınlıqlı
iki epitaksial laylardan və bu layların arasında bir-birin-
dən 8 μm məsafədə yerləşən yuumlksək aşqarlı n+-mərkəzlər-
dən (piksellərdən) ibarətdir Belə strukturlar elmi ədəbiy-
yatda mikro-pikselli selvari fotodiodlar (ingiliscə
ldquoMicro-pixel Avalanche Photo Diode ndash MAPDrdquo) kimi ta-
nınır MSFD-3A və MSFD-3N diodlarında piksellərin
sıxlığı ~15000 pikselmm2
tərtibindədir MSFD-3A dio-
dunda piksellərin diametri 3 μm MSFD-3N diodunda isə
5μm olmuşdur Diodların həssas sahələrinin oumllccediluumlləri
3mmtimes3mm-dir
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının guumlcləndirmə
əmsalını və qaranlıq cərəyanını oumllccedilmək uumlccediluumln Keithley
6487 pikoampermetrindən 465B tipli Tektronix ossillo-
skopundan və Q5-56 impuls qeneratorundan istifadə edil-
mişdir Keithley 6487 cihazı həmccedilinin gərginlik mənbəyi
kimi də tətbiq olunmuşdur Elektrik potensialı Keithley-
6487 cihazından sonra RC-filtrdən keccedilərək MSFD diod-
lara tətbiq olunur MSFD diodlara duumlşən fotonların sayını
tapmaq uumlccediluumln parametrləri məlum olan Hammamastu fir-
masının S1223-01 tipli p-i-n diodundan istifadə edilmiş-
dir Oumllccedilmələr otaq temperaturunda aparılmışdır
Şəkil 1-də MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının
guumlcləndirmə əmsallarının gərginlikdən asılılığı verilmiş-
dir Guumlcləndirmə əmsalını oumllccedilmək uumlccediluumln dalğa uzunluğu
450nm olan yarımkeccedilirici işıqlandırıcı diod işıq mənbəyi
kimi istifadə olunmuşdur İşıq impulsunun davam etmə
muumlddəti 100ns goumltuumlruumllmuumlşduumlr Guumlcləndirmə əmsalının tə-
yin edilmə metodu [3]-də verilmişdir İşləmə gərginliklə-
rində MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının qaranlıq cərə-
yanlarının 54nA və 26nA guumlcləndirmə əmsallarının isə
1times104 və 3times10
4 olduğu muumləyyən edilmişdir
Şəkil 1 MSFD-3A(1) və MSFD-3N (2) diodlarının guumlc-
ləndirmə əmisallarının gərginlikdən asılılığı
MSFD-3A və MSFD-3N diodlarının bərpa olunma
muumlddətlərini təyin etmək uumlccediluumln cuumlt impuls metodundan is-
tifadə olunmuşdur Bu metodda uumlmumi tezliyi 300Hs və
davametmə muumlddəti 50ns olan iki eyni guumlccedilluuml işıq impul-
sundan istifadə edilmişdir İmpulslardan ikincisinə birin-
ciyə nəzərən muxtəlif yubanma vaxtı (τ) verərək ona uy-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
MİKRO-PİKSELLİ SELVARİ FOTODİODLARIN BƏRPA OLUNMA MUumlDDƏTİNİN OumlYRƏNİLMƏSİ
11
ğun olan fotosiqnalın amlitudu təyin edilir Yubanma vax-
tı azaldıqca ikinci fotosignalın amplitudu (A2) birinci fo-
tosignalın amplituduna (A1) nəzərən azalır Belə halda
bərpa olunma muumlddəti ikinci fotosignalın amplitudunun
birincinin A2A1= 95-nə ccedilatdıği yubanma vaxtı kimi tə-
yin edilir MAPD-3A və MAPD-3N diodlarının bərpa
olunma muumlddəti onlara tətbiq olunan gərginliklərinin
665V və 90V qiymətlərində təyin edilmişdir (Şəkil 2)
Məlum olmuşdur ki MSFD-3A diodunun bərpa olunma
muumlddəti 205 μsan və MSFD-3N diodunun isə bərpa olun-
ma muumlddəti 480 μsan tərtibindədir
Şəkil 2 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında nisbi
amplitudların yubanma vaxtından asılılığı
Tədqiqatlar nəticəsində MAPD-3A və MAPD-3N
diodlarının bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsa-
lından asılılığı aşkar edilmişdir (Şəkil 3) Məlum olmuş-
dur ki guumlcləndirmə əmsalı artdıqca bərpa olunma muumld-
dəti azalır Bu onunla izah olunur ki guumlcləndirmə əmsalı-
nın boumlyuumlk qiymətlərində yaranan elektronların ccedilox az bir
hissəsi pikseldə qalır onların ccedilox hissəsi isə pikselin po-
tensial ccediluxurundan asanlıqla keccedilərək elektroda axır [4 5]
Şəkil 3 MSFD-3A (1) və MSFD-3N (2) diodlarında bərpa
olunma muumlddətinin guumlcləndirmə əmsalından asılılığı
Beləliklə muəyyən edilmişdir ki işləmə gərginliklə-
rində MAPD-3A tipli diodların bərpa olunma muumlddəti
MAPD-3N ilə muumlqayisədə 23 dəfə azdır Həmccedilinin
MAPD-3A diodların bərpa olunma muumlddətinin guumlcləndir-
mə əmsalından daha kəskin asılı olduğu təyin edilmişdir
________________________________
[1] ZSadygov AOlshevski IChirikov et al Nucl Instr
and Meth A 567 2006 70-73
[2] NAnfimov IChirikov-Zorin ADovlatov et al Nucl
Instr and Meth A 617 2010 78ndash80
[3] FAhmadov ZSadygov RMadatov Transactions
Azerbaijan National Academy of Sciences
VolXXXI 2011 14-17
[4] ЗЯ Садыгов Патент РФ 2316848 приоритет от
01062006
[5] ЗСадыгов АОльшевский АДовлатов и др Пись-
ма в журнал технической физики 2010 том 36
вып 11 стр83-89
ZY Sadygov AA Dovlatov NA Safarov RS Madatov FI Ahmadov XI Abdullaev RM Muhtarov
STUDY OF THE RECOVERY TIME OF THE MICRO-PIXEL AVALANCHE PHOTODIODES
This work is dedicated to investigation of recovery time of photo response of micro-pixel avalanche photodiodes MAPD-3A
and MAPD-3N which are used in NA61 (CERN Geneva) COMPASS (CERN Geneva) and NICA (JINR Dubna) experiments
ЗЯ Садыгов АА Довлатов НА Сафаров РС Мадатов ФИ Ахмедов ХИ Абдуллаев РМ Мухтаров
ИЗУЧЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ МИКРО-ПИКСЕЛЬНЫХ ЛАВИННЫХ
ФОТОДИОДОВ
Работа посвящена исследованию времени восстановления фотоотклика лавинных фотодиодов типа MAPD-3A и
MAPD-3N используемых в экспериментах NA61 (ЦЕРН Женева) COMPASS (ЦЕРН Женева) и NICA (ОИЯИ Дубна)
Qəbul olunma tarixi 24022012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
12
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ
ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
KR YUSİF-ZADƏ
AR sərhəd qoşunlarının hərbi hospitalı Bakı
Tibbi endoskopik sistemlər uumlccediluumln işıq mənbələri kimi halogen ksenon və metalhaloid lampalı cihazlar istifadə olunur Halogen
işıqlarından fərqli olaraq ksenon işıq mənbələri nəinki yuumlksək işıq intensivliyi uumlccediluumln həmccedilinin foto və video sənədləşməsi uumlccediluumln
optimal şərait yaradır Ksenon lampalarının əsas uumlstuumlnluumlklərindən biri də yuumlksək işıq ccedilıxışı ilə yanaşı həmccedilinin qənaətli enerji
istehlakıdır
Accedilar soumlzlər endocərrahi əməliyyat halogen işıq ksenon və metalhaloid lampa
UOT 01 04 07 19 12
1 GİRİŞ
Laparoskopik cərrahiyyənin ənənəvi cərrahiyyə (la-
parotomiya vasitəsilə) uumlzərində uumlstuumlnluumlklərindən biri odur
ki o cərrahi muumldaхilə aparılan sahənin boumlyuumlduumllməsinə
demək olar ki mikrocərrahiyyə ilə muumlqayisəyə imkan
yaradır Bu zaman təsvirin keyfiyyəti buumltuumln səviyyələrdə
(optik və elektron sistemlərin) əhəmiyyətli dərəcədə işığın
keyfiyyətindən asılıdır
Tibbi işıq mənbələri əməliyyat sahəsinin televiziya
goumlruumlntuumlsuumlnuumln keyfiyyətini və nəticə etibarilə aparılan
muumlalicə və diaqnostikanın səmərəliliyi və keyfiyyətini
muumləyyən edən endoskopik (endocərrahi) komplekslərin
əsas elementlərindən biridir Endoskopik işıqlandırma sis-
temlərinə yuumlksək tələblər irəli suumlruumlluumlr Onlar işıq seli ilə
vahid bir fonsuz bərabər tənzim edilən işıqlandırmanı tə-
min etməlidir Işıq soyuq olmalıdır Işıqlandırmanın vi-
deokamera siqnalından avtomatik tənzim edilməsi nəzər-
də tutulmalıdır Işığın rəng temperaturu təbii işığa yaхın
olmalı və işıq selinin tənzim edilməsi zamanı dəyişməmə-
lidir Endoskoplar vasitəsilə oumltuumlruumllən goumlruumlntuumlnuumln keyfiy-
yəti əsasən spektral tərkiblə (rəng temperaturu) və muumlayi-
nə edilən boşluğa işıqlandırma sistemindən daхil olan işı-
ğın miqdarı ilə muumləyyən edilir Işığın optik хuumlsusiy-
yətlərinin muumlayinə edilən sahənin əks etdirmə qabiliyyəti
ilə optimal tarazlaşdırılması zamanı goumlruumlntuumldə pasientin
daхili orqanlarının vəziyyəti barədə maksimal dərəcədə
məlumat əldə edilir
2 NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN MUumlZAKİRƏSİ
Tibbi endoskopik sistemlərdə işıq mənbəyi kimi ha-
logen ksenon və metalhaloid lampalı işıqlandırıcılar isti-
fadə edilir
Endoskopik avadanlıq istehsal edən firmalar endo-
cərrahiyyə uumlccediluumln geniş ccedileşiddə 150 Vt-dan ccediloх guumlcə malik
işıq mənbələri təklif edir Bununla yanaşı şəхsi muumlşahi-
dələrimin təcruumlbəsi ksenon işıqlandırıcıların istifadəsinin
əlverişli olmasında əminlik yaradır
2006-cı ildən 2011-ci ilədək tərəfimizdən 352 lapa-
roskopik əməliyyat yerinə yetirilmişdir Laparoskopik
uumlsulla 336 (954) əməliyyat accedilıq əməliyyata keccedilid 16
(45) halda baş vermişdir 98 (278) хəstədə əməliy-
yatın aparılmasına səbəb хroniki kalkulyoz хolesistit 52-
də (147) ndash fleqmonoz хoralı хolesistit 48-də (136) ndash
qanqrenoz хolesistit 17-də (48) ndash хroniki хolesistit 7-
də (2) ndash kəskin хroniki kalkulyoz хolesistit olmuşdur
2006-2007-ci illərdə laparoskopik əməliyyatlar halo-
gen işıq mənbələrindən istifadə etməklə yerinə yetirilirdi
Əməliyyatın muumlddəti 23-190 dəqiqə təşkil edirdi (orta he-
sabla 55 dəq) 2008-ci ildən isə laparoskopik əməliyyat-
larda laquoStorzraquo firmasının ksenon lampalarından istifadə et-
məyə başladıq Nəticədə əməliyyatın muumlddəti əhəmiyyətli
dərəcədə azalmış və 11-60 dəq təşkil etmişdir (orta hesab-
la 23 dəq)
Halogen işıqlandırıcılardan fərqli olaraq ksenon işıq
mənbələri işıqlandırmanın nəinki yuumlksək intensivliyini tə-
min edir həmccedilinin foto- və videosənədləşdirmə uumlccediluumln op-
timal şərait yaradır ccediluumlnki guumlnəş şuumlasına uyğun olan yuumlk-
sək rəng temperaturu (6000ordmK-dən yuхarı) rəngin qavran-
masını əhəmiyyətli dərəcədə yaхşılaşdırır
Ksenon lampaların uumlstuumlnluumlklərindən biri də daha ccediloх
işıq oumltuumlrməsidir 35W guumlcuumlndə olan ksenon lampanın saccedil-
dığı işıq seli 55W guumlcuumlndə adi lampadan fərqli olaraq
təхminən 2 dəfə intensivdir Qeyd etmək lazımdır ki bu
lampalar başqalarına nisbətən daha az enerji sərf edir
(şək 1b)
a)
b)
Şəkil 1 Ksenon işıq mənbəyi
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
İŞIQ MƏNBƏLƏRİNİN OumlD KİSƏSİNDƏ APARILAN ENDOCƏRRAHİ ƏMƏLİYYATLARINDA İSTİFADƏSİ
13
Halogen işıqlandırıcılarda bir qayda olaraq 100 və
ya 150-vatlıq halogen lampalar istifadə olunur Onların
əsas uumlstuumlnluumlyuuml ucuz olmasıdır Ccedilatışmazlıqları ndash nisbətən
aşağı işıq seli zamanı yuumlksək enerji sərfi lampanın qısa
muumlddətli хidməti (təхminən 50 saat) və sarı sahəyə keccedil-
miş spektridir
Şəkil 2 Halogen işıq mənbəyi
Yeni işıq mənbəyi ndash işıqdiod (LED) mənbəyidir
hansı ki yığcam olması aşağı enerji sərfi (1vt-a qədər)
20000 luumlks (lx) yaхşı işıqlandırma səviyyəsi və uzun
muumlddətli istifadə ilə хarakterizə olunur Ədəbiyyatda
kompakt LED işıq mənbəyindən istifadə təcruumlbəsi veril-
mişdir [2] Əməliyyatların muumlddəti standart ksenon işıq
mənbəyi ilə yerinə yetirilən oxşar əməliyyatların muumlddə-
tindən fərqlidir Əməliyyatın planı buumltuumln hallarda yerinə
yetirilmişdir LED-mənbəyin guumlcuumlnuumln komfortlu iş uumlccediluumln
yetərli olmasına baxmayaraq əməliyyat sahəsinin bir qə-
dər zəif işıqlandırılması həmccedilinin standart ksenon işıq
mənbəyi ilə muumlqayisədə rəng temperaturunun aşağı olma-
sı qeyd edilmişdir
3 XUumlLASƏ
Beləliklə laparoskopik əməliyyatlarda ksenon işıq-
landırmadan istifadədə şəхsi təcruumlbəmə əsaslanaraq kse-
non lampaların uumlstuumlnluumlklərini qeyd etmək lazımdır
- daha ccediloх işıq oumltuumlruumllməsi
- işıq selinin cərəyandan asılı olmaması
- daha ccediloх əlverişli olması
- uzun хidmət muumlddəti
- daha ccediloх vibrasiya muumlqaviməti
- yuumlksək təhluumlkəsizliyi
- yuumlksək komfort
- lampanın daha az temperaturu
Beləliklə laparoskopiyada ksenon işıqlandırıcı daha
boumlyuumlk boşluqların işıqlandırılması uumlccediluumln lazımi guumlcə malik
olmaqla əvəzsizdir
___________________________
[1] KARL STORZ Endoskope (Tuttlingen
Deutschland) Добро пожаловать в мир эндоско-
пии httpwwwkarlstorzdecpsrdexchgkarlstorz-
ruhsxslindexhtm
[2] IV Klyuccedilarov və b КDMU 2009
KR Yusif-zadə
LIGHT SOURCE APPLICATIONS IN ENDOSURGICAL OPERATIONS ON GALL-BLADDER
Medical light sources are an essential elements of endoscopic (endosurgical) complexes that determine the quality of television pictures
operative field As light sources for medical endoscopic systems are used fixtures with halogen xenon and metal halide lamps In contrast to halogen lights xenon light sources not only provide increased light intensity but also provide optimal conditions for photo and video documentation One of
the advantages of xenon bulbs is a great light output with less power consumption
Thus in laparoscopy xenon illuminator is indispensable which has the necessary power for illumination of large cavities
КР Юсиф-заде
ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЭНДОХИРУРГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
НА ЖЕЛЧНОМ ПУЗЫРЕ
Источники света являются одним из основных элементов эндоскопических (эндохирургических) комплексов опре-
деляющих качество телевизионного изображения операционного поля а следовательно эффективность и качество проводи-
мого лечения и диагностики В качестве источников света для эндоскопических систем используются приборы с галогено-
выми ксеноновыми и металгалоидными лампами В отличие от галогенового света ксеноновые источники света обеспе-
чивают не только повышенную интенсивность света но и оптимальные условия для фото и видео документации Одним из
преимуществ ксеноновых ламп является также высокий уровень выхода света при низком потреблении мощности
Таким образом в лапароскопии ксеноновая лампа является незаменимым источником света который обладает необходи-
мой мощностью для освещения больших полостей
Qəbul olunma tarixi 15122011
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
14
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ
TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil 1 korpus 2
Məqalədə tədqiq olunan su obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və bunun əsasında suyun oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə pro-
seslərinin proqnozları həll olunur
Accedilar soumlzlər Navye-Stoks tənliyi hidrodinamik toplanan məhdudiyyətlər adsorbsiya koaulyasiya
UOT 4380 ndash n 4380 + p 9162 De
Hal-hazırda su saxlanılan komplekslərin planlaşdırıl-
ması və tədqiqi zamanı maddə koumlccediluumlruumllməsi prosesinin he-
sablanması boumlyuumlk əhəmiyyət kəsb edir Lakin bu proses-
lərin fəza və zaman daxilində dəqiq hesablanması ccedilox hal-
larda su houmlvzəsinin və su axarlarının hesablama inqredi-
yentinin konsentrasiyasının paylanmasını təsvir edən tən-
liklərin ccedilox boumlyuumlk və ya analitik həllinin olmadığından
muumlmkuumln deyildir Bundan əlavə muumlmkuumln olan variantla-
rın sayı bir qayda olaraq real moumlvcud olan tipik obyektlə-
rin sayından dəfələrlə ccedilox olur Buna goumlrə də tədqiqatccedilı
və layihəccedililər əsasən riyazi modelləşdirmə uumlsullarına bouml-
yuumlk yer verirlər [1]
Su ekosistemlərinin riyazi modelləşdirilməsi hal-ha-
zırda boumlyuumlk muumlvəffəqiyyətlər əldə etmiş intensiv inkişaf
edən elmi sahədir Təbii ekosistemlərlə aparılan birbaşa
eksperimentlərin ccedilətin olması ccedilox zaman muumlmkuumln olma-
ması və onların laborator modelləşdirilməsinın məhdudlu-
ğu ilə əlaqədar olaraq riyazi modellər su ekosistemlərinin
praktiki və miqdari tənzimlənməsi uumlccediluumln əsas alətlərdən
biridir Qarışıqların paylanması məsələləri su houmlvzəsində
mayenin hərəkətini və orada muumlxtəlif maddələrin daşın-
masını təsvir edən əsas fiziki qanunları əks etdirən xuumlsusi
toumlrəməli tənliklər sistemi ilə təyin olunur Su houmlvzələrində
ccedilirkləndirici maddələrin yayılmasının istifadə olunan kə-
silməz modellərinin bir ccediloxunda Navye- Stoks (laquohidrodi-
namik tərkibraquo) və diffuziya-konveksiya tənlikləri istifadə
olunur Effektiv alqoritm və hesablama proqramlarının ol-
ması bir qayda olaraq bu və ya digər modelin tətbiq edil-
məsini tam təyin edir uyğun riyazi aparatın olmaması ccedilox
zaman modelləşdirmənin seccedililmiş konsepsiyasından isti-
fadə etməməyi və ya onun sadələşdirilməsi zərurətini or-
taya qoyur Buna goumlrə də ekoloji modellərin miqdarı rea-
lizasiyası problemi aktual əhəmiyyət kəsb edir Onlardan
istifadə baha başa gələn natura muumlşahidələrini azaltmağa
və unikal ekoloji proqnozlar almağa imkan verir Su muuml-
hitində qarışıqların oumlzuumlnuuml aparması bir ccedilox faktorlardan
asılıdır kimyəvi (parccedilalanma başqa maddələrlə birləşmə
yağıntılardan duumlşmə) fiziki (digər aqreqat hala keccedilmə
adsorbsiya koaqulyasiya) hidrodinamik (axınlarla daşın-
ma və turbulent diffuziya prosesi zamanı səpilmə) bioloji
(akkumulyasiya və dəniz orqanizmləri ilə daşınma) Stasi-
onar su axınında maddənin yayılması məsələləri uumlmumi
halda oumlzuumlndə Navye-Stoks və muumlhitlə fiziki-kimyəvi qar-
şılıqlı təsiri eləcə də qarışıqların mənbəyinin varlığını nə-
zərə alan maddənin daşınması tənliklərini birləşdirən xuuml-
susi toumlrəməli differensial tənliklər sistemi vasitəsi ilə təs-
vir olunur Elmi-texniki ədəbiyyatda su axınlarında uumlzvi
birləşmələrin aerob oksidləşməsi nitrifikasiya denitrifi-
kasiya və planktonun boumlyuumlməsi və məhv olması və s Pro-
seslərini nəzərə alan qarışıqların yayılmasının riyazi mo-
delləri goumlstərilmişdir Buumltuumln bu modellər konkret obyekt-
ləri tədqiq etmək uumlccediluumln nəzərdə tutulmuşdur Bunların ana-
loji digər obyektlərə tətbiq edilməsi ənənəvi identifikasiya
uumlsullarından istifadə zamanı ccediloxlu sayda eksperimentlərin
aparılmasının zəruriliyi baxımından bir sıra ccedilətinliklərlə
əlaqədardır Uumlstəlik təbii su houmlvzələri nəzarətdə
saxlanılması muumlmkuumln olmayan bir ccedilox xarici təsirlərə mə-
ruz qalan daxilində gedən prosesləri ehtimal xarakteri da-
şıyan termodinamik accedilıq sistem olduqları halda bir ccedilox
məlum olan modellər determinasiya olunmuşlar sinfinə
aiddirlər Bundan başqa giriş təsirlərin və ccedilıxış reaksiya-
ların vektorları muumlstəsna olaraq boumlyuumlk oumllccediluumlyə malikdirlər
Nəticədə konkret şəraitdə məlum modellərdən istifadə
olunması ccedilətinləşir [2] Baxılan obyektlər uumlccediluumln regional
şəhər və ya zavod hidrokimyəvi laboratoriyaları tərəfin-
dən su muumlhitlərinin keyfiyyəti haqqında bir neccedilə il ər-
zində toplanmış ccedilox zaman heccedil də sistematik olmayan
muumlxtəlif informasiyalar alınır Lakin keyfiyyətin ayrı- ay-
rı goumlstəriciləri obyektin muumlxtəlif kəsikləri uumlccediluumln təyin
olunmuşdur onlardan bəziləri oumllccedilmələrin texnikasının
qeyri-muumlkəmməlliyindən o qədər də dəqiq deyildir Mo-
delləşdirmə zamanı bu cuumlr informasiyanın istifadə edilmə-
si yalnız qeyri-dəqiq ccediloxluqlar nəzəriyyəsinin inkişafı ilə
muumlmkuumln oldu Bu iş obyektin oumlzuumlnuuml aparmasının keyfiy-
yət və tam olmayan kəmiyyət informasiyası olduqda
adekvat riyazi model qurulmasına imkan verən su axınla-
rının modelləşdirilməsi uumlsullarının işlənilməsinə həsr
olunmuşdur
Uumlsulun təsviri
ZTXPYF 0 0 (1)
şəklində verilən obyektə xarakterik olan bio-fiziki- kim-
yəvi prosesləri muumlmkuumln variant kimi təsvir etmək uumlccediluumln
model təsəvvuumlr edək burada F- Y0 - obyektin buumltuumln baş-
lanğıc halları fəzasını P - parametrlərini və [0T] - zaman
intervalında Z - ccedilıxış dəyişənləti fəzasında realizə olun-
muş sərbəst giriş X - dəyişənlərini oumlzuumlndə birləşdirən hər
hansı funksional operatordur
Obyektin oumlzuumlnuuml aparması haqqında əldə olan kəmiy-
yət və keyfiyyət informasiyasını aşağıdakı kimi təsəvvuumlr
edək
1 Modelin ccedilıxış dəyişənlərinə determinə olunmuş
məhdudiyyətlər
niZZZ iii 1
(2)
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
QEYRİ-MUumlƏYYƏNLİK ŞƏRAİTİNDƏ SU HOumlVZƏLƏRİNİN OumlZ-OumlZUumlNƏ TƏMİZLƏNMƏ PROSESLƏRİNİN
15
(2) məhdudiyyətləri nəticəsində reaksiyalar fəzasında Φ- hiperparalellopipedi ayırmaq olar ki onun da həcmi
)()()( 1
12
21
1 ZZZZZZVn
2 Funksional məhdudiyyətlər
kijcZZZfc jnjj )(
21
(3)
burada )(jf - nZZZ 21
funksiyası olub aşkar və
ya qeyri-aşkar şəklində verilmişdir
(3) ndash şərtini oumldəyən Z - qiymətlərindən ibarət olan
Φ-hiperparalelopipedinin alt ccediloxluğunu E - ilə işarə edək
3 Ccedilıxış dəyişənlərinə qeyri-dəqiq məhdudiyyətlər
miniZZZ iii
(4)
burada - simvolları dəqiq ccediloxluğu təxminən ona bə-
rabər qeyri-dəqiq ccediloxluğa ccedilevirən operatoru goumlstərir [3]
(4) bərabərliyindən iZ təxminən
ii ZZ diapa-
zonunda yerləşməlidirδ - ilə (4) məhdudiyyətinə cavab
verən Δ- nın qiymətlərinin alt ccediloxluğunu işarə edək
4 Qeyri-dəqiq funksional məhdudiyyətlər
iikjcZZZfc jnjj )(
21
(5)
(5) ndash tənliyini oumldəyən δ- fəza qiymətləri Z - reaksiya fə-
zasını əmələ gətirir (4) və (5) məhdudiyyətləri obyektin
oumlzuumlnuuml aparması haqqında informasiyanın keyfiyyət xa-
rakteri daşıdıqda daha oumlnəmli olur [4]
)()()(010
iiiiit ZZZZZ (6)
Xətti funksiyası şərtində kəmiyyət formasına keccedilmə
aşağıdakı ifadə ilə təyin olunur
]10[)( ZZt
(6) funksiyası 10
ii ZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir Eks-
ponensial funksiya şərti daxilində
))()(exp(1()(010
iiiiiiit ZZZZaZ (7)
burada i - əyrinin forma parametri i - )( it Z - i i - yə bərabər olduqda Zi- nin qiymətləridir (7) funksiyası
1500 iii ZZZ noumlqtələri vasitəsi ilə verilir
Qauss funksiyası uumlccediluumln
1
1 iii ZZ olduqda 121
])(1[)( iiiit ZZZ
0
1 iii ZZ olduqda 20
)]([exp()( iiiit ZZZ (8)
1 ii Z olduqda 250
)]([exp()( iiiit ZZZ
41
(8) funksiyaları )( it Z - funksiyasının ən boumlyuumlk qiymət aldığı noumlqtə ətrafında verilir S - şəkilli funksiya halında
iiZ olduqda 0)( it Z
iii Z olduqda 22 )()(2)( iiiiit ZZ
iii Z olduqda 22 )()(21)( iiiiit ZZ (9)
iiZ olduqda 1)( it Z
burada 2)( iii keccedilid noumlqtəsidir (9)
bərabərliyindən 50)( it Z funksiyası ii noumlqtələri
uumlzrə verilir
ZzPpXx 0 olduğu halda (1) şərtinə
əsaslanaraq )( 0 zpx - vektorlar birləşməsini seccedilək Bu
vektorların hər birinə F - operatorunun koumlməyi ilə Y0 - ın
qiymətləri uyğun olaraq qoyulur Bu məsələnin həlli iki
halda vacibdir ZPX dəqiq məlum deyillər və P də-
qiq məlum olmadıqda ZX dəqiq məlumdurlar Bu
məsələ əks məsələlərə aid olduğu halda onu birbaşa uumlsul
ilə həll etmək olar Son nəticədə tədqiq olunan su
obyektinə adekvat olan riyazi model yaradılır və onun
əsasında suyun oumlzuumlnuuml təmizləmə prosesləri
proqnozlaşdırılır
(2)-(5) məhdudiyyətlərinə cavab verən muumlmkuumln olan
variantlar oblastının modeli şəkil 1-də verilmişdir
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
NM MURADOV RМ HUumlMMƏTOV
16
Şəkil 1 (a) statik və (b) dinamik hallarda muumlmkuumln olan variantlar oblastının modeli
____________________________
[1] АМ Владимиров ЮИ Ляхин ЛТ Матвеев
ВГ Орлов Охрана окружающей среды Л
Гидрометеоиздат 1991 425с
[2] Математические модели рационального при-
родопользования Сборник научных трудов
Отв ред ИИ Ворович Ростов-на-Дону изд-
во РГУ 1979г
[3] АС Монин АМ Яглом Статистическая гид-
ромеханика Ч I М Наука 1990г 695с
[4] P Белман Л Заде Принятие решений в рас-
плывчатых условиях В сб Вопросы анализа
и процедуры принятия решений М 1976
212с
NM MURADOV RM HUMBATOV
MODELLING OF BASINS SELF-CLEANING PROCESSES
IN THE CONDITIONS OF INDETERMINACY
In the article mathematical model adequate to researching water object is created and on its bases prognosis of water self-
cleaning processes are carried out
НМ МУРАДОВ РM ГУМБАТОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ САМООЧИЩЕНИЯ ВОДОЕМОВ
В УСЛОВИЯХ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ
В статье создается математическая модель адекватная исследуемому водному объекту и на ее основе выполняются
прогнозы процессов самоочищения воды
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
17
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
Milli Aerokosmik Agentliyi Təbii Ehtiyatların Kosmik Tədqiqi İnstitutu
AZ 1106 SS Axundov kuumlccedil1 korpus 2
Məqalədə bizim tərəfimizdən plazma reaktoru və nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln kimyəvi reaksiyaların məhlullarını stabilləş-
dirən kameradan ibarət qurğu təklif olunmuşdur İridium silisidin alınması qanunauyğunluğunu aşkar etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qa-
lınlığının termik emal zamanından asılılıq qrafiki qurulmuşdur Bu nuumlmunələrin strukturları tətqiq edilmiş və IrSi-p-Si strukturunun
spektral xarakteristikası goumlstərilmişdir Həmccedilinin goumlstərilmişdir ki IrSi təbəqəsinin qalınlığı azaldıqca işığa həssaslıq artır
Accedilar soumlzlər Şottki ccediləpəri nanoboru iridium silisidi termiki oksidləşmə texniki tozlandırma litoqrafiya
UOT 7340Ns 7340Sx 7820-e
Nanometr oumllccediluumlluuml elektron qurğularının yaradılması
yaranma prosesinə prinsipal yeni yanaşma tələb edir Ona
goumlrə də elektron komponentlərinin hazırlanmasının ən-
ənəvi litoqrafiya uumlsuluna alternativ olan oumlz-oumlzuumlnə yaranan
texnoloji uumlsulun işlənib hazırlanması boumlyuumlk maraq kəsb
edir Oumlzuumlnuumltəşkil strukturlarının yaradılmasının istiqamət-
lərindən biri səthdə gedən kimyəvi reaksiyalar zamanı ki-
ccedilik oumllccediluumlluuml qeyri-taraz stasionar obyektlərin yaranması
uumlsuludur Bu uumlsulda səthdə gedən kimyəvi reaksiya məh-
sulları diffuziya nəticəsində kristalın həm səthi həm də
dərinliyinə yayılır Əksər hallarda alınan hissəciklərin oumll-
ccediluumlləri 1 mkm və daha boumlyuumlk olur Lakin adsorbsiya olun-
muş hissəciklər arasındakı təsir quumlvvəsindən asılı olaraq
səthi monotəbəqələrdə nanooumllccediluumlluuml hissəciklərin alınması
da muumlmkuumlnduumlr Proses zamanı lokal silisium sərfi baş
verdiyindən reaksiya ekzotermik baş verir Belə proseslər-
də əsas rolu istilik oynadığına goumlrə oumlzuumlnuumltəşkil struktur-
larının oumllccediluumllərini metalların qalınlığından başqa xaricdən
verilən istilik miqdarını dəyişdirməklə də idarə etmək
olar Oumlz-oumlzuumlnə yaranan quruluşların alınmasının digər
uumlsulu isə metal yaxud silisidlərin nanohissəciklərindən is-
tifadə etməklə quruluşun formalaşması uumlsuludur
NANOHISSƏCİKLƏRİN ALINMASI QURĞUSU
Muumlasir zamanda nanohissəciklərin alınması uumlccediluumln
Respublikamızda eləcə də Muumlstəqil Doumlvlətlər Birliyinin
bir sıra oumllkələrində ccedilox boumlyuumlk texnoloji problemlər moumlv-
cuddur Belə ki bu doumlvlətlərin heccedil birində nanohissə-
ciklər almaq uumlccediluumln sənaye qurğusu yoxdur İnkişaf etmiş
oumllkələrdən belə qurğunun alınması uumlccediluumln isə ccedilox boumlyuumlk
xərc tələb olunur Məlumdur ki laboratoriya şəraitində
nanohissəciklər əsasən maddələrin lazerlə buxarlandırıl-
ması qoumlvs boşalmasında termiki və katalizatorlardan isti-
fadə etməklə kimyəvi uumlsullarla alınır Bu uumlsulların ccedilatış-
mayan cəhəti onların muumlrəkkəb texniki qurğulara malik
olması periodikliyi və kiccedilik iş resursuna malik olmasıdır
Metal nanohissəciklərin alınmasının ən muumlkəmməli elek-
trik qoumlvsluuml plazma uumlsuludur ki bunun da əsasını plazma
reaktoru təşkil edir Əksər plazma reaktorlarının iş prin-
sipləri eynidir Belə ki odadavamlı materiallardan hazır-
lanan katod ilə intensiv soyudulan anod arasında elektrik
qoumlvsuuml yaradılır Sonra bu qoumlvsdən plazmayaradıcı mad-
dələr olan işccedili cisimlər buraxılır İşccedili cisim hava su buxa-
rı arqon helium və s ola bilər Yekunda işccedili cisimlər
ionlaşaraq maddənin doumlrduumlncuuml aqreqat halı olan plazmanı
yaradırlar [1]
Tərəfimizdən təklif olunan qurğu plazma reaktorun-
dan və kimyəvi reaksiya məhsullarını stabilləşdirən kame-
radan ibarətdir (şəkil 1)
Şəkil 1 Metal nanohissəciklərin alınması qurğusu
Reaktor işccedili maddələrin daxil olması uumlccediluumln 1 4 kla-
panları kimyəvi reagentlərin verilməsi uumlccediluumln 12 14 giriş-
ləri soyuq qaz qarışıqlarının 1315 girişləri və təzyiqi
tənzimləmək uumlccediluumln 5 ventili ilə təchiz olunmuşdur İkiqat
elektrodlarla (2378) təmin olunmuş qurğu imkan verir
ki reaktor həm dəyişən həm də sabit cərəyanla işləsin 9
və 10 elektromaqnit sarğaclarıdır ki onlar vasitəsi ilə
plazma selini (11) stabilləşdirmək olar Qurğunun ən uumls-
tuumln cəhəti onun laval ucluğu (16) ilə təmin olunmasıdır
Laval ucluğu ondan keccedilən qaz qarışığı selinin ccedilox boumlyuumlk
suumlrətlə ccedilıxmasını təmin edir Axının suumlrəti aşağıdakı kimi
təyin edilir
12
11
k k
ee
R kv
k (1)
burada ve ndash qazın ucluqdan ccedilıxma suumlrəti k - adiabat əm-
salıdır (k=cpcv) Pe- qazın ucluğun ccedilıxışındakı P- isə
ucluğun girişindəki təzyiqdir Qeyd edək ki laval ucluğu
həm də anodun aşınmasının qarşısını alır
Reaktorda aşağı temperaturlu plazmada elektronların
və ionların enerjisi plazmayaradan qazların hissəciklərinin
effektiv ionlaşma enerjisindən kiccedilikdir Aydındır ki belə
şəraitdə kimyəvi reaksiyanın suumlrəti daha boumlyuumlk olur bu
isə plazma qurğusunun oumllccediluumllərini kiccedililtməyə imkan verir
Qaz fazasından plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulunda qaz-
şəkilli karbon mənbələri (metan asetilen yaxud karbon
monooksid) hər hansı yuumlksək enerji mənbələrinin təsirinə
məruz qalır və molekulu atomlara parccedilalayır Parccedilalanmış
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
18
atomlar katalizatorlarla oumlrtuumllmuumlş isti altlığa ccediloumlkduumlruumlluumlr
Katalitik plazmakimyəvi ccediloumlkduumlrmə uumlsulundan istifadə et-
məklə nanoborunun diametrinə və yaranma suumlrətinə nəza-
rət etmək olar Katalizator hissəciyinin diametrindən asılı
olaraq bir və ya ccediloxsaylı nanoboru alına bilər Praktikada
bu uumlsuldan atom-guumlc mikroskopu zondunun hazırlanma-
sında istifadə olunur
İRİDİUM SİLİSİD ƏSASINDA KRİSTALIN HAZIR-
LANMASININ TEXNOLOJİ MARŞRUTU
- 5middot1015
sm-3
konsentrasiyalı (KDB -10 d=100 mm)
silisium altlığın seccedililməsi (şəkil 2)
Şəkil 2 Silisium altlıq
- Borun (B) implantasiyası (Nsəthi = 1020
sm-3
)
- Silisiumun 100-200 nm qalınlığında termiki oksid-
ləşməsi
- Qalınlığı 20 nm olan Al-un termiki tozlandırılması
- Kontakt yaratmaq uumlccediluumln I fotolitoqrafiya
- Al-un aşınması
- SiO2 təbəqəsinin aşınması (şəkil 3)
Şəkil 3 SiO2 təbəqəsinin aşınması
- II fotolitoqrafiya (kontakt)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Nazik Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Ir-un partlayışlı litoqrafiyası (şəkil 4)
Şəkil 4 Ir-un partlayışlı litoqrafiyası
- III fotolitoqrafiya (kontakt sahələri)
- Al-un kimyəvi aşınması
- Qalın (200 nm) Ir təbəqəsinin tozlandırılması (şəkil 5)
Şəkil 5 Qalın Ir təbəqəsinin tozlandırılması
- Qalın təbəqəli Ir-da partlayıcı litoqrafiya
- Kristalların doğranması (şəkil 6)
Şəkil 6 Kristalların doğranması
- Nanohissəciklərin (Ir Pt və s) və nanoboruların
kontakta ccediloumlkduumlruumllməsi (şəkil 7)
Şəkil 7 Nanohissəciklərin və nanoboruların kontakta
ccediloumlkduumlruumllməsi
TƏCRUumlBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN
MUumlZAKİRƏSİ
İridium silisidin yaranması qanunauyğunluğunu muuml-
əyyən etmək uumlccediluumln IrSi təbəqəsinin qalınlığının termiki
emal vaxtından asılılıq qrafiki (şəkil 8) qurulmuşdur
Şəkil 8 IrSi-nin qalınlığının zamandan asılılığı
IrSi təbəqəsinin qalınlığı NASUY - 4 mikrointerfe-
rometrinin koumlməyi ilə oumllccediluumllmuumlşduumlr Nəzarət olunan para-
metr İUS-ЗМ cihazı ilə oumllccediluumllən səth muumlqavimətidir
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
IrSi3 ndash ALINMASI TEXNOLOGİYASI VƏ ONUN ELEKTROFİZİKİ XASSƏLƏRİ
19
Bu nuumlmunələrin strukturları EQ - 100А elektrono-
qrafında ldquoəksolunmardquo uumlsulu ilə tədqiq edilmişdir Uyğun-
luğu C22 - tipli silisium 2-oksidin monoklin struktutuna
ccedilox yaxın olan Debay halqalarının oumllccediluumllməsindən alınan
muumlstəvilərarası dnkl ndash məsafələri cədvəl 1 - də goumlstərilmiş-
dir Qəfəsin parametrləri
a = 689 b =1314 c =689 β =1200
Elektronoqrafik tədqiqatlar goumlstərir ki IrSi-p-Si sət-
hində yaranan oksid təbəqəsi IrSi-n-Si səthində yaranan
oksid təbəqəsindən 15-20 Aring kiccedilik olur İridium silisidin
quruluşu (şəkil 9) həmccedilinin skanedici zond mikroskopu
vasitəsi ilə də oumlyrənilmişdir
Cədvəl 1 Debay
radiusu mm
dnkl A0
IrSi-p-Si
Dnkl A0
IrSi-n-Si
Debay
radiusu
mm
1049
1313
1345
1626
1638
1892
1988
2116
361
318
289
245
231
198
199
168
342
293
242
206
186
167
1121
1286
1551
196
2046
2258
Şəkil 9 Atom-guumlc mikroskopu ilə ccediləkilmiş IrSi ndash səthi
(9x9 mkm)
İridium silisid dənəvərləri 20-35 nm tərtibində olub
oumllccediluumlləri 100 nm tərtibində qruplar şəklində birləşmiş və-
ziyyətdə olurlar İridium silisid əsasında alınmış işığahəs-
sas strukturun sxematik kəsiyi şəkil 10-da goumlstərilmişdir
Şəkil 10 İşığahəssas elementin en kəsiyi
IrSi ndash Si strukturu əsasında işığahəssas elementin fo-
tokeccediliriciliyi [2]-də təsvir olunan qurğunun koumlməyi ilə
oumllccediluumllmuumlşduumlr Monoxromator olaraq İKS-14 A spektrofo-
tometri istifadə olunmuşdur Elementin həssaslığını artır-
maq məqsədi ilə oumllccedilmə sinxron detektor və ensiz zolaqlı
guumlcləndiricidən istifadə etməklə dəyişən siqnalla aparıl-
mışdır Nuumlmunənin uumlzərinə duumlşən işıq tezliyi 200-800 Hs
olan mexaniki kəsici vasitəsi ilə modulyasiya olunur Nuuml-
munənin işıqlanması nəticəsində yuumlkdə yaranan dəyişən
siqnal ω tezliyinə koumlklənmiş selektiv guumlcləndiriciyə ve-
rilir Sonra guumlcləndirilmiş siqnal sinxron detektoruna ve-
rilir Eyni zamanda sinxron detektora ω tezlikli dayaq
siqnalı verilir Bu zaman sinxron detektorun ccedilıxışında oumll-
ccediluumllən siqnalla muumltənasib olan sabit siqnal alınır Sinxron
detektorun ccedilıxışındakı siqnal KSP-4 oumlzuumlyazan potensio-
metr vasitəsi ilə qeydə alınır Siqnalın qiymətinə eyni za-
manda CL-83 osilloqrafi vasitəsi ilə nəzarət olunur
Cihazın dərəcələnməsi buraxma və udma zolağı 1-
55 mkm olan maddələrin (polistirol və dixloretan) burax-
ma spektrlərinə əsasən aparılmışdır Qəbuledici olaraq
həm GeAu fotoqəbuledicisi həm də silisium əsasında fo-
toqəbuledici istifadə olunmuşdur Nuumlmunə Ge yaxud CdS
pəncərəsi olan optik kriostatda yerləşdirilmişdir Kriostat-
da temperaturu 80 K-ya qədər aşağı salmaq muumlmkuumlnduumlr
Nuumlmunədə yaranan gərginlik
U = (J - J0) Rn
cərəyan şiddəti isə
0n
JR R R
0
0n
JR R
burada ΔR ndash işığın təsiri ilə muumlqavimət dəyişməsi J0 -
işıqlanma olmayan haldakı cərəyan şiddəti J- işıqlanma-
dan sonrakı cərəyan şiddəti ε - ehquumlvvəsi Rn - yuumlkuumln
muumlqavimətidir
Nuumlmunənin həssaslığı (R) Fauler duumlsturu ilə təyin
olunmuşdur
2 2
1 msR C h h
12R h f h - asılılığının ekstrapolyasiyasın-
dan baryerin huumlnduumlrluumlyuuml uumlccediluumln tapılmış qiymət 0179 eV-
a bərabər olmuşdur
Qlobarın şuumlalandırdığı guumlc
1 22 arcsin
360
lDR
F dn
2
1 2
1
R d
d- qlobarın diametri l n- giriş deşiklərinin oumllccediluumlləri Rλ1λ2
ndash λ1 və λ2 intervalındakı şuumla selinin sıxlığı μ(λ) - 1400 K
temperaturunda qlobarın spektral şuumlalanma sıxlığıdır
Şəkil 11-də IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristi-
kası goumlstərilmişdir Goumlruumlnduumlyuuml kimi IrSi-nin qalınlığı
azaldıqca işığa həssaslıq artır IrSi-p-Si kontaktı əsasında
fotodiodun fotohəssaslıq mexanizmi lazımi qədər oumlyrənil-
məyib ədəbiyyatda olan modellər ccedilox zaman bir-birini
təkzib edir Spektral həssaslıq fotoudulma prosesləri ilə
deyil ccediləpərdən aşmanın fizikası ilə təyin olunur [3]-də
goumlstərilmişdir ki IrSi-də elektronların fotohəyəcanlaşması
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
EƏ KƏRİMOV NF KAZIMOV
20
boş hallar (deşiklər) yaradır ki bunların da bəzilərinin
enerjisi ccediləpərin enerjisindən az olur Bundan sonra deşik
metaldan yarımkeccediliriciyə emissiya edir və ya elektron ya-
rımkeccediliricidəki ccediləpəri keccedilərək boş halları doldurur Qeyd
edək ki təklif olunan mexanizmin ccedilatışmazlıqları vardır
belə ki İQ ndash şuumlalanma hesabına yarımkeccediliricidəki elek-
tronlar əlavə enerji almır və buna goumlrə də ccediləpəri aşa bil-
mir
Digər tərəfdən [4] məlumdur ki Şottki fotodiodları
əsas yuumlkdaşıyıcıları ilə işləyir Guumlman edilir ki IrSi-Si
əsasında Şottki ccediləpərli strukturları işıqlandırıldıqda foto-
həyəcanlanmış elektronlar daha yuumlksək energetik səviyyə-
lərə keccedilirlər Bu zaman hν enerjisi nə qədər boumlyuumlk olsa
IrSi-də elektronlar daha yuumlksək səviyyələrə keccediləcəklər
Buna uyğun olaraq yaranan deşiklərində enerjisi dəyişir
Enerjisi IrSi-Si kontaktının ccediləpərinin huumlnduumlrluumlyuumlndən
boumlyuumlk olan deşiklər yarımkeccediliriciyə keccediləcəklər hν-nuumln
boumlyuumlməsi və ya işığın dalğa uzunluğunun kiccedililməsi ilə
deşiklərin ccedilevrilmələrinin sayı artır Bu fotocərəyanın ya-
ranmasına səbəb olur belə ki p-Si uumlccediluumln deşiklər əsas
daşıyıcılar hesab olunur
Şəkil 11 IrSi-p-Si strukturun spektral xarakteristikası
______________________
[1] ИА Глебов ФГ Рутберг Мощные генера-
торы плазмы М Энергоатомиздат 1985
153с
[2] ЭБ Каганович ЭГ Манойлов СВ Свечни-
ков Физика и техника полупроводников
1999 том 33 вып 3 с 327-331
[3] ЛГГерчиков К Ауленбахер ЮА Мамаев Э
Рин ЮП Яшин Физика и техника полупро-
водников 2012 том 46 вып1 с 70-76
[4] EƏ Kərimov ŞƏ Bayramova Fizika cild
XVI 3-4 dekabr 2010 s 15-16
EA Kerimov NF Kazimov
IrSi3 MAKING TECHNOLOGY AND IT`S ELECTROPHYSICAL PROPERTIES
Device consisting of a plasma reactor and camera of stabilization of the products of chemical reactions for getting of
nanoparticles is suggested by us Graph of the dependence of the IrSi layer thickness on time of thermal processing for the
regularity detection of obtaining of iridium silicide is made The structures of these samples is investigated and spectral characteristic
of IrSi-p-Si structure is shown It is shown also that with the decrease of IrSi thickness the sensitivity to light increases
ЭА Керимов НФ Казимов
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ IrSi3 И ЕГО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Нами предложен прибор состоящий из плазменного реактора и камеры стабилизации продуктов химических реакций
для получения наночастиц Построен график зависимости толщины слоя IrSi от времени термической обработки для
выявления закономерности получения силицида иридия Исследованы структуры этих образцов и показана спектральная
характеристика IrSi-p-Si структуры Также показано что при уменьшении толщины IrSi повышается чувствительность к
свету
Qəbul olunma tarixi 12032012
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA 2012 CİLD XVIII 1 section Az
21
CdGa2Se4 MONOKRİSTALLARINDA ŞUumlALANMA REKOMBİNASİYASI
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV AMEA akademik HAbdullayev adına Fizika İnstitutu
Аz-1143 Bakı HCavid prospekt 33
CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqinin nəticələrindən xəbər veri-
lir 300 K temperaturda fotolyuminessensiya spektrində 18 eV maksimuma malik enli zolaq temperaturun 77 K-ə qədər aşağı duumlş-
məsi ilə spektrlərdə qısadalğalı 253 eV və 23eV maksimuma malik şuumlalanma zolağı muumlşahidə olunur Fotolyuminessensiya zolaqla-
rının polyarizasiya və temperatur asılılığı analiz edilərək onların identifikasiyası verilmişdir
Accedilar soumlzlər fotolyuminessensiya spektrləri şuumlalanma rekombinasiyası şuumlalanma keccedilidləri lokal səviyyə
UOT 101134C00 201 685 110 200 63
S42 fəza qrupunda kristallaşan A
2B
32C
64 yarımkeccediliri-
ci birləşmələr qadağan olunmuş zonanın eninin əhəmiy-
yətli dərəcədə boumlyuumlk olması (25-35)Ş parlaq fotolyumi-
nessensiya və həssas fotokeccediliricilik xassələrinə malik ol-
duqlarına goumlrə onlar əsasında optoelektron ccedileviricilərin
hazırlanması uumlccediluumln perspektivli materiallar hesab olunurlar
[1-3]
Hazırkı işdə CdGa2Se4 monokristalının 77 və 300K
temperaturlarda fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqi-
qinin nəticələrindən xəbər verilir Fotolyuminessensiya
spektrləri SPM-2 monoxromatoru əsasında yığılan qurğu-
da oumllccediluumllmuumlşduumlr Həyacanlandırma mənbəyi kimi ДРШ-
1000 civə lampasından istifadə edilmişdir
Şəkil 1 77 və 300 K-də CdGa2Se4 monokristallarının foto-
lyuminessensiya spektrləri
Fotolyuminessensiya spektrləri ldquoqaznəqli reaksiyala-
rırdquo uumlsulu ilə yetişdirilmiş monokristallik nuumlmunələrdə oumll-
ccediluumllmuumlşduumlr Tədqiq olunan nuumlmunələr uumlccediluumlzluuml prizmalar
şəklindədir [1 1 2] tərəfi nisbətən daha ccedilox inkişaf edib
və monokristalın tetraqonal oxu ilə 37 dərəcə bucaq təşkil
edir Şəkil 1-də 77 və 300 K temperaturlarda fotolyumi-
nessensiya spektrləri verilmişdir Şəkildən goumlruumlnuumlr ki
otaq temperaturunda fotolyuminessensiya spektri 690 nm-
də (18eV) maksimuma malik bir enli zolaqdan ibarətdir
(zolaq II)Temperaturun azot temperaturuna qədər aşağı
duumlşməsi ilə fotolyuminessensiya spektrində 540 nm-də
(230 eV) maksimuma malik intensiv qısadalğalı şuumlalan-
ma zolağı muumlşahidə olunur (zolaq I) 23eV maksimuma
malik intensiv şuumlalanma zolağından qısadalğalı tərəfdə
490nm-də (253 eV) daha bir şuumlalanma zolağı goumlruumlnuumlr
Qeyd etmək lazımdır ki 23 eV-da şuumlalanma zolağının
şuumlalanma intensivliyi polyarizasiyanın perpendikulyar və-
ziyyətində paralel vəziyyətindəki şuumlalanma intensivliyin-
dən 15-18 dəfə boumlyuumlkduumlr
Şəkil 2 CdGa2Se4 monokristallarında şuumlalanma intensivli-
yinin temperatur asılılığı (1 və 2 -I zolaq 3və 4 ndash
II zolaq)
Bunu da qeyd etmək vacibdir ki həyacanlandırma
şuumlalarının 253 eV və 230 eV qiymətlərində qısadalğalı
şuumlalanma zolağının (zolaq I) polyarizasiya asılılığı funda-
mental udma kənarı ətrafında udma əmsalının polyarizasi-
ya asılılığını eyni ilə ldquotəkrarrdquo edir
Aşağıdakı muumllahizələrə əsasən 253 eV və 230 eV ndash
da şuumlalanma zolaqlarını keccedilirici zonadan valent zonasına
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək olar CdGa2Se4
qaytarma spektrlərindəki A və B xuumlsusiyyətləri arasındakı
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
TH KƏRİMOVA RƏ QULİYEV İQ NƏSİBOV
22
energetik məsafənin qiyməti [4] 253 eV və 230 eV ndashda
şuumlalanma zolaqlarının energetik məsafələrinin qiyməti ilə
uyğun gəlir Dipol yanaşmasında CdGa2Se4 - də valent
zonası iki (Г3+Г4 və Г2) alt zonadan ibarətdir hansı ki
valent zonasının yuxarı səviyyəsi Г3+Г4 -dən keccedilirici Г1
zonasına optik keccedilidlər perpc polyarizasiya vəziyyətində
muumlmkuumlnduumlr Spin-orbital qarşılıqlı təsirini nəzərə aldıqda
yuxarı valent zonası Г3+Г4 iki alt zonaya Г6+Г7 və Г5+Г8 -
ə parccedilalanır Bu alt zonalardan keccedilirici Г2 zonasına optik
keccedilidlər c polyarizasiya vəziyyətində muumlmkuumlnduumlr Ən
kiccedilik energetik aralıq 300 k temperaturda 2227 eV-dur O
biri optik keccedilid 300 k temperaturda 243 eV-dur [6]
Məxsusi udma kənarının temperaturdan asılı olaraq suumlruumlş-
məsini ( eVdər) nəzərə alsaq 77 K tem-
peraturda 253 eV və 234 eV-da şuumlalanma zolaqlarını
keccedilirici zonadan valent zonasına şuumlalanma keccedilidləri ilə
əlaqələndirə bilərik
Şəkil 2-də 18 eV və 23 eV-da şuumlalanma zolaqları
uumlccediluumln temperatur asılılığı verilmişdir asılılı-
ğından formulasına goumlrə [6] enerji
aktivasiyasının 63 meV olduğu təyin olunub Belə hesab
etmək olar ki 18 eV-da şuumlalanma zolağı keccedilirici zonanın
dibindən 06 eV aşağıda yerləşən lokal mərkəzdən şuumlalan-
ma keccedilidləri ilə şərtlənir [5]-də 053 eV qiyməti
goumlstərilir Bizim tərəfimizdən TSK spektrlərində aktiva-
siya enerjiləri 025 03 və 072 eV olan lokal səviyyələr
aşkar edilib
Şəkil 1- dən goumlruumlnuumlr ki 77 K temperaturda perpen-
dikulyar polyarizasiyada ( c) 18 eV-da şuumlalanan zolaq
iki tərkibə ayrılır 18 eV-da şuumlalanan zolaqdan qısadal-
ğalı tərəfə 650 nm -də (19 eV) maksimum muumlşahidə olu-
nur
Boumlyuumlk miqdarda ldquotələrdquo səviyyələrin olması 18 eV-
da zolağın eninin boumlyuumlkluumlyuuml onun 77 K temperaturda
parccedilalanması ona dəlalət edir ki 18 eV-da zolaq elemen-
tar deyil Ona goumlrə də 18 eV-da fotolyuminessensiyanın
şuumlalanma zolağını keccedilirici zonanın dibindən 06 eV aşağı-
da yerləşən kvazikəsilməyən ldquotələrdquo səviyyələrindən olan
şuumlalanma keccedilidləri ilə əlaqələndirmək lazımdır
Aktivləşdirilməmiş CdGa2Se4 monokristallarının
fotolyuminessensiyasının intensivliyinin temperaturdan
qeyri-xətti asılılığı qısadalğalı şuumlalanmanın kinetikasının
xarici soumlnmə şərtlərində yeri olan aktivator mərkəzlərinin
kinetikası ilə uzlaşmasını goumlstərir [6] hansı ki lokal sə-
viyyələrdən termik sərbəstləşən qeyri-taraz daşıyıcıların
sonradan soumlnmə mərkəzlərində şuumlalanmasız rekombinasi-
yası baş verir
Aydındır ki CdGa2Se4 birləşməsində lyuminessen-
siya mərkəzlərindən başqa şuumlalanmasız rekombinasiya
mərkəzləri də vardır
____________________________
[1] ФП Кесаманли ВЮ Рудь ЮВ Рудь ФТП
1999 т 33 в5 с513-536
[2] АА Вайполин ЮА Николаев ИК Полушина
ВЮ Рудь ЮВ Рудь ЕИ Теруков Fernelius N
ФТП 2003 т37 в5 с 572-577
[3] ВМ Сусликов ВЮ Сливка МП Лисица
Твердотельные оптические фильтры на
гиротропных кристаллах Kiev Interpress LTD
1998
[4] ТГ Керимова ШС Мамедов НМ Мехтиев
РХ Нани ЭЮ Салаев ФТП 1979 т13 в3
с493-497
[5] ВФ Сыноров НН Безрядин АП Равинский
ЕИ Сысоев ФТП 1977 т11 в7 с1439-1451
[6] ВВАнтонов-Рамановский Кинетика фотолюми-
несценции кристаллофосфоров М Мир 1966
324с
TH Kerimova RA Guliyev IG Nasibov
RADIATION RECOMBINATION SPECTRA IN SINGLE CRYSTAL CdGa2Se4
The results of investigation of photoluminescence spectra of CdGa2Se4 single crystals at 77 and 300 K temperature are
presented In photoluminescence spectra wide radiation band at 18 eV is observed at 300 K At the decrease of temperature up to
77K shortwave radiation lines at 253 eV and 23 eV are ignited As a result of polarization and temperature dependence of
photoluminescence lines intensity analyses there have been performed their identification
ТГ Керимова РА Гулиев ИГ Насибов
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdGa2Se4
Приводятся результаты исследования спектров фотолюминесценции монокристаллов CdGa2Se4 при 77 и 300К В
спектрах фотолюминесценции при 300К наблюдается широкая полоса излучения при 18 эВ При понижении температуры
до 77К возгораются коротковолновые линии излучения при 253 эВ и 23 эВ В результате анализа поляризационных и тем-
пературных зависимостей интенсивности линий фотолюминесценции проведена их идентификация
Qəbul olunma tarixi 15032012
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
23
SC Ələkbərov
SKANİRƏEDİCİ ZOND MİKROSKOPİYASINDA (SZM) ƏSAS ARTEFAKTLARIN ANALİZİ
Məqalədə skanirəedici zond mikrockopiyası (SZM) sahəsində aparılacaq eksperiment metodologiyası təhlil edilmişdir Xəyalın key-
fiyyətinə təsir edən əsas parametrlər aşkar edilmişdir Artefaktların səbəbini aşkar etmək uumlccediluumln SZM siqnalının 5 qrupa boumlluumlnmuumlş əsas tərkib
hissələri nəzərdən keccedilirilmişdir sərfəli siqnal temperatur dreyfi və xarici təsirlərlə əlaqədar kuumlylər pyezoskanerin qeyri-ideallığı və pyezo-
keramika ilə əlaqədar əyilmə zond həndəsəsinin təsiri aparatura kuumlyləri Verilmiş artefaktların minimallaşdırılması və dəf edilməsinin əsas
metodları nəzərdən keccedilirilmişdir Məqalənin birinci hissəsində SZM əsas tərkib hissələrinin ikinci və uumlccediluumlncuuml qrupları nəzərdən keccedilirilmişdir
SQAbdullayev Aİ Muxtarov MŞQocayev
YARIİNKLUumlZİV DƏRİN QEYRİ-ELASTİKİ SƏPİLMƏDƏ BOumlYUumlK ENİNƏ İMPULSA MALİK HADRON
YARANARKƏN STRUKTUR FUNKSİYALAR
Kvant rəngdinamikası ccedilərccedilivəsində yarıinkluumlziv Xhepe )( kh proseslərdə boumlyuumlk eninə impulsa malik hadron
yaranarkən struktur funksiyalar uumlccediluumln ifadələr alınmışdır Prosesdə ikispinli asimmetriya təyin edilərək ətraflı tədqiq edilmişdir
TC İbrahimov AK Mammadov GM Bayramov
İKİTEZLİKLİ MAYE KRİSTALIN 5CB- C2-H22 DİELEKTRİK XASSƏSİ
Muumlsbət dielektrik anizotropiyalı 5CB və mənfi dielektrik anizotropiyalı C2 və H22 maye kristaldan ibarət olan yeni iki- tezlikli maye
kristal işlənib hazırlanmışdır Bu zaman qarışığın maye kristal fazası 11 ndash 65degC-yədək genişlənir Qarışığın dielektrik nuumlfuzluğunun və həm-
ccedilinin keccedilid tezliyinin temperatur asılılıqları təyin edilmişdir Goumlstərilmişdir ki nuumlmunənin temperaturunun artması dielektrik nuumlfuzluğunun
perpendikulyar toplananının azalmasına keccedilid tezliyinin isə artmasına gətirir Sonuncu molekulların uzun oxlarının doumlnməsi ilə əlaqədar
olan aktivasiya prosesi ilə xarakterizə olunur
YH Huumlseynəliyev
p =40QeVc İMPULSUNDA CcedilOXNUKLONLU HADİSƏLƏRDƏ
Δ0 ndashBARİON REZONANSININ ƏMƏLƏ GƏLMƏSİ
Məqalədə Beynəlxalq Nuumlvə Tədqiqatları İnstitutunun Yuumlksək Enerjilər Laboratoriyasında (Dubna Rusiya) p =40QeVc impulsunda
alınan ccediloxnuklonlu C12
qarşılıqlı təsirlərinin xassələrinə dair təcruumlbi nəticələr muumlzakirə edilir Bu cuumlr hadisələri seccedilib ayırmaq uumlccediluumln
belə bir şərtdən istifadə edilir ki hadisədə muumlşahidə edilmiş impulsu 1QeVc-dən kiccedilik olan protonların sayı 2-dən ccedilox olsun Ccediloxnuklonlu
hadisələrin xassələrini tədqiq etmək uumlccediluumln R kəmiyyətindən istifadə edilir ki o bu hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların inklyu-
ziv spektrlərinin buumltuumln hadisələrdə əmələ gəlmiş πplusmn -mezon və protonların uyğun inklyuziv spektrlərinə olan nisbəti kimi təyin edilir yəni
CdydNevN
pndydNevN
R
12)](1[
2)](1[
Tədqiqatda R kəmiyyətinin impulsun eninə toplananı tp kumulyativ ədədi 0
( NMlpE )(0
burada E -tam enerji lp -im-
pulsun uzununa toplananı NM -nuklonun kuumltləsidir) kinetik enerji T və səpilmə bucağı -dan asılılığından istifadə edilmişdir Δ0 -barion
rezonansının əmələ gəlməsi və ccediloxnuklonlu hadisələrdə dərin qeyri-elastiki proseslərin nisbətən yuumlksək əlavəsinə goumlstəriş alınmışdır
ƏŞ Abdinov RF Babayeva YH Həsənov Cİ Əmirova NƏ Rəhimova RM Rzayev
QALLİUM MONOSELENİD KRİSTALLARINDA İNDUKSİYALANMIŞ AŞQAR FOTOKECcedilİRİCİLİYİN
ANOMALİYALARI
Təcruumlbi olaraq muumlxtəlif başlanğıc qaranlıq xuumlsusi muumlqavimətə malik p-GaSe kristallarında muumlxtəlif xarici şəraitdə induksiyalanmış aş-
qar fotokeccediliriciliyinin (İAF) əsas xarakteristika və parametrləri tədqiq edilmişdir Goumlstərilmişdir ki yuumlksəkomlu kristallarda bu fotoelektrik
hadisə bir sıra anomaliyalarla muumlşayiət olunur Muumləyyən olunmuşdur ki yuumlksəkomlu p-GaSe kristallarında muumlşahidə olunan İAF bu kristal-
ların qismən nizamsızlığı ilə şərtlənir
Hİ İsmayılzadə İZ Moumlvsuumlmov MR Menzeleyev
İZOBUTANOL MOLEKULUNUN FIRLANMA UDULMA SPEKTRİNİN SPEKTRAL
XUumlSUSİYYƏTLƏRİNİN HESABLANMASI
İzobutil spirti molekulunun (СН3)2СНСН2ОН izomer formalarının sərt quruluşlu molekulyar karkasa malik modelinin bazasında fır-
lanma sabitlərinin yarımempirik hesabatı aparılmışdırKonformasiyaların quruluşu hesabatların duumlsturları və nəticələri verilmişdir
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
FİZİKA vol XVII 4 section En
BURAXILIŞINDA DƏRC OLUNAN MƏQALƏLƏRİN QISA XUumlLASƏSİ
24
Yİ Alıyev YQ Əsədov ƏQ Babayev QM Cəfərov FQ Məhərrəmova RC Alıyeva
Cu150Zn030Te VƏ Cu175Cd005Te KRİSTALLARINDA POLİMORF CcedilEVRİLMƏLƏR
Yuumlksəktemperatur rentgendifraktometrik metodla 290-1100 K temperatur intervalında Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristallarında
polimorf ccedilevrilmələr muumləyyən olunub Parametrlərin temperatur asılılığından Cu150Zn030Te və Cu175Cd005Te kristalları uumlccediluumln istidən geniş-
lənmə əmsalları hesablanmışdır Goumlstərilən kristallarda Cu atomlarının Zn və Cd atomları ilə qismən izomorf əvəz olunmasının keccedilid tempe-
raturu və faza ccedilevrilmələrinin sayına təsiri goumlstərilmişdir
HA Həsənov EQ Cəfərov YS Namazov
(PbS)1-x(Sm2S3)x (x=0 004) SİSTEMLİ BƏRK MƏHLULLARIN İSTİLİKKECcedilİRMƏSİ
Sm2S3)x (0-4molSm2S3) sistemli bərk məhlulların istilikkeccedilirməsinin (170 670К intervalda) temperatur asılılığı ccedilıxarılmışdır
Alınmış nəticələr əsasında qəfəs istilikkeccedilirməsinin l izotermi qurulmuşdur və Sm aşqar atomlarında fononlardan səpilmənin effektiv kəsiyi
qiymətləndirilmişdir Aşqar konsentrasiyasının artırılması ilə buumltuumln izotermlərdə l-in anomal artımı muumlşahidə edilmişdir l -in anomal artı-
mı kristalda atomların yaratdığı bir-birini oumlrtən deformasiya sahələrinin kəsilməz zəncirinin yaranması sayəsində axının hesabına huumldud qiy-
mətinə ccedilatdıqdan sonra muumlşahidə olunmuşdur kristal qəfəsdə gərginliyin qismən kompensasiyası və fonon səpilməsinin azalması muumləyyən
edilmişdir Muumlşahidə olunan effektin universal xarakteri barədə təklif verilmişdir
BH Тağıyev ОB Тağıyev FА Кazımova UF Qasımov
YbGa2S4Er3+
KRİSTALININ LUumlMİNESSENT XUumlSUSİYYƏTLƏRİ
λ=3371nm və λ=976nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlaşdırılmış YbGa2S4Er3+ kristalının fotoluumlminessensiyasının temperatur asılılığı
tədqiq edilmişdir Nuumlmunələr bərk cisim reaksiyası ilə alınmışdır YbGa2S4Er3+ kristalında stoks və antistoks luumlminessensiyasının mexa-
nizmləri muumləyyən edilmişdir
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
ISSN 1028-8546
2012 Cild XVIII1
Section Az
MUumlNDƏRİCAT
1 Elektron tip keccediliriciliyinə malik muumlhitlərdə daxili və xarici dayanıqsızlıq
BZ Əliyev ER Həsənov TR Mehdiyev
3
2 Mikro-pikselli selvari fotodiodların bərpa olunma muumlddətinin oumlyrənilməsi
ZY Sadıqov AA Doumlvlətov NA Səfərov RS Mədətov Fİ Əhmədov
Xİ Abdullayev RM Muxtarov
10
3 İşıq mənbələrinin oumld kisəsində aparılan endocərrahi əməliyyatlarında istifadəsi
KR Yusif-zadə
12
4 Qeyri-muumləyyənlik şəraitində su houmlvzələrinin oumlz-oumlzuumlnə təmizlənmə proseslərinin
modelləşdirilməsi
NM Muradov RМ Huumlmmətov
14
5 IrSi3 ndash alınması texnologiyası və onun elektrofiziki xassələri
EƏ Kərimov NF Kazımov
17
6 CdGa2Se4 monokristallarinda şuumlalanma rekombinasiyası
TH Kərimova RƏ Quliyev İQ Nəsibov
21
7 FİZİKA vol XVIII 1 section En buraxılışında dərc olunan məqalələrin qısa xuumllasəsi
23
wwwphysicsgovaz
wwwphysicsgovaz
- cov_titul_Phys_04_var_az_Layout 1
- Titl_21-2012-az
- art12180138i
- art12180139
- art12180140
- art12180141
- art12180142
- art12180143
- Annotasiyalar
- Contents
- cov_titul_Phys_0_back_Layout 1
-
top related