1 M.Lotfiazar

2 M.Lotfiazar

ليتوگرافی/ ٢

جهت افزودن يا کشت اتم )barriers (محافظهای به عنوان اليه ،از فيلمهای باريک با مواد مختلفدر توليد مدار مجتمع حفره ها يا پنجره ها . استفاده می شود) sustrate(و يا به عنوان عايق ميان مواد رسانا و سيليکون زير اليه های ناخالصی

.فظ در جاهاييکه ناخالصی نفوذ کرده يا اتصال مورد نظر وجود دارد ايجاد می شونداين ماده محاسراسر

پنجره هايی اند، که تحت فرآيندی که فتوليتوگرافی خوانده می شود، به روی سطح سيليکون ماسک ها شامل الگويی از الگوها در ابتدا بر روی .فراهم می کنديک نسخه بسيار ساده تر از فرآيند فتوگراورسازی را فتوليتوگرافی . منتقل می شوند

اچينگ شيميايی يا پالسما برای انتقال الگوها از فتورزيست . يک ماده حساس به نور که فتورزيست نام دارد منتقل می شودمستلزم موفقيت برای تکميل مراحل بيشمارفرآيند پيچيده مدار هر ماسک . به اليه محافظ روی سطح ويفر به کار ميرود

بخش اين.ی است که با تعداد ماسک فتوگرافيک که در طول ساخت استفاده می شود اندازه گيری می شودساز معمجت . را توضيح می دهد، شامل ساخت ماسک، فرآيند فتورزيست و اچينگفرآيند ليتوگرافی

:فرآيند فتوليتوگرافی - 2.1

مراحل . را دارا می باشد به روی سطح سيليکون ويفرفتوليتوگرافی تمام مراحل درگير در انتقال الگو از يک ماسک . نشان داده شده که هريک را در ادامه توضيح داده خواهد شد٢٫٢ و ٢٫١مختلف فرآيند فتوليتوگرافی در شکل

روی سيليکون در طول فرآيندهرنوع ذره آلوده ای که. شرايط فوق پاکی می بايست در طول فرآيند ليتوگرافی حفظ شودچيپ ) site( از محل قرارگرفتن ١٠%نقص تنها در حتی اگر . روکش مقاومت نهايی را معيوب کنديه بيفتد می تواند زيرال

آرام ن جريا.پس از فرآيند يک هفتم ماسک کامل می شوندبه تبع آن چيپها ۵٠%در هر مرحله ماسک اتفاق بيفتد، کمتر از اتاقهای پاک از تصفيه برای . زمان فرآيند ساخت جلوگيری می کننداز آلودگی ذرات دری عمودی در اتاق پاک هادرپوش

جدول .ذرات در هر فوت يا متر مکعب درجه بندی می شوند حذف ذرات از هوا استفاده می کنند و براساس حداکثر مقدار. ستفاده می شودا ١ از کالس VLSI دسته بندی می شوند و برای فرآيند ١٠ تا کالس ١٠٠٠٠از کالس اتاقهای پاک .٢٫١

. ميکرومتر است٠٫۵با اندازه بيش از برای مقايسه، هر فوت مکعب از هوای اتاق توليد دارای چند ميليون ذره آلوده

پاکسازی ويفر - ٢٫١٫١

پيش از استفاده، سطح ويفرها بايد از هرگونه آلودگی مانند ناخالصی های ارگانيک، فلزی و يونی بوسيله ماده شيميايی يک مرحله پاکسازی استفاده ازحالل اسيد هيدرفلوريک برای حذف هرگونه اکسايدی است که ممکن است . ازی گرددپاکس

. نشان داده شده است٢٫٢يک فرآيند معمول پاکسازی در جدول . روی سطح ويفر شکل گرفته باشد

کترونيک کاربرد دارد آب ديونيزه يک ماده شيميايی بسيار مهم که برای پاکسازی ويفر و در فرآيندهای ساخت ميکروال)DI (است.

مقاومت مخصوص . آب ديونيزه ، آب بسيارتصفيه شده برای حذف تمام اثرات يونی، ذرات ريز و آلودگی باکتريايی است ١٨مقاومت مخصوص برای آب ديونيزه . موهو بر سانتيمتر است١٨٫٣ درجه سانتيگراد ٢۵آب خالص دردمای

٠٫٢۵کولن درهر ميلی ليتر بوده و هيچ ذره ای بزرگتر از ½ در حاليکه باکتری آن کمتر از موهوبرسانتيمتر است .ميکرومتر در آن نباشد

3 M.Lotfiazar

4 M.Lotfiazar

5 M.Lotfiazar

A (حذف مواد حل شدنی: دقيقه٣ غوطه ور کردن در تری کلر اتيلن جوشان به مدت -١ دقيقه٣ غوطه ور کردن در آستون جوشان به مدت -٢ دقيقه٣متيليک جوشان به مدت غوطه ور کردن در الکل -٣ دقيقه٣ شستشو در آب ديونيزه به مدت -۴B (حذف باقيمانده آلودگی ارگانيک و يونی: درجه سانتيگراد و نگه داشتن ويفر به ٨٠ تا ٧۵ و حرارت دادن حالل تا دمای ۵:١:١ با نسبت H2O-NH4OH-H2O2 غوطه ور کردن در حالل -١

دقيقه١٠مدت ل زير آب ديونيزه جاری به مدت يک دقيقه فروبردن حال-٢ دقيقه ۵ شستشو در آب ديونيزه به مدت -٣C (حذف هيدروکسيد: ثانيه١۵ به مدت ١:۵٠ با نسبت HF – H2O غوطه ور کردن در حالل -١ دقيقه٣٠ شستشو در آب ديونيزه جاری که متالطم است به مدت -٢D (پاکسازی فلزات سنگين: درجه سانتيگراد است٨٠ تا ٧۵ دقيقه که دارای دمای ١٠ به مدت ۶:١:١ با نسبت H2O-HCI-H2O2ر حالل غوطه ور کردن د-١ دقيقه١ فروبردن حالل زير آب ديونيزه جاری به مدت -٢ دقيقه٢٠ شستشو در آب ديونيزه جاری به مدت -٣

6 M.Lotfiazar

ساخت اليه محافظ– ٢٫١٫٢

رايج ترين ماده دی اکسيد سيليکون . ان اليه محافظ پوشيده می شودازی، ويفر سيليکون با ماده ای به عنوپس از پاکس)SiO2 ( ،سيليکون نيتريد . مانند مثالی که ما اينجا استفاده کرده ايماست)Si3N4( پلی سيليکون و فلزات نيز به عنوان ،

نهشت بخار ن حرارتی، بخش بعدی اکسيداسيودر . در جريان فرآيندی معين استفاده شوند در مراحل مختلف مواد محافظ خالء که همگی در توليد اليه های باريک از اين مواد استفاده می شوند را توضيح فرآيند تبخيرشيميايی، بيرون انداختن و

يک اليه دی اکسيد سيليکون روی ويفر سيليکون ويفر سيليکون اصلی به رنگ فلز خاکستری به نظر می رسد، .خواهيم دادضخامت بسيار مختلفی در نواحی آن خواهد ويفر تمام شده . بستگی داردSiO2طح به ضخامت ساخته می شود، رنگ س

.استهای چندهسته ای که در کتب و مجالت IC تصاويرهر ناحيه رنگی متفاوت خواهد داشت، . داشت

کاربرد فتورزيست– ٢٫١٫٣

سطح بايد . پوشيده می گردد خوانده می شود ، سطح ويفر با ماده حساس به نور که فتورزيستSiO2 قراردادن اليه ازپسمجددا ممکن است ويفرها با دی اکسيد سيليکون روکش . تا از چسبندگی فتورزيست اطمينان حاصل شودپاک وخشک گردد

يک مايع برای باال اغلب .کرد، اما اگر ويفرها انبار شوند بايد آنها را برای کاربرد رزيست به دقت پاک و خشک شوند .به کار می رود در استعمال رزيست سبندگیبردن چ

خالء نگه داشته می شود و با سرعت باال ) گيره(ويفر در يک دستگاه . فتورزيست معموال به شکل مايع استفاده می شود دور در دقيقه اليه ۵٠٠٠ تا ١٠٠٠سرعت . يک اليه نازک هم شکل چرخانده می شود ثانيه برای تحصيل ۶٠ تا ٣٠برای

در واقع نازک بودن رزيست با ويسکوزيته نسبت مستقيم و نسبت نتيجه می دهد، ميکرومتر را ٠٫۵ تا ٢٫۵خامت ای از ض .عکس با مجذور سرعت چرخش دارد

پخت نرم– ٢٫١٫۴

می گويند که برای باال بردن چسبندگی و حذف Prebaking يا Soft bakingمرحله خشک کردن را اصطالحا پخت نرم ٣٠ تا ١٠ درجه سانتيگراد به مدت ٩٠ تا ٨٠اين عمل با حرارت دادن در دمای . يست به کار می رودحالل از فتورز

پس از اين مرحله فتورزيست . کارخانه سازنده انجام می پذيرد) data shite(دقيقه در هوا يا نيتروژن مطابق با راهنمای .برای تنظيم ماسک آماده می گردد

تنظيم ماسک– ٢٫١٫۵

، که يک جهت آن نقش شده است اسک، يک صفحه مربع شکل شيشه ای است که الگو با محلول يا فيلم فلزی رویيک فتومپيچيده مورد بحث ی بيشتر تنظيمها.هر ماسک بايد با دقت با الگوی قبلی روی ويفر تنظيم گردد. روی ويفر قرار می گيرد

حداقل پهنای خط يا ( ميکرومتر١٫٢۵درحد کوچک بعادا با VLSIطراحی در . با تجهيزات تنظيم دستی انجام می شودتجهيزات تنظيم کنترل شونده با کامپيوتر امکان . دانجام شوميکرومتر± ٠٫٢۵ می بايست با تلرانس تنظيمات)فضا

.اين دقت از تنظيمات را فراهم می سازنددسترسی به

x-yه تخليه نگه داشته شده با دقت زير ماسک در جهت با تجهيزات تنظيم دستی، ماسک ثابت بوده و ويفر را که با دستگامورد اگر چاپ اتصالی . ميکرون ازسطح ويفر قرار دارد١٢۵ تا ٢۵در اين وضعيت ماسک در فاصله .حرکت ميدهند

های تنظيم روی هر ماسک معرفی می شوند عالمت.استفاده باشد، ماسک پس از تنظيم بسوی اتصال با ويفر آورده می شودماسک سطح ماسک جديد روی سطح برای تنظيم ها عالمت. خشی از الگوی مدار مجتمع را روی ويفر منتقل می کنندکه ب

7 M.Lotfiazar

برای اطمينان از سطوح ماسک، . نشان داده شده است٢٫٣يک نمونه از عالمتهای تنظيم در شکل . قبلی به کار می روند عالمت جعبه روی ماسک، ديگرسطوحدر . می شودعالمت جعبه روی ويفر قرار دادهداخل عالمت صليب روی ماسک

در طول مرحله فتوليتوگرافيک که اين انتخاب به نوع رزيست .ماسک روی عالمت صليب روی ويفر قرار داده می شود .امکان تنظيم دو ناحيه روی ويفر را بخوبی فراهم می کندحيطه اپتيک تعدد .بستگی داردبدست آمده

عرض تابش گذاشتن فتورزيست ودرمرشد - ٢٫١٫۶

دررزيست . ماوراءبنفش قرار می گيرداشعهپس از تنظيم، فتورزيست در سراسر ماسک در معرض تابش شديد فتورزيست با يک فرآيند بسيار شبيه . د روی دی اکسيد سيليکون حذف می شواز معرض تابش قرار گرفته استجاهاييکه

هر . است، بوسيله منابع رشد دهنده توسط کارخانجات فتورزيست رشد می يابد آنچه که در ظاهر کردن فيلم عکاسیبه بدون پوشش می که تحت تابش اشعه ماوراءبنفش قرار گرفته زمان شستشو حذف می شود، و دی اکسيد سيليکون رزيست

شامل يک و ماسک د به نام رزيست مثبت خوانده می شود،وشحذف می در اين روش ی فتورزيست . 2.2dماند مانند شکل نور از ماسک عبور کرده باز می پنجره ها در جاييکه . کپی از الگو يی است که بر روی سطح ويفر باقی می ماند است

.شوندای نمونه٢٫۴شکل . يک رزيست منفی روی سطح پس از تابش باقی می ماند. فتورزيست منفی نيز می تواند استفاده شود

ماسک يکسان بااست که فتورزيست مثبت و منفیته بر روی اليه محافظ دی اکسيد سيليکون از مثال الگوهای انتقال يافرزيست منفی بطور گسترده در فرآيند ساخت مدارات مجتمع قديم مورد استفاده بوده است، اگرچه . استفاده شده است

ال حاضر نوع اصلی رزيست در رزيست مثبت بازده بهتری در فرآيند کنترل در ساختار با مقياس کوچک دارد و در ح . استVLSIساخت مدارات

پخت سخت - ٢٫١٫٧ ٣٠ تا ٢٠اين مرحله به مدت . در اين مرحله با پخت سخت فتورزيست را سخت کرده و چسبندگی آن را بيشتر می کنند

. درجه سانتيگراد و براساس راهنمای کارخانه سازنده انجام می شود١٨٠ تا ١٢٠دقيقه در دمای

8 M.Lotfiazar

9 M.Lotfiazar

تکنيک اچينگ - ٢٫٢

اچينگ شيميايی به شکل مايع يا گاز برای حذف مواد محافظ که بوسيله فتورزيست سخت شده محافظت نمی شوند به کار اينکه اچنت اليه الزم است برای درجه باالی گزينندگی . انتخاب ماده شيميايی به نوع ماده اچ شونده بستگی دارد. می رود

. که اليه فتورزيست را تحت تاثير قرار می دهد، حذف می کنديار زيادتر از آنمحافظ را با سرعت بس

اچينگ شيميايی تر– ٢٫٢٫١

BOE. اچ پنجره های اليه دی اکسيد سيليکون استفاده می شودعموما برای ) buffered) BOE or BHFيک اچ اکسايد HFاچ در دمای اتاق، . ويفرها در حالل انجام می شوداست، و با غوطه ور شدن ) HF(حاللی شامل اسيد هيدروفلوريک

نانومتر١٠٠ تا ١٠ از BOEدر اچسرعت. دی اکسيد سيليکون بسيار سريعتر از اچ فتورزيست يا سيليکون اتفاق می افتده است، و به دما وابست اچ سرعت. درجه سانتيگراد است، که به غلظت فيلم دی اکسيد سيليکون بستگی دارد٢۵در دمای

اکسايدهايی در . به نوع اکسايد موجود بستگی داردبعالوه آهنگ اچ . دما با دقت در طول فرآيند اچ نمايش داده می شود غلظت باالی فسفر در اکسايد .اکسيژن خشک رشد کرده اند بسيار کندتر از آنهايی که در در بخار آب بوده اند اچ می شوند

غلظت باالی .اتفاق می افتد غلظت باالی بورون باشد اچ زمانی که سرعت درحاليکه کاهش اچ را بيشتر می کند،سرعت . را به شيشه فسفوسيليکات يا بوروسيليکات تبديل می کندSiO2اين مواد اليه

HFآزمون طول فرآيند اچ بوسيله شايد . ام روی سيليکون اثری ندارند آب هر دو دی اکسيد سيليکون را تر می کنندرخداد سيگنال در اين وضعيت . شودکنترل همراه با ويفرهای واقعی مدارمجتمع اچ می شوند چشمی ويفرهايی که ظارتن

.کنترل کننده ويفر مبنی بر عالقمندی آن به آب به معنای پايان مرحله اچ می باشد

از نتيجه اچينگ همسان 2.5a شکل .، اچينگ برابر در تمام جهات است)isotropic(اچينگ شيميايی تر فرآيندی همسان .يک خط نازک دی اکسيد سيليکون را نشان می دهد

به دليل مسائل مختلفی " اچ مورب"اين . رزيست را با يک فاصله برابر، برای ضخامت فيلم اچ می کندفرآيند اچينگ زير .مت فيلم باشددر فرآيند بوجود می آيد که می بايست پهنای خطی با ابعادی شبيه به ضخا

10 M.Lotfiazar

اچينگ خشک- ٢٫٢٫٢

نشان داده 2.5bدر شکل اچينگ بسيار ناهمسان . به کار می رودVLSIفرآيند اچينگ خشک به طور وسيعی در ساخت فرآيند خشک تنها مقدار کمی از . از مشخصات اچينگ تر است2.5aشکل undercuttingشده است، مشکل برش زيرين

.اچينگ تر مقدار نسبتا زيادی از ضايعات شيميايی را دربر دارد، در حاليکه گازهای فعال نياز دارد

در يک سيستک خالء تحريک می شود، غوطه ور RF در يک پالسمای گازی که بوسيله امواج در اچينگ پالسما ويفرها به طور RFمنبع توليد امواج . است که دی اکسيد سيليکون را اچ می کندپالسما حاوی يونهای فلورين و کلورين .می شوند

کمسيون ارتباطات فدرال برای اهداف صنعتی و علمی تنظيم مگاهرتز کار می کند که توسط ١٣٫۵۶معمول در فرکانس .می شود

Sputterبا برخورد اچينگ . اچينگ از يونهای گاز نجيب فعال مانند آرگون پالس برای بمباران سطح ويفر استفاده می کند. اچينگ بسيار ناهمسان را ميتوان بدست آورد، اما گزينندگی اغلب کم است.مها با سطح ويفر اتفاق می افتدفيزيکی ات

.استفاده شوندفلزات می توانند به عنوان مواد محافظ برای حفاظت از ويفر در برابر اچينگ

ا برای يونيزه کردن گازهای فعال به کار سيستم پالسم. استsputterاچينگ يون واکنش پذير ترکيبی از اچينگ پالسما و .اچينگ از ترکيب واکنش شيميايی و انتقال آنی اتفاق می افتد. ، و يونها برای بمباران سطح شتاب داده می شوندميرود

حذف فتورزيست– ٢٫٢٫٣

ست به طور معمول فتورزي. اچ شدند، فتورزيست از روی سطح زدوده می شوندSiO2اينکه پنجره ها سراسر اليه پس از با مايع مخصوص برداشت رزيست حذف می شود، که اين مايع باعث می شود رزيست از روی سطح کنده شده و

نيز برای حذف رزيست کاربرد دارد که اين عمل با اکسيده کردن در سيستم فرآيند خشک . چسبندگی آن از بين برود .حا خاکستر کردن رزيست می گويندپالسمای اکسيژن انجام می شود، اين فرآيند را اصطال

ساخت فتوماسک– ٢٫٣

ماسکهای . نشان داده شده است٢٫۶ساخت فتوماسک شامل يک سری عمليات پيچيده از فرآيند فتوگرافی است که در شکل معروف بودند Rubylithفتوماسک های قديمی که به . مدار مجتمع با طراحی هر ماسک در مقياس بزرگ آغاز می شود

بصورت ساندويچ ) Mylar(دست برش می خوردند يک اليه شفاف بعنوان پشتيبان و يک اليه قرمز رنگ از پوليستربا تا ١٠٠ اين فتوماسک ها يک کپی .شد کنده می الگو طراحی شده روی آناليه قرمزرنگ با يک قلم حکاکی بريده و.بودند) عدسی دوربين(reticle به شيوه متداول در عکاسی از روش برابر بزرگتر از اندازه نهايی مدار مجتمع بودند که ١٠٠٠

امروزه سيستمهای گرافيکی کامپيوتری و . که در ادامه توضيح داده خواهد شد استفاده می کردstep-and-repeatدوربين م سيست ماسک روی مطلوبيک تصوير . جايگزين شده اندRubylithمولدهای الگوی نوری تاحد زيادی برای استفاده از

step-and-repeatيک دوربين . برابر سايز نهايی مرتب می شود١٠ تا ١ از reticleگرافيکی کامپيوتر توليد می شود استفاده می شود و يک آرايش دو بعدی از تصوير روی کپی اصلی از ماسک reticleبرای کاهش اندازه تصوير نهايی

٢/۵ عدد مدار مجتمع با ابعاد ١٩٠٠ميليمتر، امکان کپی ١٢۵ر روی يک ويف. نهايی را در معرض ديد قرار می دهد، و يک نمونه از ماسک reticle مثالهايی از يک پالت گرافيکی کامپيوتر، يک ٢٫٧شکل ! ميليمتر وجود دارد۵/٢×

.نهايی مدارمجتمع را نشان می دهد

11 M.Lotfiazar

روی صفه شيشه ای ساخته می ) Chrome(يک کپی اصلی نهايی از ماسک معموال در يک فيلم باريک فلزی مانند کروم امولسيون ماسک ها کار فرآوری از . به فتورزيست منتقل می گردد) مخصوص کروم(تصوير ماسک با عمليات اچ . شود

.کروم اصلی را انجام می دهد

12 M.Lotfiazar

13 M.Lotfiazar

ونيامولس نيبنابرا. رددا وجود الگو یخراب امکان شود، یم آورده کونيليس فريو سطح با اتصال یبرا ماسک که هربار با یا گسترده طور به یاتصال چاپ. شود یم استفاده آنها رفتن نيازب از شيپ شدن ظاهر یکوتاه مدت یبرا تنها ها ماسک ،ماسکیمجاورت چاپ در. است شده داده نشان ٢٫٨ شکل در که است، شده نيگزيجا یافکن ريتصو چاپ و یمجاورت چاپ چگونهيه تابش طول در ماسک یخراب از یريشگيپ یبرا اما شود یم داده قرار فريو تمجاور کينزد اريبس فاصله در

چاپ تصويرافکنی از سيستم لنزها دوگانه برای انداختن تصوير ماسک روی سطح ويفر استفاده . تماسی برقرار نمی شودماسک حقيقی و . رفته شوند به کار گstep-and-repeatويفر و ماسکها ممکن است اسکن شوند و يا با روش . می کند

.لنزها روی سطح ويفر حرکت زيادی دارند

14 M.Lotfiazar

.تنظيم سطوح ماسک با عرض ويفر مشکل است) ميکرون١به ويژه با اندازه تقريبی (در ويفرهايی با ضخامت زيادک يا ده يک سيستم تصويرافکنی با عدسی ي. استفاده می کنندstep-on-waferامروزه سيستمهای وضوح باال از تکنيک

step-and-repeatاين تکنيک مانند تکنيک . برابر الگوی مدارمجتمع افتاده بر سطح ويفر را در معرض ديد قرار می دهد .به طور جداگانه تنظيم و نشان داده می شود) site(الگو در هر جايگاه . نيست

ن مخصوص حساس به رزيست روی ويفر الکتروبا الگو را ميکرومتر١٫٢۵با ابعاد کوچکتر از در توليد ماسکهايی با step-on-waferعموما از سيستم سيستمهای لشعه الکترونی . نقش می کنند که از اشعه الکترونی استفاده می شود

reticleيک برابر استفاده می کنند .

خالصه- ٢٫۴

رزيست بخشهايی از سطح را . شودفتوليتوگرافی برای انتقال الگوی ماسکها به فتورزيست روی سطح ويفرها استفاده میرا پنجره ها . اچ شده اند را محافظت می کند) مانند دی اکسيد سيليکون، سيليکون نيتريد وفلز(در اليه محافظ که پنجره ها

جداره های زير ماسک را اچ می کند، که اين باعث اچينگ شيميايی تر . تکنيک تر يا خشک اچ کرد با استفاده از می توانمی توان يک اچينگ ناهمسان را حاصل کرد که اچينگ خشک با.ز دست دادن کنترل پهنای خط در ابعاد کوچک استا

. کاربرد داردVLSIاين عمل بيشتر برای فرآيند

، يا فلز می تواند وارد شوند نفوذ با دمای بااليا / با رشد يونی و پنجره ها داخل ويفردرتماملصی هااناخپس از اچينگ، عمليات ماسک گذاری در فرآيند .ته نشين شده و اتصال با سيليکون بين پنجره های اچ شده را بسازدروی سطح

.مدارمجتمع بر روی هم انجام می شود، و تعداد مراحل ماسک گذاری به عنوان فرآيندی پيچيده نياز به اندازه گيری است

. طراحی می شودر اندازه نهايی با٢٠٠٠ تا ١٠٠چيپ با برای با استفاده از سيستمهای گرافيک کامپيوتریساخت ماسکReticle يا سيستمهای اشعه الکترونی ساخته مولدهای الگوی نوری با ، تصوی کامپيوتر بار اندازه نهايی از اين ١٠ تا ١ها-step سيستمهای ، يا از استفاده می شوندReticle برای ساخت ماسک نهايی از step-and-repeatدوربينهای .می شوند

on-waferممکن است برای انتقال مستقيم الگو روی ويفر استفاده شود .

١٫٢۵تجهيزات موجود می توانند پنجره هايی با ابعاد تقريبی . امروزه ما به محدوديتهای ليتوگرافی نوری دسترسی داريم به نظر می رسد که امروزه! يکرومتر برسندم٢ميخواستند به تنها تا چند سال پيش متخصصين . (را تعيين کنندميکرومتر

اثر به دليلبسيار کوچک ابعاد يرایطول موج نور.) تا ابعاد زيرميکرون وجود داشته باشد ليتوگرافی نوری امکان توسعهاد با ابعدرحال حاضر ليتوگرافی اشعه الکترونی و اشعه ايکس برای ساخت ادوات . بسيار بزرگ استتداخل و سايه

٠٫١ با حداقل اندازه شکل دادن برای ليتوگرافی ی استفاده می شود، و آزمون ساختارهاميکرومتر٠٫٢۵ از کوچکتر .بازتوليد می شوندميکرومتر