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UHV-taugliche Pumpen
UHV-taugliche Pumpen
UHV-taugliche Pumpen
3D: Kristallstruktur
3D: Miller-Indices
2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze
p:
c:
2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze
2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze
Beschreibung idealen Oberfläche
fcc Kristall (z.B. Cu, Ni, Ag, Pt)
oberste Lage
zweite Lage
Beschreibung idealen Oberfläche
fcc Kristall (z.B. Cu, Ni, Ag, Pt)
Exemplarische Typen von Grenzflächen
Abweichung von der idealen Oberfläche
Abweichung von der idealen Oberfläche
(Oberflächeneinheitszelle geändert)
(Oberflächeneinheitszelle unverändert)
Relaxation von Oberflächen
Adsorptionsplätze
Abweichung von der idealen Oberfläche
• Modify coupling by intermediate layer of atomic oxygen
• Preparation via surfactant growth:
– dosing O2 (1200 L) at annealed Cu(100) (600K)
adsorption of 0.5 ML of atomic oxygen
– surfactant assisted film growth: O floats to top of Ni or Co film
O O
Tailoring the magnetic coupling
Cu(100)
clean Cu (√22√2) R45° O/Cu(100) missing row
c(22) O/Co/Cu(100)
Co on O/Cu(100)
• C. Sorg et al., Phys. Rev. B 73, 064409 (2006) • R. Nünthel et al., Surf. Sci. 531, 53-67 (2003) • J. Lindner et al., Surf. Sci. Lett. 523, L65-L69 (2003)
Adsorbate und Überstrukturen
Adsorbate und Überstrukturen
Halbleiter: dangling bonds entscheidend
Rekonstruktion