vishay diodes group · vishay diodes group ict days semiconduttori di potenza vishay semiconductor...
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Vishay Diodes Group
ICT Days
Semiconduttori di potenza
Vishay Semiconductor Italiana
S.P.A. Claudio Damilano
Market Development Sr.Manager
Diodes Group [email protected]
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Sommario
Cos’è l’elettronica di potenza
Sorgenti e Domanda di energia
Rete elettrica + Convertitori Elettronici = Smart Grid
La produzione dei dispositivi a semiconduttore (in breve)
La Vishay Semiconductor Italiana S.P.A.
Progetti di Ricerca e Collaborazioni universitarie attivi
Un esempio di attività del Marketing Tecnico
Elettronica di Potenza
Elettronica di Potenza
Desktop Power Supply ( 300 ~ 500W)
Domanda di energia
CO2 emessa per produrre energia
Capacità WW produzione energia
La rete elettrica in origine
La rete elettrica con produzione rinnovabile centralizzata
La rete elettrica con produzione rinnovabile centralizzata
Rete elettrica adattata all produzione local di energia SITUAZIONE ATTUALE
MOLTI PASSAGGI DI CONVERSIONE AC/DC/AC
INUTILI (PV to LED lighting,
PV to PHEV charging station) TROPPE RICONVERSIONI = TROPPA ENERGIA PERSA
Rete elettrica adattata all produzione local di energia SITUAZIONE ATTUALE
Nuovo Concetto di Smart Grid
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Produzione di dispositivi a semiconduttore
SOLDERING, BONDING, MOLDING
ASSEMBLY SITE
FRONT END PROCESSING
WAFER FAB
RAW MATERIAL PROCESSING
SILICON FOUNDRY & SLICING
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Produzione di dispositivi a semiconduttore
SOLDERING, BONDING, MOLDING
ASSEMBLY SITE
FRONT END PROCESSING
WAFER FAB
RAW MATERIAL PROCESSING
SILICON FOUNDRY & SLICING
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VSI Borgaro Site
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VSI Borgaro Site
Wafer FABs
Schottky
Dies
Ultrafast
Dies
Module Lines
Diode Modules
IGBT & Mosfet
Modules
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VSI Borgaro Site
Wafer FABs
Schottky
Dies
Ultrafast
Dies
Module Lines
Diode Modules
IGBT & Mosfet
Modules
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VSI Borgaro Site
Wafer FABs
Schottky
Dies
Ultrafast
Dies
Module Lines
Diode Modules
IGBT & Mosfet
Modules
VSI Borgaro Site : Fab8 e 8A
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2 Wafer Fabs class 1000 class 100
wafer dimension 4-5-6 inch
Die production Schottky, Fred, Hexfred
Fab8 e 8A: Products
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“RAW” Silicon Wafer
Schottky
HexFred
Processed Silicon Wafer
VSI Borgaro Site: Modules Line
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New Modules Assy Line
New Modules Assy Line
Module Line: Products
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MOSFET / IGBT / DIODE Power Modules
Progetti di Ricerca & Sviluppo Attivi
SILICON ORIENTED (PRINCIPALI)
Diodo Ultrafast Gen4 600 – 1200V
Diodo rapido supersoft per IGBT
Aumento dell’efficienza e semplificazione di progetto per il cliente
Nuova Piattaforma Trench IGBT PT & FieldStop
Nuovi transistor ad alta tensione (600V)
Conversione dell’energia efficiente ed economica
Migliore utilizzo dell’area del wafer
25 -100
0
100
200
300
400
500
600
700
1 201 401 601 801 1001 1201 1401 1601 1801 2001 2201
FFP08H60
IKB10N60
8ETHgolden V
Gen4 wf 34
Voltage across diode during switching
Progetti di Ricerca & Sviluppo Attivi
PACKAGE ORIENTED (PRINCIPALI)
Moduli con connessione Pressfit
Semplificazione dei processi di assemblaggio cliente (inserimento a pressione)
Miglioramento ambientale (no saldature)
Processo di sinterizzazione delle die
Eliminazione totale e definitiva del Piombo (anche in deroga ROHS)
Miglioramento dell’affidabilità di un fattore 10 x
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Collaborazioni universitarie attive
Nel corso dell’ultimo anno si sono realizzate mediamente circa 6
collaborazioni con Università(Dottorandi, Ricercatori, Stage) tipicamente
nelle seguenti aree:
Ricerca e Sviluppo & Technical Mktg
Produzione: Controllo di Processo e Rilascio Nuovi Prodotti
Aree di supporto alla produzione
Per l’anno 2013 sono previste in budget le seguenti collaborazioni:
4 Dottorati
4 Borse per assegni di ricerca
Stage da definire nel corso dell’anno per progetti attivi
Aree principali di provenienza dei neolaureati in azienda:
Ingegneria delle Nanotecnologie (Processi)
Ingegneria Fisica (Processi)
Ingegneria Elettronica (Device e Applicazioni)
Ingegneria dei Materiali (Processi)
Università di Fisica (Processi)
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Diodes Power Supply Solution DEMO
COMPETITON Diodes Power Supply Solution
VISHAY Diodes Power Supply Solution
80.00%
80.50%
81.00%
81.50%
82.00%
82.50%
83.00%
200 300 400 500 600 700 800
Effi
cie
ncy
OUTPUT POWER (W)
MEANWELL RSP-1000-12 - 110Vac
ORG_110
TND_LVB_3L6_110
Confronto di Efficienza
80.00%
80.50%
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Effi
cie
ncy
OUTPUT POWER (W)
MEANWELL RSP-1000-12 - 110Vac
ORG_110
TND_LVB_3L6_110
Diodes Power Supply Solution
BRIDGE PFC OUTPUT
ORIGINAL GBJ2510 C3D06060A ESAD83-006
VISHAY LVB2506 8S2TH06I-M V30L60C
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OUTPUT POWER (W)
MEANWELL RSP-1000-12 - 110Vac
ORG_110
TND_LVB_3L6_110
Diodes Power Supply Solution
BRIDGE PFC OUTPUT
ORIGINAL GBJ2510 C3D06060A ESAD83-006
VISHAY LVB2506 8S2TH06I-M V30L60C