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H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai 20091
WORKSHOP MICRHAU4 Mai 2009
FRONT–ENDPréamplificateurs
etShapers
H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai 20092
LES DÉVELOPPEMENTS FRONT-END
Température ambiante• Préamplificateurs de Charges• Shapers
Basse Température• Préamplificateurs de Charges• Shapers• Buffer
ILC (DHCAL et ECAL) INNOTEP Hodoscope de faisceau TARANIS (Mind)
T2K
AMS 0.35 CMOS et BiCMOS
H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai 20093
LES FRONT-END À TEMPÉRATURE AMBIANTE(PREAMPLIFICATEURS)
INNOTEP : 3 versions (CMOS, BiCMOS, BiCMOS full Diff) lecture APD et PM
Hodoscope de faisceau : convoyeur de courant rapide lecture de PM
TARANIS : lecture de diodes HgCdTe et Silicium
ILC : lecture de détecteur gazeux (RPC et/ou Micromegas) > DHCAL
Architecture : - cascode replié CMOS ou BiCMOS avec compensation par ajout de zéro- convoyeur de courant
H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai 20094
CARACTERISTIQUES (INNOTEP)CMOS BiCMOS BiCMOS
Full Diff
Photo détecteur APD APD/PM APD
Cd 80pF 80pf/10pF 50pF
Qmax 100fC 100fC/10pC 700fC
Rf 600k 600k/60k 300k
Cf 450fF 450fF/5pF 1pF
GBW 900MhZ 2 GHz 4.5Ghz
Shaper 100ns 50ns 20ns
ENC 2200e 2300e/1300e 3000e
Gain 1.3mV/fC 1.5mV/fC
150mV/fC
1.4mV/fC
Power 40mW 40mW 135mW
Proceeding MIPRO 2009 25-29 mai 2009 CroatiePublication dans un journal en cours MICRHAU + INL
Réutilisation avec modifications mineures pour Taranis (Mind)
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LAYOUT (INNOTEP)
280 µm
170
µm
CMOS
BiCMOS Full DiffBiCMOS
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Out_Shaper
Vgenerateur
Out2
Out1
INNOTEP BiCMOS full diff @ 700fC
= 1 V diff
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HODOSCOPE DE FAISCEAU
• Super base commune • gain variable sur 4 bits• Structure différentielle (étiquetage en temps)• Contrainte forte sur la vitesse : 1 impulsion toutes les 20ns
• Thèse en cours de rédaction• Stage de Master en cours
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ILC DHCAL
• Version Low power (180uA)• Intégrateur avec reset par switch• Cd ~ 60pF• Qmax : 1->100fC en mode umegas
1-> 10pc en mode RPC• Rise time : ~ 120 ns• GBW : 900MHz (umegas) et 50Mhz (RPC)
Implémentation dans un circuit 64 voies
Proceeding NSS-MIC 2008 DRESDE
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LES SHAPERSCR-RC
Structure de l ’amplificateur:• 1 seul étage de gain sur la base de cascode replié• Fully différentiel• CMFB avec double paires différentielles en PMOS
• GBW de 50 GHz• G0 = 78dB• Marge de phase : 30 Deg
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LES SHAPERSCR-RC
H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai 200911
LES SHAPERSCR-RC
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Filtrage de type intégrateur avec RAZ
diff.ampli.
OPA
Filtre CRRC
Avantages de l'intégrateur avec Remise à Zéro par rapport au shaper CRRC: Fonctionnement synchrone (RAZ) avec le collisionneur Plus grande efficacité de filtrage du bruit Temps de récupération plus rapide empilement réduit Track & Hold intrinsèque mémorisation du signal possible en fin d'intégration
Filtre intégrateur avec RAZ
Une alternative au filtrage de type CRRC
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Filtrage de type intégrateur avec RAZ
LHCb
VFE chip of the preshower
Filtre utilisé dans le circuit VFE pour le Preshower de LHCb
1LSB
1023Err
eur
en L
SB
Résultats de mesure d’une voie complète (VFE + FE):
Bruit < 1LSB
Fclock = 40 MHzPrécision: 10 bits
Lecture signal PM
H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai 200914
Etude le circuit VFE du calo. Électromagnétique d'ILC
Filtrage de type intégrateur avec RAZ
Fonderie commune LAL-LPCC1 voie analogique complète : préampli + 3 shapers integ. RAZ
Gain 2 : NL 4‰ Gain 100 : NL 7‰Gain 20 : NL 4‰
Mesures de non-linéarité pour les 3 shapers
H MATHEZ Workshop MICRHAU 4 mai 200915
amp.
ampli.
comp.½ MIP
high gain
Switches blockcontrol
½ MIP
Clock
dummy
Auto-trigger
to ADC
Configuration en mémoire analogique pour ILC
Filtrage de type intégrateur avec RAZ
Soumission en fonderie pour cet été d'une voie complète (préamp + shaper)
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FRONT END À BASSE TEMPÉRATURE
• Préamplificateur de charges
• Shapers
• Buffer 50 ohms
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T2K_Versions_1-2-3
Schematic results with Cdet=250pFtemp(°C)
GBW(MHz)
Rpa (M?)
Cpa ( fF )
Tau filter( μs)
peakTime(ns)
ENC(e-)
593 2 500 - 595 ns 193820 500 - 959.4 ns 1677
972.3 2 500 - 559.4 ns 115820 500 - 731.2 ns 1076
790.4 2 500 - 515 ns 209510 500 - 550 ns 18012 500 1 924 ns 1338
10 500 1 1323 ns 10531275 2 500 - 515 ns 1220
10 500 - 560 ns 11062 500 1 1037 ns 713
10 500 1 1525 ns 565693 4 250 - 923 ns 1245
[0.5-4] 1367 ns 11611884 4 250 - 689 ns 776
[0.5-4] 1314 ns 590
27
-150
T2K_V3TOPPING
27
-150
T2K_V1PA_TOP
27
-150
T2K_V2TOP_EST
Cpa
CDet
buffer
BP filterGpa
Rpa
Qin
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• Vérification du process AMS_C35 à basse température :– Résistances
– Seuil transistors PMOS
– Seuil transistors NMOS
Circuit 2MΩ 20MΩ PA Shaper 1μs PA Shaper 1μs temperature th exp th exp th exp th exp
30 2040 2261 1530 1590 2225 2720 1272 1648 -111 1722 1847 1002 1166 1811 2111 887 1171 -200 1145 1990 599 1078 1363 2545 581 1310
efficiency -111°C/30°C -15.5 -18.2 -34.5 -26.6 -18.6 -22.3 -30.2 -28.9 -200°C/30°C -43.8 -11.9 -60.8 -32.1 -38.7 -6.4 -54.3 -20.5
T0 RT0 TCR1 (10-3Ω/K) TCR2 (10-6Ω/K) 27°C spec. exp exp exp
rpoly2 350Ω 400Ω 0.70 1.17 rpolyhc 2MΩ 1.8MΩ -2.37 5.70
temp (°C) -196 -75 +25 Vth_exp 1.183 0.922 0.733 Vth_th 1.133 0.911 0.731
temp(°C) -198°C -75°C +25°C Vth_exp 0.904 0.871 0.842 Vth_th 0.796 0.662 0.552
PMOSWtot=100μ, L=0.35μ, ngate=10
NMOSWtot=199.8μ, L=0.7μ, ngate=9
T2K_V1
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CONCLUSION
Optimisation du Préamplificateur :
• Etroitement lié au type de détecteur (Cd)
• Quantité de charges produites (Cd/Cf)
• Physique (résolution en temps ou résolution en énergie)
• Puissance disponible
• Signal/Bruit le couple PA et Shaper est essentiel
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