芯朋微AC/DC产品线介绍

王旷 产品线经理

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目录公司简介

技术路线

充电器适配器方案

LED驱动电源方案

内置电源方案

香港芯朋香港芯朋（研发中心）

无锡芯朋无锡芯朋（总部）（总部）

为为您提供高效可靠的电源和驱动类芯片解决您提供高效可靠的电源和驱动类芯片解决方案方案

苏州博创（研发中心）

（总部）（总部）

深圳芯朋（销售服务中心）

国家级企业博士后科研工作站国家集成电路设计企业江苏省高新技术企业江苏省民营科技企业江苏省创新型企业

股票简称：芯朋微 /�430512

成立于2005年.无锡

（销售服务中心）办事处：顺德/中山/厦门

江苏省创新型企业江苏省功率集成电路工程技术中心东南大学研究生联合培养基地

年出货芯片4亿颗（2014）

ICIC设计设计ICIC设计设计产品及产品及

应用应用方案方案 客户产品定义 工艺设计 电路设计 版图设计 检测验证 应用开发

数据处 单 硅片 刻蚀清洗 包封老化检测数据处理

掩膜制作

单晶硅片

光刻

刻蚀清洗

离子注入

氧化扩散

WAT测试

包封

打线植球

装片

老化检测

成品测试

成熟的半导体成熟的半导体产业模式产业模式薄膜生成 晶圆切割晶圆测试

IC掩膜 IC晶圆 IC测试 IC封装

产业模式产业模式多年合作的多年合作的

一流的供应商一流的供应商

Chipown采用半导体行业内国际通行的无工厂模式（无工厂模式（FablessFabless))，公司注重产品研发与市场销售，相关生产外包。

平板电脑平板电脑生活家电生活家电电源芯片电源芯片中国市占率中国市占率

第一第一

平板电脑平板电脑电源芯片电源芯片中国市占率中国市占率

前三前三

电源电源和驱动和驱动类类芯片芯片及及解决解决方案方案

员工学历构成本科

◎公司目前在册121人，拥有多元化的管理和技术团队，包括来自美国、英国、韩国等海归人才。

◎公司拥有多名博士领衔的高水平研发团队，硕士以上学历占技术队伍71%，10年以上工作经验的员工占全体的49% 主要骨干均拥有多项国内和国际半导体发明专

◎公司目前在册121人，拥有多元化的管理和技术团队，包括来自美国、英国、韩国等海归人才。

◎公司拥有多名博士领衔的高水平研发团队，硕士以上学历占技术队伍71%，10年以上工作经验的员工占全体的49% 主要骨干均拥有多项国内和国际半导体发明专

49%27%

5% 19%本科

硕士

博士

其他 人力资源人力资源的49%。主要骨干均拥有多项国内和国际半导体发明专利。 其中芯朋香港研发中心人员均来自美国TI、ON-Semi等知名公司。

的49%。主要骨干均拥有多项国内和国际半导体发明专利。 其中芯朋香港研发中心人员均来自美国TI、ON-Semi等知名公司。

8%

39% 8%2%

员工工作经验构成3年以下3-5年6-10年11 20年

◎ 41项已授权的国际和中国专利◎ 41项已授权的国际和中国专利

6%37%

11-20年21-30年31年以上

◎ 27项已受理的国际和中国专利

◎ 69项已授权的IC版图保护登记

◎ 27项已受理的国际和中国专利

◎ 69项已授权的IC版图保护登记知识产权知识产权

◎ 2009年无锡新区“优秀科技创业领军人才奖”◎ 2009年无锡新区“优秀科技创业领军人才奖”◎ 2009年无锡新区“优秀科技创业领军人才奖”◎ 2009年电子工程专辑“十大杰出服务型IC设计公司”◎ 2009年“国家技术发明奖”二等奖◎ 2010年无锡市“科学技术进步奖”◎ 2011年认定“国家重点新产品”◎ 2011年第六届“中国半导体创新产品”奖

◎ 2009年无锡新区“优秀科技创业领军人才奖”◎ 2009年电子工程专辑“十大杰出服务型IC设计公司”◎ 2009年“国家技术发明奖”二等奖◎ 2010年无锡市“科学技术进步奖”◎ 2011年认定“国家重点新产品”◎ 2011年第六届“中国半导体创新产品”奖

荣荣 誉誉◎ 2011年第六届“中国半导体创新产品”奖◎ 2012年“江苏省知识产权管理规范化示范单位”◎ 2014年电子工程专辑“年度最佳电源IC产品”

◎ 2011年第六届“中国半导体创新产品”奖◎ 2012年“江苏省知识产权管理规范化示范单位”◎ 2014年电子工程专辑“年度最佳电源IC产品”

◎ 东南大学：长期开展功率半导体产学研合作，涉及人才培养、前沿技术研究、科技成果转化；◎ 江苏省产业研究院：合作涉及功率IC项目开发；◎ 香港应科院：联合国际一流团队合作功率模块项目开发；；

◎ 东南大学：长期开展功率半导体产学研合作，涉及人才培养、前沿技术研究、科技成果转化；◎ 江苏省产业研究院：合作涉及功率IC项目开发；◎ 香港应科院：联合国际一流团队合作功率模块项目开发；；

合合 作作◎ 承担国家01（核高基）、02重大科技专项；◎ 承担发改委技改专项、工信部电子发展基金项目；◎ 承担江苏省重大科技成果转化项目

◎ 承担国家01（核高基）、02重大科技专项；◎ 承担发改委技改专项、工信部电子发展基金项目；◎ 承担江苏省重大科技成果转化项目

合合 作作

美的饭煲产线

芯朋电源IC不良率(PPM)

完善的质量经营管理

10

20

（PP

M）

芯朋电源IC不良率(PPM)�

2014.4~2015.2

10PPM10PPM产线不良产线不良率成绩率成绩

质质 量量 交交 付付

持持 续续质质 量量 交交 付付

持持 续续

0

10

4月 6月 8月 10月 12月 02月

不良

率

服服 务务 人人 员员

改改 进进服服 务务 人人 员员

改改 进进12月 02月

质量管理体系通过《ISO9001-2008质量

服服 务务 人人 员员服服 务务 人人 员员

质量管理体系通过《 质量体系 》认证；

芯片产品均符合欧盟ROSH指令和REACH�法规禁用物质规定，并附有检测报告；

芯片产品均有SGS检测中心出具的认证报告 且每年更新 次告，且每年更新一次；

芯片产品的可靠性认证符合JEDEC国际标准，且每年更新一次。 严格的供应商审核体系

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技术路线

充电器适配器方案

LED驱动电源方案

内置电源方案

AC/DC产品平台

产品平台成熟：坚持纵向集成技术研发，9年时间进化三代产品平台平台

超低不良率记录：做可靠性设计，而不仅是可靠性考核

知识产权：SmartDMOS、AC-DC控制等多项国内外专利

国内领先：中国第一家推出700V单片ACDC产品&1000V智能MOS�ACDC产品

传统结构芯朋微结构

超低待机功耗技术

≈2mA ≈2mA≈0.15mA芯片≈10uA

传统结构芯朋微结构 I公司结构

启动前

启动时间减少90% 美国专利授权

芯≈0.15mA

需增加系统元件

实现30mW待机的关键技术

≈10uA芯片启动后

损耗降低90%

键技术

10%载效率比6级能效标准5%以上裕量后

损耗3.3mW@230VAC 损耗45mW@230VAC

标准5%以上裕量

高转换效率技术

高效：等效输出电容损耗降50%以上，提效率降温升高效：等效输出电容损耗降50%以上，提效率降温升

精确：逐谐振周期计算最佳谷底导通位置，系统适应性强

稳定 不改变CC/CV环路 系统工作稳定

发明专利

稳定：不改变CC/CV环路，系统工作稳定

EMI：开启di/dt与dv/dt降低

快速动态响应技术

发明专利发明专利

动态测试条件：动态测试条件：频率：100Hz占空比：50%负载：0A 2A 0A�

输出变化率<20%

精准CS侦测及保护技术

Idrain

Vdrain

Idmax1

Gate

Idrain

Idmax2

Gate

美国专利授权

Vs1

Vref1

Vref2

Vdrain

Vsence1Vs1_pea

k

Vref1

Vref2

充分利用智能Powerchip的快速且精确电流采样原理，实现专利双重过流保护控制电路，能够彻底避免CS电阻短路等系统异常引起的IC炸机

Vs2 Vsence2

Vs2_peak

Vref2底避免CS电阻短路等系统异常引起的IC炸机

降低 失效率 降低安规失效率

高雪崩能力功率MOSFET

1

Current SOA (D=0.01 at 25℃)

1.降低早期失效率 2.降低安规失效率

0.001

0.01

0.1

1 10 100 1000

ID(A

)

VDS(V)

1us100us10msDC

专业测试设备

原胞结构设计 宽SOA区原胞结构设计 宽SOA区

VDS(V)

结构设计 提升EAS&EAR能力结构设计 提升EAS&EAR能力

3.降低长期失效率 4.考核验证HTRB:�150度1000hrs�0/77

HTGB:�150度1000hrs�0/77

THB:�85温度85湿度1000hrs�0/77

发明专利

专利耐压环结构使可动离子注入硅表面降低>1个数量级，大幅提升芯片寿命专利耐压环结构使可动离子注入硅表面降低>1个数量级，大幅提升芯片寿命

EAR:�150度168hrs�0/44

定期抽检

安规 计效安规 计方法

强抗干扰能力

1.器件设计优化40V�BCD平台综合ESD能力

安规设计效果安规设计方法

2.器件工艺设计提升Powerchip雪崩能力

3.建立测试环境严格测试验证

Surge 6kV EFT 4kV

结构设计与分析手段ESD�HBM�4kV空气15kV接触8kV

小结：技术对比智能智能PowerChipPowerChip双双芯片芯片

平面VDMOS双芯片

CoolMOS双芯片

LDMOS单芯片

30mW待机 ★★★ ☆ ☆ ☆☆☆

快速启动 ★★★ ☆ ☆ ☆☆☆快速启动 ★★★ ☆ ☆ ☆☆☆

轻载高效 ★★★ ☆ ☆ ☆☆☆

雪崩能力 ★★★ ☆☆☆ ☆☆ ☆

功率密度 ★★ ☆☆ ☆☆☆ ☆功率密度 ★★ ☆☆ ☆☆☆ ☆

智能保护 ★★★ ☆ ☆ ☆☆☆

PowerChip�=�高压启动 +�功率开关 +�智能保护

目录公司简介

技术路线

充电器适配器方案

LED驱动电源方案

内置电源方案

PSR产品Standby Power

8232

50mW

75mW

8355 83598356 8358 8360s 8360

82378235

30mW 8366 8368 8370s 8370

Output Power

6W 8W 12W 15W

Controller Converter

PN8355-PN8360特点

集成专利高压启动模块，无需启动电阻，实现50mW待机

集成700V高雪崩功率MOSFET，电压、温升De-rating裕量充足

DIP8

受益于专利Smart�MOS，保护功能丰富精准，系统可靠性显著提高

产品系列细化，pin-pin兼容，支持共板设VDD

COMP

FB

GND

GND

SW

产品系列细化，p p 兼容，支持共板设计,降低电源系统开发成本

经典控制平台：PFM提高平均效率+分段变Ipk改善音频噪音，满足六级能效

CS SWp 改善音频噪音，满足六级能效

PN8355-PN8360控制策略CV控制策略

PFM提高平均效率分段变Ipk解决音频噪音

CC控制策略开环恒流(D2=0.5)，简单可靠

输入线电压前馈补偿Ipk，提高恒流精度

fs Ipk

Ipk Id

Po PoD1*T D2*T D3*T

PN8355-PN8360应用要点芯片供电不需要启动电阻(2M)，节省待机功耗(45mW)

DCDCloss R

VVP =

CV模式：芯片工作在线性降频(定Ipk)，为降低磁损，Bmax建议在0.32T以内

biasloss R

L 50

csep

p

RANL

B5.0

max =

CC模式：芯片工作在开环恒流，恒流点由匝比和Rcs确定

cscc R

nI8

=

为满足占空比限制(<0.5)，输入电容及变应 约束

采样变辅助绕组，与内部基准(2V)误差放大后调整工作频率，实现稳压

根据COMP电压，芯片内部补偿输出线补，有3%、6%版本选择；FB上偏电阻Rup引入AC线电压补偿

min,)( DCFor VVVnV ≤+=

压器匝比应满足以下约束

Flow

lowupo V

nRRR

V −+

=1

)(2

PN8355-PN8360典型应用

型号 内置MOSFET 典型应用 参考DER�编号

PN8355(SOP8) 13 OHM 5V1A�9V0.5A 《DER-8355-13-P069》

PN8356(SOP8) 7.5�OHM 5V1.2A�12V0.5A 《DER-8356-14-P037》

PN8358(SOP7) 4�OHM 5V1.5A� 《DER-8358-14-P053》

PN8359(DIP8) 3 OHM 5V2A 12V1A 《DER-8359-13-P040》PN8359(DIP8) 3�OHM 5V2A�12V1A 《DER 8359 13 P040》

PN8360(SOP7) 2�OHM 5V2A�12V1A 《DER-8360S-15-P011》

PN8360(DIP8) 2�OHM 5V2.4A 《DER-8360-14-P065》

PN8358�5V1.5A�DemoPN8358�5V1.5A�Demo输入电压 待机功耗(mW)

(标准：100mW)

90Vac/63Hz 35.4115Vac/60Hz 36.6

负载PCB板端效率(%)

(标准：66.65%(10%) 76.65%（η)

230Vac/50Hz 43.4264Vac/47Hz 48.2

负载 (标准：66.65%(10%)�76.65%（η)115V/60Hz 230V/50Hz

10%�Load 70.52 71.5625%�Load 77.61 75.4850%�Load 78.60 78.8875%�Load 78.98 79.59

100% Load 79.25 79.93η 78.61 78.47

6级能效

50mW待机

200ms内启动

5V2A共板设计

SOP7结构紧凑

PN8360�SOP7�5V2A�Demo待机功耗(mW)输入电压 待机功耗(mW)(标准：100mW)

90Vac/63Hz 45115Vac/60Hz 45230Vac/50Hz 49

负载PCB板端效率(%)

(标准：68.7%(10%)�78.7%（η)

264Vac/47Hz 50

T(°C)110

115V/60Hz 230V/50Hz25%�Load 78.85 77.90

50%�Load 79.77 79.96

75%�Load 80.01 80.2980

90

100PN8360

Twire

Tcore

100% Load 80.32 80.49

η 79.74 79.66

6级50 W 200 5V1 5A共SOP7

Vac

80

90 115 230 264

6级能效

50mW待机

200ms内启动

5V1.5A共板设计

SOP7结构紧凑

PN8366-PN8370特点集成高压启动模块+低工作电流，待机功耗小于30mW

提高 均效率 满 六级能PFM+PWM+QR提高平均效率，满足六级能效要求

集成700V高雪崩能力功率MOSFET，电压、温集成 高雪崩能力功率 ， 压、温升De-rating裕量充足

内置输入电压补偿，可编程输出线电压补偿，CV CC精度3%以内CV、CC精度3%以内

与PN835X�pin-pin兼容，降低电源系统开发成本

PN8366-PN8370控制策略谷底开通，功率管开通损耗明显降低CV控制策略

PFM+PWM+QR多模式提高平均效率、消除音频噪音 )(

22

,2

, QRdsnordsdss

loss VVCfP −=Δ

PN8366-PN8370应用要点假负载电阻可比PN835X增大，待机功耗进一步减小

VV

Bmax:建议在0.32T以平衡磁损和铜损

L 550

o

ooloss R

VVP =

csep

p

RANL

B55.0

max =

CC模式：芯片工作在开环恒流(定去磁占空比为0.5)，恒流点由匝比和Rcs确定

芯片内部根据Ton对输入电压进行CC补偿 FB电阻可编程输出线补偿

cscc R

nI8

=

由于引入QR，变压器折射电压比PN835X高 采样变辅助绕组 与2 5V基准误差放大后调整工作频率及Ipk 实现稳压

芯片内部根据Ton对输入电压进行CC补偿，FB电阻可编程输出线补偿

DC

ppon V

ILT =

5.2Re qIcable

VV

OUT

×=

Δ

min,)( dcFor VVVnV ≤+=

可提高

Flow

lowupo V

nRRR

V −+

=1

)(5.2

采样变辅助绕组，与2.5V基准误差放大后调整工作频率及Ipk，实现稳压

PN8366-PN8370典型应用

型号 内置MOSFET 典型应用 参考DER编号

PN8366(SOP7) 7.5�OHM 5V1.2A�12V0.5A 《DER-8366-15-P014》

PN8368(SOP7) 4�OHM 5V1.5A� 《DER-8368-15-P003》( )

PN8370(SOP7) 2 OHM 5V2A� 12V1A 《DER-8370S-15-P021》

PN8370(DIP8) 2 OHM 5V2.4A 《DER-8370-15-P016》

PN8368�5V1.5A�Demo输入电压 待机功耗(mW)

(标准：100mW)90Vac/63Hz 23.6

115Vac/60Hz 22.5

PCB板端效率(%)(标准 66 65%(10%) 76 65%（ )

/230Vac/50Hz 28264Vac/47Hz 29

PCBA:31mm*38mm*15mm

负载 (标准：66.65%(10%)�76.65%（η)115V/60Hz 230V/50Hz

10%�Load 74.23 76.5825%�Load 80.29 78.8850% Load 81 37 81 3650%�Load 81.37 81.3675%�Load 81.64 82.25

100% Load 81.86 82.41η 81.28 81.23

6级能效

30mW待机

200ms内启动

SOP7结构紧凑

快速动态响应

PN8370�SOP7�5V2A�Demo

输入电压 待机功耗(mW)(标准：100mW)

90Vac/63Hz 16.8115V /60H 16 5

PCB板端效率(%)

115Vac/60Hz 16.5230Vac/50Hz 28264Vac/47Hz 30

T(°C)PCBA:31mm*38mm*15mm

110负载

PCB板端效率(%)(标准：68.7%(10%)�78.7%（η)

115V/60Hz 230V/50Hz10%�Load 79.04 78.1525%�Load 81.17 80.2650% L d 81 56 81 75

90

100

110

PN8370

Twire50%�Load 81.56 81.7575%�Load 81.76 82.29

100% Load 81.97 82.56ηavg 81.62 81.71

Vac

80

90 115 230 264

Tcore

6级能效6级能效

30mW待机

30mW待机

200ms内启动

200ms内启动

SOP7结构紧凑

SOP7结构紧凑

快速动态响应

快速动态响应

PSR�Controller

型号 外置开关管 典型应用 参考DER报告 备注

PN8232 4N60/7N60 5V2.4A, 5V3.5A 《DER-8232-14-P063》 第二代PSR控制器

PN8235 13003/13005 5V1A,�5V1.5A 《DER-8235-15-P017》 第三代PSR控制器

PN8237 4N60/7N60 5V2.4A, 5V3.5A 《DER-8237-15-P018》 第三代PSR控制器

SSR产品Standby Power

75mW

100mW8266 8267

50mW

8145 8147 8149

12W

Output Power

5W 12W 18W 36W 65W5W

Controller Converter

PN8145/PN8147/PN8149

专利高压启动，待机功耗小于75mW

频率抖动技术，卓越EMC特性，省去变频率抖动技术，卓越EMC特性，省去变压器屏蔽层

PWM�+�PFM�+�Burst�Mode提高平均效率，满足六级能效

VDD欠过压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护、CS电阻开/短路保护

fs

效率，满足六级能效

护

型号 PN8145 PN8147 PN8149

40V�SBCD平台 +�700V Smart�MOSFET，高可靠性

VfbBurst PFM PWM OLP

DIP7封装方便PCB Layout，DIP8封装

典型应用 12V0.5A 12V1A 12V1.5A

DIP7封装方便PCB�Layout，DIP8封装兼容主流脚位

PN8147�12V1A�Demo输入电压 待机功耗(mW)

90Vac/63Hz 28115Vac/60Hz 30

230Vac/50Hz 44

负载1.5m�24AWG线端效率(%)

(标准：73%(10%) 83%（η)

230Vac/50Hz 44

264Vac/47Hz 55

负载 (标准：73%(10%)�83%（η)115V/60Hz 230V/50Hz

10%�Load 80.63 77.9125%�Load 85.35 83.7350% Load 85.26 85.14

EF20

50%�Load75%�Load 84.54 84.22

100% Load 83.66 84.82

η 84.18 84.46

75mW待机

六级能效

无散热片 去变压器屏蔽层

不良率<50PPM

PN8149�12V1.5A�Demo输入电压 待机功耗(mW)

90Vac/63Hz 50115Vac/60Hz 51230Vac/50Hz 65

负载1.5m�22AWG线端效率(%)

(标准：75.18%(10%)�85.18%（η)11 60 230 0

264Vac/47Hz 72

115V/60Hz 230V/50Hz10%�Load 78.91 77.2325%�Load 85.57 84.3150%�Load 86.64 85.8275% Load 86 34 86 91

EF20

75%�Load 86.34 86.91100% Load 85.73 86.48

η 86.07 85.87

75mW 六级 去变压器 不良率75mW待机

六级能效 无散热片

去变压器屏蔽层

不良率<50PPM

SSR�ControllerAP8266为PN814X控制内核AP8267为AP8266升级产品pin pin兼容pin-pin兼容驱动能力增强新增Peak�Load功能丰富保护功能，精确实现输出OVP,�输出二极管短路保护

型号 外置开关管 封装 典型应用 参考DER报告

二极管短路保护

型号 外置开关管 封装 典型应用 参考 报告

AP8266 7N60 SOT23-6 12V3A 《DER-8266-12-P009》

AP8267 11N60 SOT23-6 19V3.42A 《DER-8267-14-P019》AP8267 11N60 SOT23 6 19V3.42A 《DER 8267 14 P019》

目录公司简介

技术路线

充电器适配器方案

LED驱动电源方案

内置电源方案

LED驱动产品应用 功率 架构 IC型号 封装 内置MOS 高压启动 APFC PF 典型效率

GU10射灯、E27/E17蜡烛灯

内置电源1-6W

隔离 PN8324 SOP8 Y Y N 0.5 83%非隔离 PN8313 SOP8 Y Y N 0.5 94%

内置电源 非隔离 PN8371 SOP8 Y Y N 0.5 86%

球泡灯、PAR灯内置电源

8-12W 隔离 PN8326 SOP8 Y Y N 0.5 86%

12-18W 隔离 PN8326 DIP7 Y Y N 0.5 88%

5-7W 非隔离 PN8313 SOP8 Y Y N 填谷(0.9) 94%内置电源 7-10W 非隔离 PN8315 SOP8 Y Y N 填谷(0.9) 94%

5-8W 非隔离 PN8335 DIP7 Y Y Y 0.9 92%

7-10W 非隔离 PN8339 DIP7 Y Y Y 0.9 92%

日光灯 天花灯8-18W 非隔离 PN8315 DIP7 Y Y N 填谷(0.9) 94%

离日光灯、天花灯、筒灯、吸顶灯等内置非隔离电源

8-12W 非隔离 PN8335 SOP8 Y Y Y 0.9 92%

8-15W 非隔离 PN8336 DIP7 Y Y Y 0.9 92%

12-25W 非隔离 PN8339 DIP7 Y Y Y 0.9 92%

日光灯、天花灯、筒灯 灯等

18-24W 隔离 PN8327 DIP7 Y Y N 0.5 89%

非 离筒灯、吸顶灯等外置隔离电源

8-24W 非隔离 PN8316 DIP7 Y Y N 0.5 93%

25-41W 非隔离 PN8317 DIP7 Y Y N 0.5 95%

Buck: PN831X专利高压启动&快速自供电技术，外围精简

丰富保护功能：LED开路短路保护、OTC、CS开路短路保护 OVP由FB外部电阻比例决定 保护更精准路保护， OVP由FB外部电阻比例决定，保护更精准，输出电容耐压可以更低

已推出脚位兼容的调光模式版本：全功率-夜灯模式-全功率

产品 封装 典型应用PN8313 SOP-8 80V145mA

SOP-8PN8315 SOP 8DIP-7 80V240mA

PN8316 SOP-8DIP-7 126V240mA

14个元器件 PCB面积 22 *40PN8317 DIP-7 170V240mA 14个元器件； PCB面积：22mm*40mm；输出功率：80V�240mA(单电压输入)；转换效率：≥92%

High PF Buck: PN8335高压启动&自供电技术，全电压范围内快速启动:�无频闪、无过冲，外围精简

丰富保护功能 短路保护 路

GN

D

PN8335 VDD

CO

MP

ZCS

R5

C4

R4 R3

1uF

C34.7uF

7.5K

D1ER1J

220K220K

R10 10K

丰富保护功能：LED短路保护、OTC、CS开路短路保护

L

BD1

C1

SW CS

R2

R7

R8

D5 C5 R9

LED+

LED-

N L2

R1

L1

C2

T1

F1

10R 1W

MB6S

400V100nF

2 2mH

2.2mH

400V100nF

ER1J 100V82uF 68K

EE-10

3.9R

4.3R

输出空载锁死功能，避免灯珠过压烧坏，更安全可靠 L1 2.2mH

Vo(V) Io(mA) Pin（W） Efficiency PF THD

90V 60.0� 120.0� 8.202� 87.78% 0.9487 28.2115V 60.0 120.1� 8.073� 89.26% 0.9725 22.558230V 60.0 120.1� 8.089� 89.08% 0.9126 24.869

全可靠

264V 60.0 120.1� 8.141� 88.51% 0.8716 29.8

Load� 90V 115V 230V 264V Max.-Min. ±

CV=80V 119.8� 119.8� 120.0� 119.9� 0.2 0.08%

CV=60V 120.0� 120.1� 120.1� 120.1� 0 1 0 04%CV=60V 0 0 0.1 0.04%

CV=40V 120.3� 120.4� 120.6� 120.6� 0.3 0.12%

Max.-Min. 1.5� 0.6� 0.6� 0.7�

± 0.63% 0.25% 0.25% 0.29%

Buck-boost： PN8371

高压启动&自供电技术，外围精简

丰富保护功能：LED开路短路保护、OTC、CS开路短路保护， OVP由FB外部电阻比例决定，保护更精准，输出电容耐压可以更低

输入

针对Buck-boost拓扑优化控制，升压比更高，适合全电压输入，典型应用为灯丝灯

输入：90V~264Vac输出：150V/40mA特点：Φ20mm尺寸、EE10单电感、效率≥86%、过认证

Flyback：PN832Xy外围精简，无需启动电阻，可降低生产成本及启动电阻的不良率 L 1

2

3

D1~D41N40 07

+

C140 0V/1 0uF

SW8

SW7

NC

6

GN

D5

CS

VD

D

NC

FB

U1 PN83 26

D6SF26 +

C450 V/22 uF

R775 K

LED+

LED-

1

4

5

8

T1卧式

42 V/28 0mAR310 K

FB下偏电阻引入AC电压补偿提高恒流精度，恒流精度1%以内

N

4

1 2 3 4

R21R8

R12R0

+

C250 V/2.2u F

R618 0K

C5

102/

1KV

D5RS1M

EE16卧式 /1.4mHVac 90 -2 64V

R415 0K

R515 0K

Y1

10 00p F/250 V

1：本原理图设定的输出电流为28 0mA2：本原理图设定的开路电压为50 V

备注：

丰富保护功能：LED开路短路保护、OTP/OTC、CS开路短路保护

40V�SBCD平台 +�700V Smart�MOSFET，高

型号 PN8324 PN8326 PN8327

可靠性

件典型应用 12V280mA

36V280mA

72V280mA

19个元器件； PCB面积：19mm*43.5mm；输出功率：42V�280mA(全电压输入)；转换效率：≥85%

目录公司简介

技术路线

充电器适配器方案

LED驱动电源方案

内置电源方案

内置电源产品

PN8147A

PN8135 PN8136

第三代

PN8137

PN8124F PN8126F

PN8015 PN8016

第二代 PN8112

PN8123

PN8024R PN8026R

AP8012A

AP8010

AP8022A 输出功率(W)第一代

3 5 9 101 2 4 6 7 8 12 15 18

PN802XR/PN812XF

外围精简(集成启动模块及反馈线路)， 适用于12V/18V输出的非隔离应用场合(电饭煲、电压力锅 电磁炉 豆浆机等)力锅、电磁炉、豆浆机等)

频率抖动改善EMC， PFM工作提高转换效率，系统待机小于0.5W

40V�SBCD平台 +�700V�Smart�MOSFET，高可靠性，不良率小于10PPM

型号 PN8024R PN8026R PN8124F PN8126F

典型应用 12V0.3A 12V0.6A 18V0.3A 18V0.6A

PN8015/PN8016

输出在3.3V-24V之间可调，典型应用：5V可控硅控制的小家电产品(电风扇、暖风机、门铃、养生壶、挂烫机等)烫机等)

PFM提高转换效率+变Ipk降低音频噪音

40V�SBCD平台 +�700V Smart�MOSFET，高可靠性

型号 PN8015 PN8016型号 PN8015 PN8016

典型应用 5V0.2A 5V0.35A

PN8135/PN8136/PN8137

高压启动+多工作模式实现超低待机功耗与转换效率，裸板小于50mW，典型应用DVB内置电源或PC辅助电源

频率调制技术轻松通过EMC，外置电阻微调OCP点

40V�SBCD平台 +�700V Smart�MOSFET，高可靠性

型号 PN8135 PN8136 PN8137型号 PN8135 PN8136 PN8137

典型应用 5V1.5A 12V1A+5V0.6A 12V1.5A

PN8147A

高压启动+多工作模式实现超低待机功耗与转换效率，裸板小于50mW，典型应用智能电表

频率调制技术轻松通过EMC，外置电阻调节OCP点

台 高40V�SBCD平台 +�970V Smart�MOSFET，高可靠性

系统轻松过6kV�Surge，满足工业级可靠性标准

型号 PN8147A

典型应用 5 5V2A

准

典型应用 5.5V2A

谢谢！THANKS!

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