²0° k z 8 r m...スタンバイ時 v5 消費電流 i v5stb v 5 = 5 v, v en = 0 v — 2 4 µa —...

NN30332A

製品規格

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VFB

V5

EN

PGOOD

BST

LX

PGND AGND SS

AVIN

PVIN

V5

AVIN

NN30332A

PVIN

VOUT

VOUT = 1.05 V 1 µH

22

µF

100 k

22 µF 4

0.1 µF

27 k

36 k

3.3 nF

0.1

µF

1 µ

F

0.1

µF

0.1

µF

10

µF

V5

軽負荷高効率モードを搭載した 10 A ヒステレティック制御方式の

同期整流型降圧 DC-DC レギュレータ (VIN = 4.5 V ~ 24 V, VOUT = 0.75 V ~ 3.6 V)

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ヒステレティック制御方式による高速応答の

降圧 DC-DC レギュレータ

10 A 負荷時の高効率を実現する High 側オン抵抗

20 m (Typ) と Low 側オン抵抗 6 m (Typ) の

パワー MOSFET

軽負荷時の高効率を実現する Low Power モード搭載

最大出力電流 : 10 A

入力電圧範囲 : AVIN = 4.5 V ~ 24 V,

PVIN = 4.5 V ~ 24 V,

V5 = 4.5 V ~ 5.5 V

出力電圧範囲 : 0.75 V ~ 3.6 V

選択可能なスイッチング周波数 : 430 kHz / 630 kHz

内蔵フィードバック抵抗により、1.2 V / 1.05 V 出力可能

(外付け抵抗による出力電圧設定も可能)

調整可能なソフトスタート機能

過電圧出力及び低電圧出力を知らせるパワーグッド機能

(オープンドレイン)

保護機能 : 低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護 (TSD)、

低電圧検出 (UVD)、過電圧検出 (OVD)、

短絡保護 (SCP)、過電流保護 (OCP)

放熱性 4 方向 24 ピンプラスチックノーリードパッケージ

(QFN タイプ)

(サイズ : 4 mm 4 mm 0.7 mm, 0.5 mm ピッチ)

特長

アプリケーション

概要

NN30332A は、制御 IC と 2 つのパワー MOSFET で

構成されるヒステレティック制御方式の同期整流型降圧

DC-DC レギュレータです。

ヒステレティック制御方式の採用により負荷電流の急変時も

高速に応答し、出力電圧の変動を最小限に抑えます。

これにより出力容量値を低減、且つ外付け位相補償回路も

不要のため、セットの小型化及び外付け部品点数の削減に

貢献します。

また Low Power モードの搭載により、軽負荷時の高効率を

実現し、使用される機器の待機電力の低減を可能とします。

出力電圧は内蔵抵抗による 1.05 V / 1.2 V の選択、及び外

部定数により調整可能であり、最大出力電流は 10 A です。

大電流、軽負荷時の高効率が必要とされるシステムでの

ポイント・オブ・ロード (POL) コンバータ：

・ AV 機器 (TV, BD, カメラ)

・ OA 機器 (複写機, プリンター, FAX)

・ストレージ機器 (HDD, SSD)

・情報機器 (PC, サーバー, ルータ)

応用回路例

注 : 上記回路例は量産セットの動作を保証するものではありません。量産セットを設計する際は、十分に評価・検証を実施した上、お客様の責任でご使用ください。

条件 :

VIN = 12 V , VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 430 kHz,

Low Power モード / Normal モード, LO = 1 µH,

CO = 88 µF (22 µF 4) #V5 の消費電流を含む。

Doc No. TA4-EA-06197 Revision. 4

Established : 2013-07-29 Revised : 2018-01-16

保守廃止

保守予定品種、保守品種、廃品種を

一括して保守廃止と表記しています。

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オーダー情報

注文番号特性パッケージ梱包

NN30332A-VB1 最大出力電流 : 10 A 24 ピン HQFN エンボステーピング

注 : 上記の絶対最大定格を超えるストレスを与えた場合、本製品に恒久的な損傷を与えることがあります。

これはストレスの定格についての規定であり、推奨動作範囲の項目に記載する値以上でのデバイス動作を

保証するものではありません。

絶対最大定格の状態が長時間続く場合、本製品の信頼性に影響を与えることがあります。

VIN は AVIN, PVIN の端子電圧です。また、 VIN = AVIN = PVIN です。

上記に記載のない端子には外部からの電圧や電流の入力を禁止します。

*1 : 定格消費電力を超えない範囲で使用した場合を示します。

*2 : 動作周囲温度範囲、動作接合温度範囲および保存温度の項目以外はすべて Ta = 25C とします。

*3 : (V5 + 0.3) V は 6 V を超えないでください。

*4 : (VIN + 0.3) V は 30 V を超えないでください。

項目略号定格単位注

電源電圧 1 VIN 30 V *1

電源電圧 2 V5 6 V *1

動作周囲温度範囲 Topr – 40 to + 85 C *2

動作接合温度範囲 Tj – 40 to + 150 C *2

保存温度範囲 Tstg – 55 to + 150 C *2

入力電圧範囲 VLP, VFSEL, VOUT, VFB – 0.3 to (V5 + 0.3) V

*1

*3

VEN – 0.3 to + 6.0 V *1

出力電圧範囲

VPGOOD – 0.3 to (V5 + 0.3) V *1

*3

VLX – 0.3 to (VIN + 0.3) V *1

*4

ESD 耐量 HBM 2 kV —

絶対最大定格



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定格消費電力

パッケージ j-a j-C PD

(Ta = 25 C)

PD

(Ta = 85 C) 注

放熱性 4 方向 24 ピンプラスチック

ノーリードパッケージ (QFN タイプ)

50.4 C / W 4.5 C /W 2.480 W 1.290 W *1

33.3 C / W 3.6 C /W 3.754 W 1.858 W *2

注 : 実使用時、電源電圧、負荷、周囲温度条件に基づき、許容値を超えないよう十分なマージンを持った熱設計をお願いします。

*1 : ガラスエポキシ基板 (4 層) [50 50 0.8 t (mm)]

*2 : ガラスエポキシ基板 (4 層) [50 50 1.57 t (mm)]

静電気放電対策

このデバイスは， ESD （静電破壊）保護機能を内蔵していますが，高エネルギーの静電放電を被った場合

損傷を生じる可能性がありますので，適切な予防処置を行ってください。

推奨動作条件

注 : 定格電圧値は GND に対する各端子の電圧です。GND は AGND, PGND です。また、AGND = PGND です。

VIN は AVIN, PVIN の端子電圧です。また、VIN = AVIN = PVIN です。

上記に記載のない端子には外部からの電圧や電流の入力を禁止します。

*1 : (V5 + 0.3) V は 6 V を超えないでください。

*2 : (VIN + 0.3) V は 30 V を超えないでください。

項目記号 Min Typ Max 単位注

電源電圧範囲

AVIN 4.5 12.0 24.0 V —

PVIN 4.5 12.0 24.0 V —

V5 4.5 5.0 5.5 V —

入力電圧範囲

VLP – 0.3 — V5 + 0.3 V *1

VFSEL – 0.3 — V5 + 0.3 V *1

VEN – 0.3 — 5.0 V —

出力電圧範囲 VPGOOD – 0.3 — V5 + 0.3 V *1

VLX – 0.3 — VIN + 0.3 V *2



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項目記号条件許容値

単位注 Min Typ Max

消費電流

動作時消費電流

(Normal モード) IVDDACTN

VEN = 5 V, IOUT = 0 A

RFB1 = 27 k

RFB2 = 36 k

VLP = 1 V , VFB = 0.62 V

— 450 900 µA —

動作時消費電流

(Low Power モード) IVDDACTL

VEN = 5 V, IOUT = 0 A

RFB1 = 27 k

RFB2 = 36 k

VLP = 0 V, VFB = 0.62 V

— 80 130 µA —

スタンバイ時 V5 消費電流 IV5STB V5 = 5 V, VEN = 0 V — 2 4 µA —

スタンバイ時

AVIN / PVIN 消費電流 IVINSTB

AVIN = PVIN = 7.4 V

VEN = 0 V — 1 2 µA —

ロジック端子特性

EN 端子 Low レベル入力電圧 VENL — — — 0.3 V —

EN 端子 High レベル入力電圧 VENH — 1.5 — 5.0 V —

EN 端子リーク電流 ILEAKEN VEN = 5 V — 3 7 µA —

LP 端子 Low レベル入力 VLPL — — — 0.49 V —

LP 端子 High レベル入力 VLPH — 0.72 — V5 V —

LP 端子リーク電流 ILEAKLP VLP = 1 V — 2 4 µA —

FSEL 端子 Low レベル入力電圧 VFSELL — — — 0.3 V —

FSEL 端子 High レベル入力電圧 VFSELH — V5

0.7 — V5 V —

FSEL 端子リーク電流 ILEAKFS VFSEL = 5 V — 5 10 µA —

電気的特性 CO = 22 µF 4, LO = 1 µH, VOUT 設定 = 1.05 V, VIN = AVIN = PVIN = 12 V, V5 = 5 V,

スイッチング周波数 = 430 kHz, VLP = 1 V (Normal モード)

特に規定の無い限り、周囲温度 Ta = 25 C 2 C



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VFB 特性

VFB コンパレータ閾値 VFBTH — 0.594 0.600 0.606 V —

VFB 端子リーク電流 1 ILEAKFB1 VFB = 0 V – 1 — 1 µA —

VFB 端子リーク電流 2 ILEAKFB2 VFB = 6 V – 1 — 1 µA —

低電圧誤動作防止機能 (UVLO)

UVLO 検出電圧 VUVLODE V5 = 5 V to 0 V 4.15 4.20 4.25 V —

UVLO 解除電圧 VUVLORE V5 = 0 V to 5 V 4.35 4.40 4.45 V —

UVLO ヒステリシス VUVLO — 150 200 250 mV —

パワーグッド特性

PGOOD 閾値 1

(UVD 検出時の VFB 端子電圧比) VPGUV VPGOOD : High to Low 77 85 93 % —

PGOOD ヒステリシス 1

(UVD 解除時の VFB 端子電圧比) VPGUV VPGOOD : Low to High 3.5 5.0 6.5 % —

PGOOD 閾値 2

(OVD 検出時の VFB 端子電圧比) VPGOV VPGOOD : High to Low 107 115 123 % —

PGOOD ヒステリシス 2

(OVD 解除時の VFB 端子電圧比) VPGOV VPGOOD : Low to High 3.5 5.0 6.5 % —

PGOOD Low → High遅延時間 VPDT — 0.4 1.0 1.6 ms —

PGOOD オン抵抗 RPG — — 10 15 —

電気的特性（続き） CO = 22 µF 4, LO = 1 µH, VOUT 設定 = 1.05 V, VIN = AVIN = PVIN = 12 V, V5 = 5 V,





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DC-DC 特性

出力電圧 1 Vo1

RFB1 = 27 k

RFB2 = 36 k

IOUT = 4 A

1.035 1.050 1.065 V —

出力電圧 2 Vo2

RFB1 = 30 k

RFB2 = 30 k

IOUT = 4 A

1.182 1.200 1.218 V —

出力電圧 3 （内蔵抵抗モード 1） VoI1

VFB = float,

before VEN = 0 V to 1.5 V

IOUT = 4 A

1.035 1.050 1.065 V —

出力電圧 4 （内蔵抵抗モード 2） VoI2

VFB = V5,

before VEN = 0 V to 1.5 V

IOUT = 4 A

1.182 1.200 1.218 V —

入力安定度 1

（Low Power モード時） VLIN1

PVIN = 6 V to 24 V

IOUT = 150 mA, VLP = 0 V — 0.25 0.75 %/V —

入力安定度 2 VLIN2 PVIN = 6 V to 24 V

IOUT = 0.5 A — 0.25 0.75 %/V —

負荷安定度 1

（Low Power モード時） VLOA1

IOUT = 10 mA to 150 mA

VLP = 0 V — 1.5 — % *1

負荷安定度 2 VLOA2 IOUT = 10 mA to 10 A — 2.0 — % *1

出力リップル電圧 1 VRL1 IOUT = 10 mA

VLP = 0 V or 1 V — 40 —

mV

[p-p] *1

出力リップル電圧 2 VRL2 IOUT = 4 A — 15 — mV

[p-p] *1

負荷過度応答 1 VTR1

IOUT = 100 mA to 4 A

t = 0.5 A / µs — 20 — mV *1

負荷過度応答 2 VTR2

IOUT = 4 A to 100 mA

t = 0.5 A / µs — 20 — mV *1

High 側パワー MOSFET オン抵抗 RONH VGS = 5.0 V — 20 40 m —

Low 側パワー MOSFET オン抵抗 RONL VGS = 5.0 V — 6 10 m —

最小入出力電圧差 Vdiff Vdiff = VIN – VOUT — 2.5 — V *1




注 : *1 : 設計センター値です。



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項目記号条件許容値単

位注

Min Typ Max

保護機能

DC-DC 過電流保護制限 ILMT — — 12 — A *1

DC-DC 短絡保護閾値 Ishort VFB = 0.6 V to 0.0 V 50 60 70 % —

過熱保護 (TSD) 閾値 TTSDTH — — 130 — C *1

過熱保護 (TSD) ヒステリシス幅 TTSDHYS — — 30 — C *1

ソフトスタートタイミング

SS 端子充電電流 ISSCHG VSS = 0.3 V 1 2 4 µA —

SS 端子放電抵抗 RSSDIS VEN = 0 V — 5 10 k —

スイッチング周波数

DC-DC スイッチング周波数 1 DDFSW1 IOUT = 3 A, VFSEL = 0 V — 430 — kHz *1

DC-DC スイッチング周波数 2 DDFSW2 IOUT = 3 A, VFSEL = V5 — 630 — kHz *1




注 : *1 : 設計センター値です。



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番号端子名タイプ説明

1

LX 出力

パワー MOSFET 出力端子

インダクタを接続し VIN から GND までスイッチング動作します。

動作時は大電流が流れるため、基板配線の寄生インダクタンスにより

効率低下やノイズの原因になることがあるため、最短の配線パターンと

なるように配慮してください。

2

3

4

5

6

7

PGND Ground パワー MOSFET 用 GND 端子 8

9

10 LP 入力

Low Power モード / Normal モード設定端子

Low レベル入力時は Low Power モード、High レベル入力時は Normal モードに

設定されます。

11 AGND Ground GND 端子

20

12 AVIN 入力電源電圧センス端子

入力電圧をモニターすることにより、スイッチング周波数を制御します。

13 FSEL 入力スイッチング周波数設定端子

Low レベル入力時は 430 kHz、High レベル入力時は 630 kHz に設定されます。

14 EN 入力

イネーブル端子

Low レベル入力時は DC-DC が停止し、High レベル入力時は

DC-DC が起動します。

15 V5 電源 5 V 入力端子

内部制御回路用電源となります。

LX

LP

AGND

PGND

AVIN

FS

EL

EN

V5

VF

B

VO

UT

SS

PGOOD

AGND

BST

PVIN

1 6

7

10

12

13 18

19

20

24

26

PVIN

25

AGND

27

LX

21

22

23

17 16 15 14

11

8

9

5 4 3 2

ピン配置

端子説明

注 : 各端子の詳細は、機能説明及びアプリケーション情報の項目を参照願います。



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番号端子名タイプ説明

16 VFB 入力

コンパレータ反転入力端子及び、内蔵抵抗 1.05 V / 1.2 V 設定判別端子

VFB 端子電圧と REF 出力 (内部基準電圧) が等しくなるように制御されます。

VFB 端子はインピーダンスが高く、ノイズの影響により誤動作の原因となり

やすいため、配線パターンはノイズ配線 (LX, BST 等) やインダクタの近辺とは

距離をとるよう配慮してください。

17 VOUT 入力出力電圧モニター端子

出力電圧をモニターすることにより、スイッチング周波数を制御します。

18 SS 出力

ソフトスタート制御端子

起動時の突入電流を制限するため、出力電圧立ち上がり時間を設定します。

GND との間に容量を接続して使用ください。

19 PGOOD 出力

パワーグッド機能用端子

MOSFET のオープンドレイン出力となっています。V5 端子との間に

プルアップ抵抗を接続して使用ください。

過電圧検出及び低電圧検出時に Low を出力します。

21 BST 出力

High 側パワー MOSFET ゲートドライバ用電源端子

ブートストラップ動作により、High 側パワー MOSFET のゲート駆動電圧を

供給します。LX 端子との間に容量を接続して使用ください。

ブートストラップ動作により、ノイズの原因になるため、最短の配線パターン

になるように配慮してください。

22

PVIN 電源パワー MOSFET 用電源端子

設定電圧の 90 % までの立ち上げ時間は 10 µs 以上、1 s 以下を推奨します。 23

24

25 AGND Ground 放熱用 GND 端子

26 PVIN 電源放熱用電源端子

27 LX 出力放熱用パワー MOSFET 出力端子

端子説明（続き）

注 : 各端子の詳細は、機能説明及びアプリケーション情報の項目を参照願います。



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ブロック図

注 : ブロック図は、機能を説明するため、一部省略、簡素化している場合があります。

Control

Logic

Soft-Start

AVIN

0.6 V VREF

HGATE

UVLO

SCP

OCP

TSD

REF

ON

CMP

Toff

Timer + Comp

Ton

Timer + Comp

Low Power

/ Normal

0.6 V + 15 %

0.6 V – 15 %

Aux

Timer

Coast

Fault

Soft-Start SS EN

HPD

HGO

LPD

LGO

LGATE

V5

VOUT

VFB

FSEL

LP

V5

AGND

SS AVIN

PGOOD

BST

LX

PGND

PVIN

BGR VREF

Internal circuit

1.2 V / 1.05 V

Divider/Selector

Ton / Toff timer

18 12

19

21

22,23,24,26

1,2,3,

4,5,6,

27

7,8,9

11,20,25

10

16

13

17

15

14



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機能説明

(2) 過電圧検出 (OVD)

VFB 端子電圧が設定電圧 (0.6 V) の 115 % (0.69 V)

以上となり、10 ns 以上経過すると、過電圧検出機能が

作動し、PGOOD 端子はプルダウン状態になります。

更に過電圧状態においては High 側パワー MOSFET は

PWM 動作を停止させるためにオフし、Low 側パワー

MOSFET はオンしてインダクタ電流が 0 A となるまで

状態を保持します。過電圧検出が作動してから 2.2 ms

以内に VFB 端子が設定電圧の 110 % (0.66 V) 以下

に低下すると、PGOOD 端子は1 ms 後に再びプルアップ

状態になり、PWM 動作を再開します。

2.2 ms 以内に VFB 端子が設定電圧の 110 % (0.66 V)

以下とならない場合、High 側及び Low 側のパワー

MOSFET はラッチオフされ、 VOUT 端子に内蔵された

の MOSFET (約 50 ) によって出力電圧は放電され

ます。再起動するには電源リセットまたは EN 端子

リセットが必要となります。

図 : 過電圧検出 (OVD) の動作

注 : PGOOD は V5 にプルアップ

(3) 出力放電機能

EN 端子が Low の時、VOUT 端子に内蔵された

MOSFET によって出力電圧は放電されます。EN 端子が

High の時でも、低電圧誤動作防止機能によりオフした

場合や、過電圧検出もしくは、短絡保護によってラッチオフ

すると、上記内蔵 MOSFET により出力電圧は放電されま

す。内蔵の MOSFET の抵抗値は、50 です。

図 : 過電流検出 (OCP) 及び短絡検出 (SCP)

の動作

出力電流 [A]

短絡保護検出

(出力電圧の

60 %)

過電流検出 (約 12 A)

出力電圧

[V

]

1)

2)

10.5 A to 14 A

1. 保護機能

(1) 過電流保護 (OCP) 及び短絡保護 (SCP)

1) 過電流保護は、出力電流が閾値 (約 12 A) を超えると

作動します。本デバイスはパルス・バイ・パルスによる

谷電流検出を用いています。Low 側パワー MOSFET

オン時に、ドレイン・ソース間の電圧をモニターし

インダクタ電流を検出します。Low 側パワー MOSFET

を流れる電流が過電流検出閾値を下回る時のみ

High 側パワー MOSFET をオンさせます。そのため

過電流検出中は出力電流を検出閾値で制限するため

検出閾値以上の供給時には出力電圧は低下します。

過電流検出はラッチタイプの保護機能ではありません。

2) 出力電圧が低下して VFB 端子が設定電圧 (0.6 V) の

60 % (0.36 V) 以下となると、短絡保護検出され

250 µs 以上、VFB 電圧が設定電圧の 70 % (0.42V)

以上とならない場合、High 側及びLow 側のパワー

MOSFET はラッチオフされ、VOUT 端子に内蔵された

のMOSFET (約 50 ) によって出力電圧は放電され

ます。再起動するには電源リセットまたは EN 端子

リセットが必要となります。

115 % 110 %

90 % 85 %

0.6 V VFB

PGOOD

1 ms

0.6 V

< 2.2 ms > 2.2 ms



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機能説明（続き）

(5) 過熱保護 (TSD)

本 IC の内部温度が約 130 C を超えると過熱保護機能

が作動し、DC-DC 電源を停止します。

1. 保護機能（続き）

(4) 低電圧検出 (UVD)

動作中に出力電圧が低下して VFB 端子の電圧が

設定電圧 (0.6 V) の 85 % (0.51 V) 以下になると

PGOOD 端子に内蔵されたMOSFET がオンし

PGOOD の電圧を Low に下げます。

更に出力電圧が低下し、 VFB 端子電圧が設定電圧

(0.6 V) の 60 % (0.36 V) に達した場合、短絡保護機能

(SCP) が作動します。

短絡保護 (SCP) 作動前に出力電圧が設定値 (0.6 V)

の 90 % (0.54 V) 以上となると、PGOOD 端子に内蔵

された MOSFET が 1 ms 後にオフし、 PGOOD 電圧は

High になります。

(2) スイッチング周波数設定

本 IC は 2 つの異なるスイッチング周波数

(430 kHz, 630 kHz) で動作します。

このスイッチング周波数は下記の通り FSEL 端子で

設定します。

2. 端子設定

(1) LP モード設定

本 IC は Low Power モードと Normal モードの

2 つのモードで動作可能です。

Low Power モード時は低消費電流で動作し、軽負荷時の

高効率を実現することが可能となります。Low Power モード

時の供給電流能力は 150 mA となります。

Normal モード時は、供給電流能力が 10 A となります。

また負荷電流の急変時に高速に応答し出力電圧の変動を

最小限に抑えることを可能となります。

これら動作モードは下記の通り LP 端子で設定します。

LP 端子モード

Low Low Power モード

High Normal モード

FSEL 端子スイッチング周波数 [kHz]

Low 430

High 630

図 : UVD の動作

90 % 85 %

0.6 V VFB

PGOOD

1 ms 60 %

注 : PGOOD は V5 にプルアップ



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3. 出力電圧設定

出力電圧値は VFB 端子の外付け抵抗値により

設定可能です。

下記抵抗値は一般的な出力電圧の場合の推奨値です。

VFB コンパレータ閾値は 1 % に調整しています。

しかし、 VFB コンパレータ以外の回路要因で実際の

出力電圧精度は 1 % 以上になります。

VOUT 設定 = 1.05 V (VIN = 12 V, IOUT = 4 A,

スイッチング周波数 = 430 kHz) の場合、出力電圧精度は

1.5 % になります。

VOUT = ( 1 + ) 0.6 RFB1

RFB2

VOUT

RFB1

VFB (0.6 V)

RFB2

CSS : SS 端子外付け容量値

4. ソフトスタート設定

ソフトスタート機能は起動時の出力電圧の立ち上がり時間

(ソフトスタート時間) を調整する機能となります。

EN 端子を High にすると SS 端子の外付け容量に対して

定電流 (2 µA) で充電し、SS 端子電圧は直線的に増加

します。

起動時の VFB 端子電圧は SS 端子電圧に追従する制御

により、VFB 端子電圧も SS 端子電圧と共に 0.6 V の

制御電圧まで直線的に増加します。

0.6 V の制御電圧に達するとそれを保持します。

一方、SS 端子電圧は約 2.8 V まで増加してそれを

保持します。

ソフトスタート時間の計算式は以下の通りです。

ソフトスタート時間 [s] = CSS

0.6

2µ

図 : ソフトスタート時間

EN

SS

VOUT

VFB

0.6 V

ソフトスタート時間 [s]

UVLO

VREG 4.4 V

VOUT [V] RFB1 [] RFB2 []

3.3 54 k 12 k

1.8 36 k 18 k

1.35 30 k 24 k

1.2 30 k 30 k

1.05 27 k 36 k



保守廃止



NN30332A

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of 42

5. 内蔵フィードバック抵抗による 1.05 V / 1.2 V 設定

NN30332A は、1.05 V と 1.2 V を出力することのできる

フィードバック抵抗を内蔵しています。これより、1.05 V と

1.2 V 設定時は、VFB 端子の外付け抵抗の削減を可能と

します。

EN 端子を Low から High にした時の FB 端子の状態に

応じて出力電圧は以下の様に設定されます。

EN

VOUT

VFB

図 : 出力電圧設定のタイミングチャート

UVLO

V5 4.4 V

0.6 V

V5

1.2 V

1.05 V

0.75V ～ 3.6V : 外付け抵抗使用時

FLOAT


VFB [V] VOUT [V]

V5 1.2 V

FLOAT 1.05 V

外付け抵抗分割 0.75 V ～ 3.6 V 間で

調整可能



保守廃止



NN30332A

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Q2

Q1

VO(EO)

LO

CO

IL

Ei

IO IC

RC

2

ILIox

fLoEi

EoEiEoIL

Ei_maxEi @

2

fIoxEi

EoEiEoLo

IL の最大値は、以下のようになります。

Ei_maxEi @ 2

Io_max_max

IL

IL

2

2

2

82

82

fCoLoEi

EoEiEo

Lo

RcCoEi

fCo

IL

Lo

RcCoEiVobVopVrpl

Ei_maxEi @ 32

(rms)_max

IL

Ic

6. インダクタ、外付け容量設定

入力電圧と出力電圧が決まれば、インダクタと

動作周波数によって、リップル電流を計算できます。

高効率動作には、リップル電流の小さい低周波数で

動作させる必要があります。しかしながら、部品サイズ、

効率、動作周波数の間にトレードオフがあり、これを

実現するには大きなインダクタが必要です。

リップル電流を IO (Max) の 40 % とすると、

Ei が最大の時にリップル電流も最大となるので、

リップル電流が規定値以下であることを保証するために、

以下の計算式に沿って、インダクタを選定する必要が

あります。

CO は基本的に、リップル電圧と負荷過渡応答を最小化する

ESR (等価直列抵抗 RC) によって選択します。

出力リップル電圧 VRPL の計算式は下記の通りです。

以上より、出力リップル電圧を最小化するために、

低 ESR のセラミックコンデンサを推奨します。

また、RMS 電流規格の計算式は下記の通りです。

IL

IO

IC

0

0

EO

IL / 2

Ton

T = 1 / f

VO

VRPL

IL / 2




保守廃止



NN30332A

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1. 出力リップル電圧

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 430 kHz, Normal モード,

LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)

代表特性

IOUT = 0 A IOUT = 1 A


TIME (20ms/div) TIME (2us/div)

TIME (2us/div) TIME (2us/div)

LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)



保守廃止



NN30332A

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代表特性（続き）

1. 出力リップル電圧（続き）

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 430 kHz, Low Power モード,

LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)

IOUT = 0 A IOUT = 10 mA

IOUT = 50 mA IOUT = 150 mA



LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (50mV/div)



保守廃止



NN30332A

製品規格

of 42




LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)





LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)



保守廃止



NN30332A

製品規格

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LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)

IOUT = 0 A IOUT = 10 mA

IOUT = 50 mA IOUT = 150 mA



LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)

LX (5V/div)

VOUT (20mV/div)



保守廃止



NN30332A

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of 42

IOUT = 10 mA to 10 A (0.5A / µs) IOUT = 10 mA to 10 A (0.15A / µs)

IOUT = 10 mA to 150mA (0.5A / µs) IOUT = 10 mA to 150mA (0.15A / µs)

IOUT (0.1A/div)

PGOOD (10V/div)

VOUT (50mV/div)

IOUT (0.1A/div)

PGOOD (10V/div)

VOUT (50mV/div)


2. 負荷過渡応答


LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)

IOUT (5A/div)

PGOOD (10V/div) PGOOD (10V/div)

VOUT (50mV/div)

50mV

IOUT (5A/div)

VOUT (50mV/div)


50mV



保守廃止



NN30332A

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of 42

IOUT = 10 mA to 10 A (0.5A / µs) IOUT = 10 mA to 10 A (0.15A / µs)

IOUT = 10 mA to 150mA (0.5A / µs) IOUT = 10 mA to 150mA (0.15A / µs)

IOUT (0.1A/div)

PGOOD (10V/div)

VOUT (50mV/div)

IOUT (0.1A/div)

PGOOD (10V/div)

VOUT (50mV/div)

TIME (500µs/div) TIME (500µs/div)


2. 負荷過渡応答 (続き)


LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 630 kHz, Low power モード,

LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)

IOUT (5A/div)

PGOOD (10V/div) PGOOD (10V/div)

VOUT (50mV/div)

IOUT (5A/div)

VOUT (50mV/div)


40mV 40mV



保守廃止



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VOUT = 1.05 V, Lo = 1 µH VOUT = 1.2 V, Lo = 1 µH

VOUT = 1.8 V, Lo = 1 µH VOUT = 3.3 V, Lo = 3.3 µH

3. 効率

条件 : VIN = 7.4 V / 12 V / 19 V, V5 = 5 V, スイッチング周波数 = 430 kHz, Normal モード, CO = 88 µF (22 µF x 4),

#V5 の消費電流を含む。




保守廃止



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3. 効率 (続き)

条件 : VIN = 7.4 V / 12 V / 19 V, V5 = 5 V, スイッチング周波数 = 430 kHz, Low Power モード, CO = 88 µF (22 µF x 4),





保守廃止



NN30332A

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of 42



3. 効率 (続き)

条件 : VIN = 7.4 V / 12 V / 19 V, V5 = 5 V, スイッチング周波数 = 630 kHz, Normal モード, CO = 88 µF (22 µF x 4),





保守廃止



NN30332A

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of 42



3. 効率 (続き)

条件 : VIN = 7.4 V / 12 V / 19 V, V5 = 5 V, スイッチング周波数 = 630 kHz, Low Power モード, CO = 88 µF (22 µF x 4),





保守廃止



NN30332A

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Frequency = 430 kHz Frequency = 630 kHz


4. 負荷安定度

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, Normal モード, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)


条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, Low Power モード, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



保守廃止



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5. 入力安定度

条件 : V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, Normal モード, IOUT = 5 A, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)


条件 : V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, Low Power モード, IOUT = 150 mA, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



保守廃止



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EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

TIME (10ms/div) TIME (10ms/div)


6. 起動 / 停止

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 430 kHz, Normal モード, IOUT = 0 A,

LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)


条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 430 kHz, Low Power モード, IOUT = 0 A,

LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



保守廃止



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of 42

EN (2V/div)

SS (2V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

Time (10ms/div) Time (10ms/div)


VOUT (0.5V/div)

VOUT (0.5V/div) VOUT (0.5V/div)

6. 起動 / 停止 (続き)


LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)


条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 630 kHz, Low Power モード, IOUT = 0 A,

LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



保守廃止



NN30332A

製品規格

of 42

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)




条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V (内蔵フィードバック抵抗), スイッチング周波数 = 430 kHz,

Normal モード, IOUT = 0 A, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



Low Power モード, IOUT = 0 A, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



保守廃止



NN30332A

製品規格

of 42

EN (2V/div)

SS (2V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)



VOUT (0.5V/div)










保守廃止



NN30332A

製品規格

of 42

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)











保守廃止



NN30332A

製品規格

of 42

EN (2V/div)

SS (2V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)

VOUT (0.5V/div)

EN (2V/div)

SS (2V/div)



VOUT (0.5V/div)










保守廃止



NN30332A

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Normal Mode Low Power Mode

Normal Mode Low Power Mode

LX (10V/div)

SS (2V/div)

IOUT (10A/div)

TIME (1ms/div)

VOUT (2V/div)

LX (10V/div)

SS (2V/div)

IOUT (1A/div)

TIME (500us/div)

VOUT (2V/div)

LX (10V/div)

SS (2V/div)

IOUT (10A/div)

TIME (1ms/div)

VOUT (2V/div)

LX (10V/div)

SS (2V/div)

IOUT (1A/div)

TIME (500us/div)

VOUT (2V/div)

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 630 kHz , LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)


7. 短絡保護

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 430 kHz , LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)



保守廃止



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8. スイッチング周波数

条件 : VIN = 12 V, V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, IOUT = 10 mA to 10 A, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)


条件 : V5 = 5 V, VOUT 設定 = 1.05 V, IOUT = 10 A , VIN = 4.5 V to 24 V, LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)

LX Average Frequency (MHz) Skip Mode (Freq=430kHz)

0.00

0.10

0.20

0.30

0.40

0.50

0.60

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24

VIN(V)

LX

Avera

ge F

requency (

MH

z)

LX Average Frequency (MHz) Skip Mode (Freq=630kHz)

0.30

0.40

0.50

0.60

0.70

0.80

0.90

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24

VIN(V)

LX

Avera

ge F

reqency (

MH

z)



保守廃止



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9. サーモグラフ


LO = 1 µH, CO = 88 µF (22 µF x 4)




保守廃止



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7 8 9 10 11 12

13

14

15

16

17

18

19 20 21 22 23 24

1

2

3

4

5

6

FSEL

L-LX

R-F

B3

R-F

B2

C-D

CD

CO

UT

1

C-D

CD

CO

UT

2

R-F

B4

R-F

B1

LX

BS

T

LP

AG

ND

AV

IN

EN

V5

VFB

VOUT

SS

PG

OO

D

AG

ND

PV

IN

C-P

VIN

5

C-P

VIN

6

C-A

VIN

1

C-A

VIN

2

C-B

ST

DCDCOUT

R-P

G

PVIN C

-SS

SS

C-V

5

VOUT

PGND

VOUT

C-DCDCOUT1 C-DCDCOUT2

L-LX

C-AVIN1

C-AVIN2

C-PVIN2

R-FB

R-FB

VFB LX

PVIN

AVIN

VOUT

C-BST

SS

C-V5 C-V52

C-DCDCOUT3 C-DCDCOUT4

V5

C-PVIN1

C-PVIN3

1. 評価ボード情報

条件 : VOUT 設定 = 1.05 V, スイッチング周波数 = 430 kHz, Low Power モード

アプリケーション情報

応用回路図レイアウト図

評価基板シルク印刷レイアウト図（基板裏面）評価基板シルク印刷レイアウト図（基板表面）

注 : 本応用回路図とレイアウト図は参考例です。量産セットの動作を保証するものではありません。

量産セットを設計する際は、十分に評価・検証を実施したうえ、お客様の責任でご使用ください。

機器の設計における上記応用回路図や情報の適用に対しては、十分に注意を払ってください。



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アプリケーション情報（続き）

2. 基板レイアウト設計に関して

DC-DC レギュレータを安定的に動作させるためには

基板レイアウト設計を十分に考慮する必要があります。

ここでは基板レイアウト設計上の注意事項を示します。

(a) スイッチングノイズ低減のため、入力コンデンサ CIN と

PVIN / PGND 端子の距離が最短となるように

入力コンデンサ CIN を配置し、ループ (1) の

寄生インダクタンス及び、インピーダンスを低減する。

(b) 安定性向上のため、PGND と AGND を一点接地 (2)

する。

(c) 出力負荷変動低減のため、出力電流配線 IOUT と

出力センス配線 VOUT については共通インピーダンスが

小さくなるように配線する。また、出力センス配線 VOUT

は出力コンデンサ CO の直近から配線する。(3)

(d) 損失と出力リップル電圧低減のため、インダクタ LO と

LX 端子の距離、出力コンデンサ CO と (2) / (3) の距離が

最短になるようにインダクタ LO、出力コンデンサ CO を

配置し、ループ (4) の寄生インダクタンス及び、

インピーダンスを低減する。

(e) 応用回路図例の太線部分は大電流が流れるため、

配線は出来るだけ太くする。

(f) VFB / SS / VREG 端子の各配線はスイッチングノイズ

の影響を考慮して、 LX / BST 配線、インダクタ LO の

近辺は通さず、極力短くなるように配線する。特に

VFB 端子はインピーダンスが高いので最短で配線する。

(g) RFB1 / RFB2 はスイッチングノイズの影響を考慮して、

LX / BST 配線及び、インダクタ LO から離し、且つ

VFB 端子直近に配置する。

(h) LX / BST 配線はノイズの原因になるので、最短で

配線する。

注 : 本応用回路図とレイアウト図は参考例です。

量産セットの動作を保証するものではありません。

量産セットを設計する際は、十分に評価・検証を

実施したうえ、お客様の責任でご使用ください。

機器の設計における上記応用回路図や情報の適用に

対しては、十分に注意を払ってください。

VFB

VREG

BST

LX

PGND AGND SS

AVIN PVIN

VOUT

IOUT

CO CIN

RFB1

RFB2

(1)

(4)

(3)

(2)

LO

図 : 応用回路図



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参照番号数量値部品メーカー部品名備考

C-AVIN1 1 0.1 µF Murata GRM188R72A104KA35L —

C-AVIN2 1 1 µF Murata GRM21BR71H105KA12L —

C-BST 1 0.1 µF Murata GRM188R72A104KA35L —

C-DCDCOUT1

C-DCDCOUT2

C-DCDCOUT3

C-DCDCOUT4

4 22 µF Murata GRM31CR70J226KE19L —

C-PVIN1 1 0.1 µF Murata GRM188R72A104KA35L —

C-PVIN2, 3 2 10 µF TAIYO

YUDEN UMK325AB7106MM-T —

C-SS 1 3.3 nF Murata GRM188R72A332KA01L —

C-V5 1 0.1 µF Murata GRM188R72A104KA35L —

C-V52 1 4.7 µF Murata GRM21BR71A475KA73 —

L-LX 1 1 µH ALPS GREEN

DEVICE GLMC1R003A —

R-FB1 1 0 Panasonic ERJ3GEY0R00V —

R-FB2 1 27 k Panasonic ERJ3EKF2702V —

R-RB3 1 36 k Panasonic ERJ3EKF3602V —

R-FB4 1 0 Panasonic ERJ3GEY0R00V —

R-PG 1 100 k Panasonic ERJ3EKF1003V —

3. 推奨部品構成




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NN30332A

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PKG surface Temp (Ave) = 80 deg

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

7 7.5 8 8.5 9 9.5 10 10.5 11 11.5 12 12.5

IOUT（A）

VIN（V）

Vout=1.05V、fsw=430kHz




PKG surface Temp (Ave) = 90 deg

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

7 7.5 8 8.5 9 9.5 10 10.5 11 11.5 12 12.5

IOUT（A）

VIN（V）






4. 使用上の注意事項・安全留意事項

本 IC は一般民生機器用に使用されることを

意図しています。

本 IC は参考図表に基づき説明された推奨安全動作

範囲内での使用において保証されます。

温度特性は PCB の設計及び材質により変動します。

図表は参考資料のため、詳細は当社技術者に

ご相談願います。

保証値を超えてご使用された場合の故障、欠陥に

ついては当社として責任を負いません。



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NN30332A

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封止材料 : Br / Sbフリーエポキシ樹脂

リード材質 : Cu 合金

リード表面処理 : Pd めっき

パッケージ情報

外形図

単位 : mm



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重要事項

１．機種展開や新たなセットにご使用になる場合は，信頼性を含む安全性確認をセット毎に必ずお客様の責任において実施してください。

２．本IC を用いた応用システムを設計する際，注意事項を十分確認の上，お客様の責任において行ってください。本文中には説明に対す

る注意事項および使用上の注意事項がありますので，必ずお読みください。

３．本ICは一般民生機器用に使用されることを意図しています。

特別な品質，信頼性が要求され，その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある下記のような用途へのご使用をお考えのお客様，および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は，事前に当社営業窓口までご相談願います。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては責任を負いかねますのでご了承ください。但し、当社が車載用製品と指定した製品につきましては、自動車用途への使用が可能です。

(1) 宇宙機器 (人工衛星，ロケット，等) (2) 輸送車両の制御機器 (自動車，航空機，列車，船舶，等) (3) 生命維持を目的とした医療機器 (4) 海底中継機器 (5) 発電所制御機器 (6) 防災・防犯装置 (7) 兵器 (8) その他：(1)-(7)と同等の信頼性を必要とする用途

４．本ICは，当社が車載品と指定した場合を除き，自動車用アプリケーションでの使用を意図しておらず，また車載環境において使用されるようには設計されておりません。

当社の文書による事前の承諾を得ることなく，本ICを自動車用アプリケーションに使用したことにより，お客様または第三者に損害等が発生した場合，当社は一切その責任を負いません。

５．本ICのご使用に際しては，特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令などの法令を十分調査の上，かかる法令に適合するよう

ご使用ください。

お客様が適用される法令を遵守しないことにより生じた損害に関して，当社は一切の責任を負いかねます。

６．ご使用の際は，本ICの向きに注意してください。間違った向きで実装した場合には破損する恐れがありますので十分に注意して使用ください

７．端子間短絡による破損を防止するために，パターンレイアウトには十分ご注意ください。なお，本ICの端子配列については端子説明をご参照ください。

８．本ICの端子間はんだブリッジなどで破損することがありますので，電源印加前に十分にプリント基板の確認を行ってください。

また，実装後の運搬などではんだ屑などの導電性異物が付着した場合も同様の破損が生じる可能性がありますので，実装品質については十分に技術検証をお願いします。

９．本ICは出力端子– VCC間ショート(天絡)，出力端子– GND間ショート(地絡)，および出力端子間ショート(負荷ショート)，ピン間リーク等の異常状態が発生した場合に破損する可能性がありますので，十分注意してご使用ください。

また，電源の電流能力が高いほど破損する可能性が高くなりますので，Fuseなどの安全対策を実施されることを推奨します。

１０．保護回路は，異常動作時に安全性を確保する目的で搭載されています。したがって，通常使用状態で保護回路が働くような事がないように設計してください。

特に温度保護回路については，出力端子 –ＶCC間ショート(天絡)，出力端子 –GND間ショート(地絡)等によってデバイスの安全動作領域や最大定格を瞬時に超えるような場合は，温度保護回路が働く前に破損することがあります。

１１．モータコイル，光ピックアップ，トランス等の誘導性負荷を駆動する場合はオン–オフ時に発生する負電圧や過大電圧によりデバイスが破損する事がありますので，本製品規格で定められていない場合は，負電圧や過大電圧が印加されないようにしてください。

１２．ASO (安全動作領域)が定められている製品の場合は，ASO内で動作させるようにしてください。

１３．外付け部品の故障によるリスクの検証をお願いします。

１４．パッケージ裏面の金属板(フィン)を各電位 (AGND, PVIN, LX) に接続してください。本ICの熱抵抗や電気的特性は，金属板(フィン)が各電位に接続された条件での保証です。



保守廃止



本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安

全保障輸出管理に関する法令を遵守してください。 (2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナ

ソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。

(3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)、もしくは、本書に個別

に記載されている用途に使用されることを意図しております。特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れの

ある用途－特定用途(車載機器、航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、医療機器、安全装置など)でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上、使用条件等に関して別途、文書

での取り交わしをお願いします。文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては、当社は一切の責任を負いません。

(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承くだ

さい。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。

(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきま

すようお願いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の故障、欠陥については当社として責任を負いません。

また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考

慮の上、当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。

(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的スト

レス）による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません。

また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください。

(7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され、万が一転売先から何らかの請求を受けた場合、お客様にお

いてその対応をご負担いただきますことをご了承ください。 (8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

No.010618 保守廃止



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